通信產(chǎn)品一般采用分散供電方式，各單板上采用DC/DC模塊將-48V電源轉(zhuǎn)換為其所需的5V、3.3V、2.5V等子電源。由于輸入電壓高，電源電路中又存在用于濾波和防止DIP的大電容，在單板插入上電時，會對-48V電源造成沖擊，瞬時大電流將造成-48V電源電壓出現(xiàn)跌落，可能影響到其它單板的正常工作；同時，由于瞬時大電流的原因，單板插入時在接插件上會產(chǎn)生明顯的打火現(xiàn)象，這會引起電磁干擾，并對接插件造成腐蝕。為了避免上述現(xiàn)象，-48V電源供電單板需要“緩慢”上電。

一、緩啟動電路的作用

通信設(shè)備產(chǎn)品單板上幾乎都在電源模塊的輸入端設(shè)計有緩啟動電路，緩啟動電路的功能主要有兩個： 1、延遲單板電源的上電時間：我們的單板一般都要求支持熱拔插，當(dāng)單板插入子架時，單板插頭和母板插針的接觸是不穩(wěn)定的，為了避免這種抖動的影響，可以在電源模塊和母板電源之間加一個電路，使母板的電源延遲一段時間以后再加到電源模塊。 2、減小上電的沖擊電流：由于單板電源都接有濾波電容，電源上電瞬間跳變時由于電容的充電，會產(chǎn)生較大的沖擊電流，造成母板電源電壓抖動，跌落，以及強烈的電磁輻射，很容易對其他工作中的單板造成不良影響，如果能把電源的上電速度變緩一些，就能有效的減小這種影響。??

? 二、緩啟動電路的工作原理

電路的原理圖：

緩啟動電路由R39，R49，C7和Q31組成，Q31是絕緣柵型場效應(yīng)管，也是緩啟動電路最關(guān)鍵的器件。為了理解緩啟動的原理，首先我們來回顧一下MOS管的一點基礎(chǔ)知識。下圖大致描述了典型的MOS管的轉(zhuǎn)移特性：

MOS管的特性表明，當(dāng)Vgs小于一定電壓（Vth）時，DS極之間的電阻Rds是很大的，可以認(rèn)為開路，電流不能通過；當(dāng)Vgs達到Vth時，MOS管開始導(dǎo)通，Rds隨Vgs的增加迅速減小。當(dāng)Vgs達到一定的程度，Rds很小，可以認(rèn)為DS之間是近似短路的。Vth可以稱之為開啟電壓（Voltage－Gate threshold），一般為2－4V。

在的緩啟動電路中，電阻R39，R49和C7構(gòu)成了分壓式RC時間常數(shù)電路，C7并聯(lián)在Q31的GS極之間，也就是Vc7＝Vgs。當(dāng)48V電源剛加到單板時，C7未充電，Vgs＝0，MOS不導(dǎo)通，電源模塊不供電。隨后，48V通過R39，R49向C7充電，當(dāng)C7的電壓達到Vth時，MOS開始導(dǎo)通，這一階段，完成的是延時上電的作用，延遲時間可由下式估算： Uin(R39/(R39+R49))(1－e-T/??)=Vth 其中，T為延遲時間， Uin＝48V，
?為RC電路的時間常數(shù)，
?＝C7（R39//R49），Vth一般取4V。將原理圖中數(shù)值代入計算可知，延遲時間T約等于15.3ms。
? MOS管開始導(dǎo)通后，Vgs繼續(xù)增加（直到12V左右），Rds迅速減小，緩啟動的輸出電壓逐漸升高直到到與輸入電壓基本一致。電源模塊開始工作，單板正式上電。在這一過程中，輸出電壓并不是瞬間跳變到最高的，因此，大大減輕了沖擊電流的干擾。這一過程的時間與C7的充電速度，MOS的特性，負(fù)載特性都有關(guān)系，難以具體計算，具體還需實測調(diào)整。

三、實測波形分析

下圖是緩啟動的輸入電壓上電波形

這是緩啟動輸入端在電源開關(guān)閉合瞬間的波形，可以看到畫圓圈處的抖動，持續(xù)時間約1ms，如果是熱拔插，這個抖動的幅度和持續(xù)時間都將可能更大。

下圖是緩啟動的C7電壓上升波形

可以看到，上電15ms后，C7電源上升到約4V，與理論計算值基本一致。

下圖是緩啟動MOS管的D，S間電壓波形。

可以看到，在開關(guān)閉合后的14ms以內(nèi)，輸入電壓完全加在MOS的DS兩端，這與理論計算值基本一致（由于MOS管的Vth并不一定是4V，有些誤差是很正常的），從14ms開始，Vds以指數(shù)方式下降，過程時間約4ms。

下圖是緩啟動輸出的電壓波形。

可以看到，對比緩啟動的輸入電壓上電波形，緩啟動的輸出電壓不再有開關(guān)閉合時的抖動，而且上電邊沿也非常明顯，過程約4ms，實現(xiàn)了減小上電沖擊的目的。

讓我們再把所有的波形放在同一時間軸上來比較一下，如下：

可以看到，經(jīng)過緩啟動電路之后，單板實際供電電壓Uout比輸入電壓Uin總共延時了將近20ms，不但消除了上電抖動，而且有效減小了沖擊。

四、總結(jié)

1、緩啟動的時間常數(shù)電路必須確保電容充電完成后其電壓不能大于15V，因為一般大功率MOS管的G，S間擊穿電壓在20V左右，電壓過高，會損壞MOS管（現(xiàn)在很多單板上在電容兩端并聯(lián)了一個穩(wěn)壓管就是起這個作用的），但是也不應(yīng)該低于10V，因為一般大功率MOS管的D，S間電阻Rds都需要Vgs達到10V后才達到最小值（一般在0.1ohm量級）。 2、緩啟動的延遲時間不能太長，原因有二。其一，延遲太長，熱拔插時，單板接口信號線已連接，而電源仍未上電，會造成接口器件閂鎖損壞；其二，緩啟動關(guān)鍵器件MOS管在從截止到導(dǎo)通轉(zhuǎn)換的過程中瞬間功耗是非常大的，如果電容充電過于緩慢，造成邊沿時間太長，MOS管將因為功耗過大而損壞。延時一般取幾十毫秒。

編輯：黃飛