BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
每個(gè)橋臂需要4個(gè)MOSFET以及各自的驅(qū)動(dòng)，增加了系統(tǒng)復(fù)雜度，再比如每個(gè)橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統(tǒng)成本。 本文中，將介紹我們8KW LLC變換器的設(shè)計(jì)方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
孰勝孰?。縐SB3.0VSeSATA
2021-05-21 06:33:26
250V左右。對(duì)于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開(kāi)始使用碳化硅(SiC)制造器件，因?yàn)樗軌蚰褪茌^高的電壓。 除此以外的器件參數(shù)均相當(dāng)于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見(jiàn)表2?！ ∮捎赟iC器件的成本較高(是同類(lèi)硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒(méi)有用它來(lái)替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快，工程師們?cè)絹?lái)越多地在尋找新的解決方案，并對(duì)技術(shù)提出更多的要求，以滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求。碳化硅半導(dǎo)體是滿足這些需求的優(yōu)選答案，其本身也在不斷改進(jìn)，以期提供與舊技術(shù)相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員！附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點(diǎn)噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達(dá)1400℃的溫度下，仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹(shù)脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無(wú)線雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達(dá)到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設(shè)計(jì)中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
電磁性。因碳化硅是一種共價(jià)鍵化合物，原子間結(jié)合的鍵很強(qiáng)，它具有以下一些獨(dú)特的性能，因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點(diǎn)。關(guān)于碳化硅熔點(diǎn)的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開(kāi)關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱(chēng)金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn)，應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開(kāi)始受到人們的關(guān)注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學(xué)家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來(lái)，直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
最近L4低功耗的板子又掀起一陣功耗旋風(fēng)，和低功耗大哥MSP430相比 ，孰優(yōu)孰劣？
2024-05-13 07:56:44
` 隨著LED技術(shù)的不斷成熟與完善，LED尺寸朝著Mini&Micro參數(shù)級(jí)別深入發(fā)展時(shí)，封裝環(huán)節(jié)需要考慮的因素也隨著大有改變。在錫膏與共晶兩大主流工藝的選擇上孰優(yōu)孰劣，誰(shuí)更具優(yōu)勢(shì)
2019-12-04 11:45:19
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
的柵極電壓衰減，使得碳化硅MOSFET（TO-247-4封裝）的開(kāi)關(guān)速度會(huì)比TO-247-3封裝的更快，開(kāi)關(guān)損耗更小?！ ∫虼耍?dāng)您在使用碳化硅MOSFET進(jìn)行新方案設(shè)計(jì)時(shí)，為進(jìn)一步減小碳化硅
2023-02-27 16:14:19
項(xiàng)目名稱(chēng)：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
，航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長(zhǎng)，新的航空航天世界在用于電源和電機(jī)控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業(yè)中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
能動(dòng)力碳化硅二極管ACD06PS065G已經(jīng)在倍思120W氮化鎵快充中商用，與納微GaNFast高頻優(yōu)勢(shì)組合，高頻開(kāi)關(guān)減小磁性元件體積，提高適配器功率密度。創(chuàng)能動(dòng)力是香港華智科技有限公司孵化出來(lái)的公司
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合，可提供最佳的性價(jià)比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
異步復(fù)位，同步釋放的理解目錄目錄同步復(fù)位和異步復(fù)位異步復(fù)位 同步復(fù)位 那么同步復(fù)位和異步復(fù)位到底孰優(yōu)孰劣呢？異步復(fù)位、同步釋放問(wèn)題1 問(wèn)題2 問(wèn)題3 問(wèn)題4 問(wèn)題5參考資料同步復(fù)位和異步復(fù)位異步復(fù)位
2022-01-17 07:01:53
附件：嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
和高性能的碳化硅 MOSFET之間，在某些場(chǎng)合性價(jià)比更優(yōu)于超結(jié)MOSFET和碳化硅MOSFET，可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡，具有重要的應(yīng)用價(jià)值，特別適用于對(duì)功率密度提升有需求，同時(shí)更強(qiáng)
2023-02-28 16:48:24
如果比較兩種設(shè)計(jì)方法的物料清單（BOM），結(jié)果是碳化硅MOSFETSiC解決方案物料清單相對(duì)的減少，可提供更具成本競(jìng)爭(zhēng)力，而效率高達(dá)99%的解決方案?！ D4：即便是107mΩ的CoolSiC CCM
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開(kāi)關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，特別是降低雜散電感。除開(kāi)關(guān)速度更快外，碳化硅器件的工作溫度可達(dá)到 300℃以上。而現(xiàn)有適用于硅器件的傳統(tǒng)封裝材料及結(jié)構(gòu)一般工作在 150℃以下，在更高溫度時(shí)可靠性急劇下降，甚至無(wú)法正常運(yùn)行。解決這一
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類(lèi)似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
小于5ns； · 選用低傳輸延時(shí)，上升下降時(shí)間短的推挽芯片。 總之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時(shí)，對(duì)于驅(qū)動(dòng)器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng)，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無(wú)需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
采樣示波器與實(shí)時(shí)示波器，孰優(yōu)孰劣？實(shí)時(shí)示波器在新一代光接口時(shí)域測(cè)試上的應(yīng)用是什么？
2021-06-17 09:50:58
碳化硅(SiC)基地知識(shí)
碳化硅又稱(chēng)金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:49
1558 一直以來(lái)，原廠制造與OEM代工孰優(yōu)孰劣，在業(yè)內(nèi)是一個(gè)仁者見(jiàn)仁、智者見(jiàn)智的話題。與OEM代工相比，堅(jiān)持原廠生產(chǎn)需要企業(yè)雄厚的先進(jìn)與技術(shù)實(shí)力作為支撐。
2011-12-28 09:01:524226 同樣是用眼睛看，投影儀與電視機(jī)有什么區(qū)別呢？我們?cè)鯓硬拍鼙苊膺@種傷害呢？智能投影儀，這個(gè)和電視機(jī)完全不相干的產(chǎn)品，隨著近兩年投影機(jī)智能化技術(shù)的進(jìn)步，開(kāi)始真正走到電視機(jī)的對(duì)立面。不過(guò)兩者孰優(yōu)孰劣，還有待時(shí)間驗(yàn)證
2016-11-05 08:18:111313 
在工業(yè)機(jī)器人領(lǐng)域，ABB，發(fā)那科，庫(kù)卡，安川常被人并稱(chēng)“四大家族”，那么它們的技術(shù)到底孰優(yōu)孰劣？
2018-08-28 10:46:0910100 3090的字樣用戶們也準(zhǔn)時(shí)上演了又一輪口誅筆伐。 對(duì)于游戲愛(ài)好者來(lái)說(shuō)，N卡和A卡孰優(yōu)孰劣，是一個(gè)近似甜豆?jié){還是咸豆?jié){？穿不穿秋褲？的絕交問(wèn)題，問(wèn)出口就是血雨腥風(fēng)。 回顧整個(gè)顯卡產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷史，這種從品牌到用戶間劍拔弩張的氣氛并非朝夕之功。幾十年來(lái)，
2020-11-06 14:49:052829 來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 作為第三代半導(dǎo)體中的明星，碳化硅因?yàn)槠洫?dú)有的特性和優(yōu)勢(shì)受到各方青睞。尤其是時(shí)下電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的火爆，助推了碳化硅器件的發(fā)展與應(yīng)用。不過(guò)，作為新興事物，碳化硅器件的產(chǎn)品良率及價(jià)格
2022-12-27 18:08:191883 前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:406521 基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)中
2021-11-29 14:54:089429 
為保障總線網(wǎng)絡(luò)的通訊穩(wěn)定性，總線通訊接口通常會(huì)做隔離，而隔離又分為分立式隔離與模塊隔離，那么這兩種隔離方案孰優(yōu)孰劣呢？ ?? CAN總線隔離 CAN總線隔離是工業(yè)通信中最常用的現(xiàn)場(chǎng)總線，各大
2022-11-22 12:00:021907 基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成的冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案。為了進(jìn)一步
2022-12-21 14:02:331689 摘 要 基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成的冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案
2022-12-21 14:05:032918 前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:192135 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904 （SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續(xù)增長(zhǎng)，這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率，同時(shí)降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品，它們也并非都是一樣的。為了實(shí)現(xiàn)碳化硅技
2023-02-02 15:10:001067 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度升高到一定值時(shí)出現(xiàn)峰值，繼續(xù)升高溫度，導(dǎo)電率又會(huì)下降。
2023-02-03 09:31:236555 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165682 
碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355708 電機(jī)碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機(jī)的技術(shù)，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導(dǎo)率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等，來(lái)提高電機(jī)的效率、耐久性和可靠性，從而降低電機(jī)的成本。
2023-02-16 17:54:007613 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177 
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專(zhuān)業(yè)讀者喜愛(ài)，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng)，以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，感謝各位
2023-05-31 09:43:201105 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612 國(guó)產(chǎn)CPU廠商眾多，業(yè)內(nèi)有關(guān)龍芯、海光、飛騰、兆芯孰優(yōu)孰劣的討論從未停歇，需要用性能和事實(shí)才能力排眾議。 近日，一組關(guān)于主流桌面CPU廠商的性能橫評(píng)公布于網(wǎng)上，“參賽選手”分別為龍芯3A5000、海
2023-06-13 08:59:506632 6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-04 14:11:561714 
7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開(kāi)關(guān)器件簡(jiǎn)介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-09 09:25:051096 為保障總線網(wǎng)絡(luò)的通訊穩(wěn)定性，總線通訊接口通常會(huì)做隔離，而隔離又分為分立式隔離與模塊隔離，那么這兩種隔離方案孰優(yōu)孰劣呢？CAN總線隔離CAN總線隔離是工業(yè)通信中最常用的現(xiàn)場(chǎng)總線，各大工程師對(duì)于CAN
2022-11-24 16:51:101600 
柵雙極晶體管）和碳化硅器件所使用的半導(dǎo)體材料不同。IGBT主要使用的是硅材料，而碳化硅使用的則是碳化硅材料。硅材料是非常成熟的半導(dǎo)體材料，具有一定的電性能和可靠性，但是它的熱穩(wěn)定性不如碳化硅材料。碳化硅材料的熱穩(wěn)定性非常好，具有更高的耐溫性能，能夠承受更高的工作溫度和電壓。
2023-08-25 14:50:0421116 同步復(fù)位和異步復(fù)位到底孰優(yōu)孰劣呢？ 同步復(fù)位和異步復(fù)位是兩種不同的復(fù)位方式，它們各自有優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)，下面將詳細(xì)介紹這兩種復(fù)位方式。 同步復(fù)位是指在時(shí)鐘的邊沿（上升沿或下降沿）發(fā)生時(shí)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行復(fù)位。這種
2024-01-16 16:25:522718 近期市場(chǎng)消息指出，中國(guó)新能源汽車(chē)和光伏市場(chǎng)的快速發(fā)展，推動(dòng)了碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)鏈在技術(shù)迭代和產(chǎn)能擴(kuò)充上的加速。這一趨勢(shì)導(dǎo)致SiC產(chǎn)業(yè)鏈中的多個(gè)環(huán)節(jié)成本顯著下降，特別是SiC襯底、外延以及SiC模塊的價(jià)格降幅明顯。
2024-10-22 11:48:281798 傾佳電子楊茜以國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065L和超結(jié)MOSFET對(duì)比，并以在2000W家用雙向逆變器應(yīng)用上具體分析BASiC基本股份B3M040065L在家庭儲(chǔ)能（雙向逆變，中大充
2025-02-09 09:55:56854 
直播時(shí)間：5月20日14:00直播主題：溝槽柵VS平面柵，孰是王者？立即掃碼報(bào)名吧！直播間不定時(shí)會(huì)有禮品掉落，速速掃碼預(yù)約！520碳化硅首場(chǎng)直播，帶你直擊可靠性核心戰(zhàn)場(chǎng)！平面柵和溝槽柵，簡(jiǎn)約
2025-05-15 17:05:23538 
此前，5月14-16日，2025第四屆上海國(guó)際充換電與光儲(chǔ)充展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱(chēng)：CPSE上海充換電展）在上海汽車(chē)會(huì)展中心盛大開(kāi)幕?；景雽?dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及高壓快充解決方案盛裝參展，向業(yè)界展示了公司在新能源汽車(chē)充換電領(lǐng)域的碳化硅技術(shù)，吸引了眾多行業(yè)人士的高度關(guān)注。
2025-05-16 17:46:171003 
從南國(guó)云南到內(nèi)蒙古礦區(qū)，從東海寧波到香港特別行政區(qū)，由泰科天潤(rùn)自主研發(fā)的碳化硅功率器件，正在全國(guó)各地充換電設(shè)施中穩(wěn)定運(yùn)行，見(jiàn)證著國(guó)產(chǎn)芯片在技術(shù)上有重大突破。
2025-11-06 16:21:49670
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