推挽輸出：可以輸出高，低電平，連接數(shù)字器件。

　　輸出 0 時(shí)，N-MOS 導(dǎo)通，P-MOS 高阻，輸出0。

　　輸出 1 時(shí)，N-MOS 高阻，P-MOS 導(dǎo)通，輸出1（不需要外部上拉電路）。

　　開(kāi)漏輸出：輸出端相當(dāng)于三極管的集電極。 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行。 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng)，其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)（一般20ma以?xún)?nèi)）。

　　輸出 0 時(shí)，N-MOS 導(dǎo)通，P-MOS 不被激活，輸出0。

　　輸出 1 時(shí)，N-MOS 高阻， P-MOS 不被激活，輸出1（需要外部上拉電路）；可以讀IO輸入電平變化，此模式可以把端口作為雙向IO使用。

　　網(wǎng)上找了些資料，推挽電路：

　　上面的三極管是N型三極管，下面的三極管是P型三極管，請(qǐng)留意控制端、輸入端和輸出端。

　　當(dāng)Vin電壓為V+時(shí)，上面的N型三極管控制端有電流輸入，Q3導(dǎo)通，于是電流從上往下通過(guò)，提供電流給負(fù)載。

　　經(jīng)過(guò)上面的N型三極管提供電流給負(fù)載（Rload），這就叫「推」。

　　當(dāng)Vin電壓為V-時(shí)，下面的三極管有電流流出，Q4導(dǎo)通，有電流從上往下流過(guò)。

　　、

　　經(jīng)過(guò)下面的P型三極管提供電流給負(fù)載（Rload），這就叫「挽」。

　　以上，這就是推挽（push-pull）電路。

　　經(jīng)過(guò)上面的N型三極管提供電流給負(fù)載（Rload），這就叫「推」。

　　當(dāng)Vin電壓為V-時(shí)，下面的三極管有電流流出，Q4導(dǎo)通，有電流從上往下流過(guò)。

　　、

　　經(jīng)過(guò)下面的P型三極管提供電流給負(fù)載（Rload），這就叫「挽」。

　　以上，這就是推挽（push-pull）電路。

　　那么什么是開(kāi)漏呢？要理解開(kāi)漏，可以先理解開(kāi)集。

　　如圖，開(kāi)集的意思，就是集電極C一端什么都不接，直接作為輸出端口。

　　如果要用這種電路帶一個(gè)負(fù)載，比如一個(gè)LED，必須接一個(gè)上拉電阻，就像這樣。

　　當(dāng)Vin沒(méi)有電流，Q5斷開(kāi)時(shí)，LED亮。

　　當(dāng)Vin流入電流，Q5導(dǎo)通時(shí)，LED滅。

　　開(kāi)漏電路，就是把上圖中的三極管換成場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。

　　N型場(chǎng)效應(yīng)管各個(gè)端口的名稱(chēng)：

　　當(dāng)Vin沒(méi)有電流，Q5斷開(kāi)時(shí)，LED亮。

　　當(dāng)Vin流入電流，Q5導(dǎo)通時(shí)，LED滅。

　　開(kāi)漏電路，就是把上圖中的三極管換成場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。

　　N型場(chǎng)效應(yīng)管各個(gè)端口的名稱(chēng)：

　　當(dāng)Vin沒(méi)有電流，Q5斷開(kāi)時(shí)，LED亮。

　　當(dāng)Vin流入電流，Q5導(dǎo)通時(shí)，LED滅。

　　開(kāi)漏電路，就是把上圖中的三極管換成場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。

　　N型場(chǎng)效應(yīng)管各個(gè)端口的名稱(chēng)：

　　場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制型元器件，只要對(duì)柵極施加電壓，DS就會(huì)導(dǎo)通。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有一個(gè)特性就是它的輸入阻抗非常大，這意味著：沒(méi)有電流從控制電路流出，也沒(méi)有電流進(jìn)入控制電路。沒(méi)有電流流入或流出，就不會(huì)燒壞控制電路。而雙極型晶體管不同，是電流控制性元器件，如果使用開(kāi)集電路，可能會(huì)燒壞控制電路。這大概就是我們總是聽(tīng)到開(kāi)漏電路而很少聽(tīng)到開(kāi)集電路的原因吧？因?yàn)殚_(kāi)集電路被淘汰了。

　　有人說(shuō)，開(kāi)漏單刀單置，推挽單刀雙置，這樣理解也有一定的道理。

　　編輯：黃飛