P型和N型半
2009-11-09 13:37:04
49335 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
2023-02-23 17:00:04
35699 
不管是硬件工程師或者嵌入式工程師,在工程實踐中常常會遇到單片機(jī)IO的狀態(tài)定位和影響。我們知道單片機(jī)IO有輸入和輸出兩種模式。其中輸入模式有模擬輸入、上拉輸入、下拉輸入和浮空輸入;輸出有開漏輸出和推挽輸出。那我們今天就一起看一下什么是推挽輸出。
2023-03-07 15:32:35
18922 
只對稱的功率開關(guān)管每次只有一個導(dǎo)通,所以導(dǎo)通損耗小效率高。在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:上P下N,上N下P。其原理圖分別如下所示。
2023-05-25 14:09:52
3850 
在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:上P下N,上N下P。其原理圖分別如下所示。
2023-06-06 14:10:01
2903 
功率MOSFET有二種類型:N溝通和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計的過程中,選擇N管還是P管,要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
將空穴從p+源極和漏極區(qū)域吸引到溝道區(qū)域。耗盡模式 P 通道P 通道增強(qiáng)模式加工就結(jié)構(gòu)而言,p 溝道耗盡型 MOSFET 只是 n 溝道耗盡型 MOSFET的倒數(shù)。在這種情況下,預(yù)構(gòu)建通道由夾在嚴(yán)重
2023-02-02 16:26:45
的選擇選型之前我們要清楚MOS管的原理:MOS管有兩種結(jié)構(gòu)形式,即N溝道型和P溝道型,結(jié)構(gòu)不一樣,使用的電壓極性也會不一樣,因此,在確定選擇哪種產(chǎn)品前,首先需要確定采用N溝道還是P溝道MOS管。MOS管
2023-02-17 14:12:55
的正號?! ∈`電荷不能穿過晶體,因為原子核被共價鍵緊緊地束縛在晶格中?! ?b class="flag-6" style="color: red">兩種材料,p型和n型,都是電中性的?! D1.P型和N型材料。 多數(shù)承運(yùn)人和少數(shù)承運(yùn)人 P材料中的空穴和N材料
2023-02-23 16:46:46
、P溝道增強(qiáng)型MOSFETP溝道增強(qiáng)型MOSFET采用輕摻雜N襯底進(jìn)行簡單設(shè)計。在這里,兩種重?fù)诫s的P型材料通過一定溝道長度分開,薄二氧化硅層沉積在通常稱為介電層的基板上。在P溝道增強(qiáng)型MOSFET中
2022-09-27 08:00:00
的原因,主要是溝道材料的電氣性能不一樣。在N溝道中參與導(dǎo)電的是電子,而在P溝道中參與導(dǎo)電的是空穴,兩者在單位電場強(qiáng)度下的遷移率相差非常大。電子的遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴的遷移率,即N溝道的導(dǎo)電性能要比P溝道
2012-05-22 09:38:48
-MOS都正常工作,開漏輸出模式下,只有下面的N-MOS工作,上面的P-MOS不工作。注意:輸出模式?jīng)]有上拉下拉配置。推挽輸出(Push-Pull Output)推挽輸出的結(jié)構(gòu)是由兩個三極管或者M(jìn)OS管受到
2022-02-28 06:48:51
,取而代之利用片上外設(shè)模塊的復(fù)用功能輸出來決定的??偨Y(jié)與分析****1、什么是推挽結(jié)構(gòu)和推挽電路? 推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個參數(shù)相同的三極管或MOS管分別受兩互補(bǔ)信號的控制,總是在一個三極管或MOS管導(dǎo)通的時候
2022-12-22 18:10:27
MOSFET,也可以直接驅(qū)動。對于一個橋式電路的上下橋臂,上管使用P溝道的功率MOSFET,可以直接驅(qū)動,驅(qū)動電路設(shè)計簡單。如果上管選用N溝道的功率MOSFET,那么必須采用浮驅(qū)或自舉電路,驅(qū)動電路
2016-12-07 11:36:11
原文鏈接,轉(zhuǎn)載請注明出處:https://www.icxbk.com/article/detail/913.htmlMOS在電路設(shè)計中是比較常見的,按照驅(qū)動方式來分的話,有兩種,即:N-MOS管
2019-08-29 21:03:22
通常三極管采用A的方法接做成推挽電路,那么這里吧三極管換成MOS管后,兩種接法有什么不一樣?(事實上我也不知道如果就是三極管我也懂兩種接法有什么不一樣)求前輩們指點迷津!
2016-08-05 19:54:26
(1)從電路結(jié)構(gòu)上看,低壓側(cè)開關(guān)選N-MOS,高壓側(cè)開關(guān)選P-MOS;
(2)從成本和便利性上看,N溝道MOSFET選擇的型號多,物料成本低;P溝道MOSFET選擇的型號較少,物料成本高;
(3
2025-12-24 07:00:21
康佳P2591n、P2592n彩色電視機(jī)電路圖
2009-04-29 18:00:25
99 松下KY-P2N電磁灶電路圖,松下KY-P2N電磁灶原理圖紙
2009-07-01 00:36:18
65 華碩 P2-P5N9300 P4-P5N9300主板英文版說明書.zip
2010-02-03 14:35:25
0 N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:43:39
25 松下KY-P2N電磁爐電路
2007-06-29 16:19:35
2218 
6P3P推挽膽機(jī)電路圖
功
2007-11-18 16:13:24
30184 
膽整流穩(wěn)壓電路圖:元件有5z3p 6n9p 6j8p 6n5p
2007-11-18 16:46:12
17769 
6N3+6N2+6P6P推挽電路,此電路非常的詳細(xì)和精典,電路上有相關(guān)重要點的詳細(xì)說明,包括所有元件的清單以及價格。是
2008-02-03 16:40:47
21635 
6p3p推挽電路圖
2008-03-31 12:48:11
24700 
6n5p推挽電路圖
6p9p+6n5p推挽電路圖
6n5p推挽電路圖
2008-03-31 12:54:05
14799 
6p9p推挽電路圖
2008-03-31 12:55:20
10524 
康佳P2591N、P2592N彩電開關(guān)電源電路
2009-01-22 22:41:29
1194 
康佳P2989N彩電開關(guān)電源電路
2009-01-22 22:42:40
1807 
康佳P3492N彩電開關(guān)電源電路
2009-01-22 22:43:52
917 
6N5P電子管推挽功放
自制
下為電路圖和實物圖
歡迎討論
2009-01-25 10:43:23
6351 6N5P電子管推挽功放
自制
下為電路圖和實物圖
歡迎討論
本機(jī)具有兩大特色:
1.使用
2009-02-04 20:06:16
6798
N溝道與P溝道FET構(gòu)成推挽工作的緩沖器電路圖
2009-07-13 17:26:25
2032 
采用P溝和N溝的電路圖
2009-08-15 16:42:02
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6N5P單端膽機(jī)制作方法與心得
本文就談?wù)勛髡咦鲞@臺6N5P制作過程和心得。 6N5P這個管子大家都很熟悉了,以前經(jīng)常被用在電子管交流穩(wěn)壓器上
2010-01-26 09:00:24
34465 N型雜質(zhì)/P型雜質(zhì),N型雜質(zhì)/P型雜質(zhì)是什么意思
半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于他們的純度。完全純凈或本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很低,因為他們只含有很少的
2010-03-04 11:52:33
14240 采用6n8P+EL156自制的電子管功放電路
下圖是采用6n8P+EL156構(gòu)成的
2010-04-17 09:03:41
12024 
6N7P系共陰極雙三極管.一致性好,用于推挽放大倒相電路平衡度高。此管具備右特性,可工作于零柵壓,音質(zhì)圓潤醇真。為了領(lǐng)略6N7P的魅力,筆者用6N7P組成雙聲道
2010-10-27 16:54:07
9221 
去年12月,我花1400元購一臺6N13P膽機(jī)套件,裝成后雖有“膽味”,但功率儲備不夠,顯得力度較小。分析原因是電路總增益不夠,推動級輸出激勵電壓較小。 為追求更
2010-11-01 17:14:35
13306 在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了
2012-02-17 16:43:32
33 采用兩只N溝道和兩只P溝道場效應(yīng)管的全橋驅(qū)動電路工作時,在驅(qū)動控制IC的控制下,使V4、V1同時導(dǎo)通,V2、V3同時導(dǎo)通,且V4、V1導(dǎo)通時,V2、V3截止,也就是說,V4、V1與V2、V3是交替導(dǎo)通
2012-04-05 11:34:25
13240 
在CDN和P2P兩種主流的流媒體分發(fā)技術(shù)的基礎(chǔ)上,提出了基于系統(tǒng)流量的混合流媒體分發(fā)模型,根據(jù)系統(tǒng)中節(jié)點數(shù)量和媒體流量之間的關(guān)系,在CDN自治域內(nèi)實現(xiàn)CDN和P2P的混合式服務(wù),并對上述理
2012-04-17 14:53:17
29 FBM120N60P&BFBM120N60P&BFBM120N60P&BFBM120N60P&BFBM120N60P&BFBM120N60P&B
2015-11-11 16:34:23
6 1N60-1N60P數(shù)據(jù)手冊,感興趣的可以瞧一瞧。
2016-11-09 18:15:43
18 WSP4606 SOP8 N+P N 30V7A P-30V-6A
2017-07-29 14:16:17
74 WSP4616 SOP8 N+P N 30V11.6A P 30V-9.6A
2017-07-29 14:08:15
23 WSP4620 SOP8 N+P N 30V8.8A P -30V-8.6A
2017-07-29 14:06:09
27 WSP6067 N+P SOP-8 N 60V6.5A P -60V-4.5A
2017-07-29 11:21:03
20 分享幾款6n5推挽電路圖,包括6n5推挽電路圖、6n5P推挽電路圖、6N16B推挽電路圖、6N11+6N5推挽電路圖、6T1+6N15推挽電路圖等推挽電路圖。
2017-11-02 16:02:46
30119 
本文為大家?guī)硭膫€6n2+6p1推挽電路圖分享。
2018-02-12 15:43:24
86899 
三極管.一致性好,用于推挽放大倒相電路平衡度高。此管具備右特性,可工作于零柵壓,音質(zhì)圓潤醇真。為了領(lǐng)略6N7P的魅力,筆者用6N7P組成雙聲道前級.采用1.5V電池作柵偏壓.燈絲用直流供電。6N7P工作點電流在23mA,放音膽味濃郁.非常耐聽。???
2018-09-20 19:01:23
5268 6.3V、電流800mA;陽極電壓300V:屏耗最大6W。其內(nèi)部兩只三極管并聯(lián),在屏壓300V、屏流35mA下,最大能輸出4W左右的輸出功率。用作功放時,其音色具有密度感,獨(dú)樹一幟。本機(jī)電路如附圖,其
2018-09-20 19:02:56
14547 6N5P甲類推挽20W功放,6N5P Vacuum tube amplifier
關(guān)鍵字:6N5P,功放電路圖
??? 本人酷愛音響,四十
2018-09-20 19:05:32
5824
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作者: 吉剛
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用6N9P和6N7P制作了一臺立體聲小功放,效果很滿意。這兩種管不受發(fā)燒友青睞,價格便宜,容易找到。 6N7P是一種B類專用管,常用于熱工儀表,若用于單端甲類
2018-09-20 19:11:32
7134 首先我們來了解下4P和3P+N的區(qū)別?。?!3P+N和4P的斷路器同樣屬于四極(有四對輸入/輸出端子)的斷路器,它們的區(qū)別在于零(N)線端子上。
2019-07-06 10:49:44
113747 電容分類的N種詳解
2020-02-04 15:13:23
10032 在全部單相路上都一樣——僅有三種規(guī)格型號的斷路器,(剩余電流動作斷路器)各自是1P,1P+N和2P。除此之外,在三相電路中,也有3p,3p+N和4P剩余電流動作斷路器。三相電路中的事兒大家今日做剖析
2021-04-02 16:34:33
8061 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TE(ti)CAT-P65-N4903相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有CAT-P65-N4903的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,CAT-P65-N4903真值表,CAT-P65-N4903管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-07-16 02:00:02
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TE(ti)CAT-P65-N49相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有CAT-P65-N49的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,CAT-P65-N49真值表,CAT-P65-N49管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-08-04 16:00:03
方型接近開關(guān)傳感器RK-05 SN04-N-N2-P-P2-AO
2021-08-23 17:48:55
47 -MOS都正常工作,開漏輸出模式下,只有下面的N-MOS工作,上面的P-MOS不工作。注意:輸出模式?jīng)]有上拉下拉配置。推挽輸出(Push-Pull Output)推挽輸出的結(jié)構(gòu)是由兩個三極管或者M(jìn)OS管受到
2022-01-13 16:24:10
19 在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。如下圖所示,推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是上P下N,以及上N下P。
2022-03-15 07:56:36
20933 
選型之前我們要清楚MOS管的原理:MOS管有兩種結(jié)構(gòu)形式,即N溝道型和P溝道型,結(jié)構(gòu)不一樣,使用的電壓極性也會不一樣,因此,在確定選擇哪種產(chǎn)品前,首先需要確定采用N溝道還是P溝道MOS管。
2022-11-16 15:12:19
2278 
1000-1140nm這一段短波紅外下比N型稍差。
右圖是J-V曲線圖,比較直觀的表現(xiàn)了兩款電池的性能。
開路電壓Voc(V),N/0.7514,P/0.7513區(qū)別極小,短路電流Isc(mA
2022-11-29 11:30:46
923 在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是上P下N,以及上N下P。其原理圖如下所示,
2023-02-02 09:12:13
1014 在介紹MOSFET之前,我們先來了解一下FET的工作原理。FET又叫做場效應(yīng)管,有N溝道和P溝道兩種(溝道就是其中載流子流過的通道)
2023-02-06 14:20:11
3520 
所謂的 H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡單的 H 橋電路,它由 2 個 P 型場效應(yīng)管 Q1、Q2 與 2 個 N 型場效應(yīng)管 Q3、Q3 組成,所以它叫 P-NMOS 管 H 橋。
2023-02-17 14:02:53
5555 
在介紹MOSFET之前,我們先來了解一下FET的工作原理。FET又叫做場效應(yīng)管,有N溝道和P溝道兩種(溝道就是其中載流子流過的通道),
2023-02-20 14:57:46
1028 
在介紹MOSFET之前,我們先來了解一下FET的工作原理。FET又叫做場效應(yīng)管,有N溝道和P溝道兩種(溝道就是其中載流子流過的通道),
2023-02-20 14:57:54
1426 
在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。 推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是上P下N,以及上N下P。 其原理圖如下所示。
2023-03-13 14:04:23
29146 
當(dāng)輸入信號的高電平低于電源電壓時,這意味著上N管的CE節(jié)將會承受較高的電壓。這也就意味著上管將有著發(fā)熱壞的風(fēng)險。
2023-04-01 11:46:39
688 N0400P 數(shù)據(jù)表
2023-04-14 19:05:54
0 N0100P 數(shù)據(jù)表
2023-04-19 20:12:58
0 N0301P 數(shù)據(jù)表
2023-04-19 20:13:10
0 N0302P 數(shù)據(jù)表
2023-04-19 20:13:30
0 N0300P 數(shù)據(jù)表
2023-04-21 19:27:20
0 在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:上P下N,上N下P。其原理圖分別如下所示。
2023-05-17 09:33:59
2916 
在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是上P下N,以及上N下P。
2023-05-23 18:20:19
3435 
mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場效應(yīng)晶體管,分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門極結(jié)色散等方面。 一
2023-08-25 15:11:25
18495 場效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場效應(yīng)管是一種常見的半導(dǎo)體器件,可以用于電子器件中的信號放大、開關(guān)等應(yīng)用。場效應(yīng)管有兩種類型:n溝道型(n-channel)和p溝道型(p-channel),它們
2023-09-02 10:05:17
14759 N0400P 數(shù)據(jù)表
2023-09-20 18:31:29
0 柵極型推挽電路為什么不用上P下N
2023-12-07 16:11:07
7013 
p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分? 區(qū)分p溝道和n溝道的關(guān)鍵在于材料的雜質(zhì)摻入和本征類型。在材料中摻入不同類型的雜質(zhì)能夠改變材料的導(dǎo)電性質(zhì),從而使其成為p溝道或n溝道。 首先,讓我們來了
2023-11-23 09:13:42
6067 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型,場效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對n溝道MOS管
2023-12-28 15:28:28
25083 
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型,場效應(yīng)晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:15
15366 
3p+n漏電保護(hù)器和4p漏電保護(hù)器哪種好?功能、安全及應(yīng)用剖析 3P+N漏電保護(hù)器和4P漏電保護(hù)器是現(xiàn)代電力配電系統(tǒng)中常見的兩種漏電保護(hù)設(shè)備。它們在功能、安全性以及應(yīng)用方面各有特點。 首先,我們需要
2024-02-01 16:37:59
15710 N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:18
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碲鎘汞(HgCdTe,MCT)紅外焦平面器件結(jié)構(gòu)包括本征汞空位摻雜n-on-p、非本征摻雜n-on-p、n-on-p臺面結(jié)器件、n?/p高密度垂直集成光電器件(HDVIP)、As離子注入p-on-n平面結(jié)、原位As摻雜p-on-n臺面結(jié)、非平衡全耗盡p-π(ν)-n以及nBn 器件等。
2024-05-24 09:31:49
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N型和P型TOPCon(隧道氧化物鈍化接觸)是太陽能電池領(lǐng)域中兩種不同的技術(shù),它們在材料、結(jié)構(gòu)和性能方面存在一些差異。以下是對這兩種技術(shù)的介紹。 材料差異 N型TOPCon和P型TOPCon的主要
2024-08-08 09:23:37
4388 光伏電池是將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的設(shè)備,其核心部分是半導(dǎo)體材料。根據(jù)半導(dǎo)體材料的類型,光伏電池可以分為n型和p型兩種。 一、n型和p型光伏電池的區(qū)別 材料類型不同 n型光伏電池使用的是n型半導(dǎo)體材料,如
2024-08-08 09:25:02
8209 光伏組件是太陽能發(fā)電系統(tǒng)的核心部件,其性能和質(zhì)量直接影響到整個系統(tǒng)的發(fā)電效率和使用壽命。光伏組件主要分為P型和N型兩種,它們在材料、生產(chǎn)工藝、性能等方面都存在一定的差異。 一、P型和N型光伏組件
2024-08-08 09:26:44
16387 場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor, FET)的N溝道和P溝道是其兩種主要類型,它們在導(dǎo)電機(jī)制、結(jié)構(gòu)特點、工作原理及應(yīng)用場景上存在顯著差異。要準(zhǔn)確判斷一個場效應(yīng)管是N溝道還是P
2024-08-13 17:08:17
6103 P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體是半導(dǎo)體材料的兩種基本類型,它們在電子器件中具有廣泛的應(yīng)用。 定義 P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體都是由半導(dǎo)體材料制成的,它們的主要區(qū)別在于摻雜元素的不同。P型半導(dǎo)體是指在半導(dǎo)體材料
2024-08-16 11:22:10
18432 , P-Channel FET)是場效應(yīng)管(Field Effect Transistor, FET)的兩種基本類型,它們在導(dǎo)電機(jī)制、極性、驅(qū)動電壓、導(dǎo)通電阻、噪聲特性、溫度特性以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在顯著差異。以下是對這兩種場效應(yīng)管區(qū)別的詳細(xì)闡述:
2024-09-23 16:38:29
7181 6P1單端與6P1推挽在電子管功放領(lǐng)域中確實存在顯著的區(qū)別,這些區(qū)別主要體現(xiàn)在電路結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點以及適用場景等方面。以下是對兩者的比較: 一、電路結(jié)構(gòu) 6P1單端 單端電路是指僅使用一個
2024-10-09 17:33:49
4998 MOS管在電路設(shè)計中是比較常見的,按照驅(qū)動方式來分的話,有兩種,即:N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三極管的驅(qū)動方式有點類似,但又不完全相同,那么今天筆者將會給大家簡單介紹一下N-MOS管
2025-03-14 19:33:50
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01 導(dǎo)率型號的符號上去的, 表示電導(dǎo)型號的符號上的, 用來表示摻雜水平。 - 和 P ?表示具有比臨近區(qū)域更 摻雜水平的N和P層N+ 和 pr 表示具有比臨近區(qū)域更 摻雜水平的N和P層 02 N
2025-12-26 14:20:01
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