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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>推挽電路兩種模型詳解:上P下N、上N下P

推挽電路兩種模型詳解:上P下N、上N下P

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2023-02-17 14:02:535555

簡述MOSFET基本原理(

在介紹MOSFET之前,我們先來了解一FET的工作原理。FET又叫做場效應(yīng)管,有N溝道和P溝道兩種(溝道就是其中載流子流過的通道),
2023-02-20 14:57:461028

簡述MOSFET基本原理(

在介紹MOSFET之前,我們先來了解一FET的工作原理。FET又叫做場效應(yīng)管,有N溝道和P溝道兩種(溝道就是其中載流子流過的通道),
2023-02-20 14:57:541426

一文詳解推挽電路

在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。 推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是PN,以及NP。 其原理圖如下所示。
2023-03-13 14:04:2329146

柵極型推挽電路不用上PN的原因

當(dāng)輸入信號的高電平低于電源電壓時,這意味著上N管的CE節(jié)將會承受較高的電壓。這也就意味著上管將有著發(fā)熱壞的風(fēng)險。
2023-04-01 11:46:39688

N0400P 數(shù)據(jù)表

N0400P 數(shù)據(jù)表
2023-04-14 19:05:540

N0100P 數(shù)據(jù)表

N0100P 數(shù)據(jù)表
2023-04-19 20:12:580

N0301P 數(shù)據(jù)表

N0301P 數(shù)據(jù)表
2023-04-19 20:13:100

N0302P 數(shù)據(jù)表

N0302P 數(shù)據(jù)表
2023-04-19 20:13:300

N0300P 數(shù)據(jù)表

N0300P 數(shù)據(jù)表
2023-04-21 19:27:200

推挽電路如何加快控制速度

在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:PNNP。其原理圖分別如下所示。
2023-05-17 09:33:592916

推挽電路原理:“PN”及“NP”的區(qū)別

在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是PN,以及NP。
2023-05-23 18:20:193435

mos管p溝道n溝道的區(qū)別

mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一主流的場效應(yīng)晶體管,分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門極結(jié)色散等方面。 一
2023-08-25 15:11:2518495

場效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道

場效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場效應(yīng)管是一常見的半導(dǎo)體器件,可以用于電子器件中的信號放大、開關(guān)等應(yīng)用。場效應(yīng)管有兩種類型:n溝道型(n-channel)和p溝道型(p-channel),它們
2023-09-02 10:05:1714759

N0400P 數(shù)據(jù)表

N0400P 數(shù)據(jù)表
2023-09-20 18:31:290

柵極型推挽電路為什么不用上PN

柵極型推挽電路為什么不用上PN
2023-12-07 16:11:077013

p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分?

p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分? 區(qū)分p溝道和n溝道的關(guān)鍵在于材料的雜質(zhì)摻入和本征類型。在材料中摻入不同類型的雜質(zhì)能夠改變材料的導(dǎo)電性質(zhì),從而使其成為p溝道或n溝道。 首先,讓我們來了
2023-11-23 09:13:426067

n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管詳解

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型,場效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對n溝道MOS管
2023-12-28 15:28:2825083

N溝道和P溝道怎么區(qū)分

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型,場效應(yīng)晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:1515366

3p+n漏電保護(hù)器和4p漏電保護(hù)器哪種好?功能、安全及應(yīng)用剖析

3p+n漏電保護(hù)器和4p漏電保護(hù)器哪種好?功能、安全及應(yīng)用剖析 3P+N漏電保護(hù)器和4P漏電保護(hù)器是現(xiàn)代電力配電系統(tǒng)中常見的兩種漏電保護(hù)設(shè)備。它們在功能、安全性以及應(yīng)用方面各有特點。 首先,我們需要
2024-02-01 16:37:5915710

什么是N型單導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體

N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:184984

基于VLPE技術(shù)的碲鎘汞p-on-n雙層異質(zhì)結(jié)材料與器件研究進(jìn)展

碲鎘汞(HgCdTe,MCT)紅外焦平面器件結(jié)構(gòu)包括本征汞空位摻雜n-on-p、非本征摻雜n-on-pn-on-p臺面結(jié)器件、n?/p高密度垂直集成光電器件(HDVIP)、As離子注入p-on-n平面結(jié)、原位As摻雜p-on-n臺面結(jié)、非平衡全耗盡p-π(ν)-n以及nBn 器件等。
2024-05-24 09:31:492039

N型和P型TOPCON區(qū)別在哪里

N型和P型TOPCon(隧道氧化物鈍化接觸)是太陽能電池領(lǐng)域中兩種不同的技術(shù),它們在材料、結(jié)構(gòu)和性能方面存在一些差異。以下是對這兩種技術(shù)的介紹。 材料差異 N型TOPCon和P型TOPCon的主要
2024-08-08 09:23:374388

光伏n型和p型怎么分別的

光伏電池是將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的設(shè)備,其核心部分是半導(dǎo)體材料。根據(jù)半導(dǎo)體材料的類型,光伏電池可以分為n型和p兩種。 一、n型和p型光伏電池的區(qū)別 材料類型不同 n型光伏電池使用的是n型半導(dǎo)體材料,如
2024-08-08 09:25:028209

光伏組件怎么區(qū)分p型還是N

光伏組件是太陽能發(fā)電系統(tǒng)的核心部件,其性能和質(zhì)量直接影響到整個系統(tǒng)的發(fā)電效率和使用壽命。光伏組件主要分為P型和N兩種,它們在材料、生產(chǎn)工藝、性能等方面都存在一定的差異。 一、P型和N型光伏組件
2024-08-08 09:26:4416387

場效應(yīng)管N溝道和P溝道怎樣判斷

場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor, FET)的N溝道和P溝道是其兩種主要類型,它們在導(dǎo)電機(jī)制、結(jié)構(gòu)特點、工作原理及應(yīng)用場景存在顯著差異。要準(zhǔn)確判斷一個場效應(yīng)管是N溝道還是P
2024-08-13 17:08:176103

p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體區(qū)別是什么

P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體是半導(dǎo)體材料的兩種基本類型,它們在電子器件中具有廣泛的應(yīng)用。 定義 P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體都是由半導(dǎo)體材料制成的,它們的主要區(qū)別在于摻雜元素的不同。P型半導(dǎo)體是指在半導(dǎo)體材料
2024-08-16 11:22:1018432

N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管有什么區(qū)別

, P-Channel FET)是場效應(yīng)管(Field Effect Transistor, FET)的兩種基本類型,它們在導(dǎo)電機(jī)制、極性、驅(qū)動電壓、導(dǎo)通電阻、噪聲特性、溫度特性以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在顯著差異。以下是對這兩種場效應(yīng)管區(qū)別的詳細(xì)闡述:
2024-09-23 16:38:297181

6p1單端與6p1推挽有區(qū)別嗎

6P1單端與6P1推挽在電子管功放領(lǐng)域中確實存在顯著的區(qū)別,這些區(qū)別主要體現(xiàn)在電路結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點以及適用場景等方面。以下是對者的比較: 一、電路結(jié)構(gòu) 6P1單端 單端電路是指僅使用一個
2024-10-09 17:33:494998

電氣符號傻傻分不清?一個N-MOS管和P-MOS管驅(qū)動應(yīng)用實例

MOS管在電路設(shè)計中是比較常見的,按照驅(qū)動方式來分的話,有兩種,即:N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三極管的驅(qū)動方式有點類似,但又不完全相同,那么今天筆者將會給大家簡單介紹一N-MOS管
2025-03-14 19:33:508058

功率半導(dǎo)體的NP摻雜濃度技術(shù)探討

01 導(dǎo)率型號的符號上去的, 表示電導(dǎo)型號的符號的, 用來表示摻雜水平。 - 和 P ?表示具有比臨近區(qū)域更 摻雜水平的NPN+ 和 pr 表示具有比臨近區(qū)域更 摻雜水平的NP層 02 N
2025-12-26 14:20:0180

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