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晶體管損壞后怎樣改換
- 晶體管(134506)
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8050晶體管介紹 8050晶體管的工作原理
8050晶體管是一種小型設(shè)備，用于引導(dǎo)便攜式無線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數(shù)字名稱，以便更容易識別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
晶體管ON時的逆向電流
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管Ⅴbe擴散現(xiàn)象是什么？
晶體管并聯(lián)時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管使用的判定方法
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測定實際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對最大額定值？3. 是否在SOA范圍內(nèi)？4. 在使用環(huán)境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內(nèi)
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類及參數(shù)
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)測量技術(shù)報告
晶體管參數(shù)測量技術(shù)報告摘 要晶體管的參數(shù)是用來表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
晶體管可以作為開關(guān)使用！
），常常會引起晶體管的損壞。為解決這個問題，通常在電動機和繼電器線圈上并聯(lián)一個反向二極管，當晶體管關(guān)斷時，此二極管可以吸收感應(yīng)反電動勢所產(chǎn)生的電流。本文選自微信號：機械工業(yè)出版社E視界練習(xí)題：如圖所示
2017-03-28 15:54:24
晶體管和FET實用設(shè)計教材《晶體管電路設(shè)計(下)》
` 《晶體管電路設(shè)計（下）》是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計技術(shù)的基礎(chǔ)知識和基本實驗，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀的設(shè)計與制作資料分享
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶體管性能的檢測
的電阻值接近0，則說明其C、E極間已擊穿損壞。若晶體管C、E極之間的電阻值隨著管殼溫度的增高而變小許多，則說明該管的熱穩(wěn)定性不良。也可以用晶體管直流參數(shù)測試表的ICEO檔來測量晶體管的反向擊穿電流。測試
2012-04-26 17:06:32
晶體管放大倍數(shù)
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
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晶體管晶圓芯片
供應(yīng)晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管溫控電路圖
晶體管溫控電路圖如圖是晶體管組成的繼電器延時吸合電路。剛接通電源時，16μF電容上電壓為零，兩個三極管都截止，繼電器不動作。隨著16μF電容的充電，過一段時間后，其上電壓達到高電平，兩個三極管都導(dǎo)通，繼電器延時吸合。延時時間可達60s。延時的時間長短可通過10MΩ電阻來調(diào)節(jié)。
2008-11-07 20:36:15
晶體管電路設(shè)計
從事電子設(shè)計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計（上）放大電路技術(shù)的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
晶體管的主要參數(shù)
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對交流（變化）信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的代表形狀
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
晶體管的分類與特征
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
晶體管的分類與特征
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
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現(xiàn)代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時發(fā)生損壞的缺點，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-07-23 00:07:18
晶體管的開關(guān)作用有哪些？
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
晶體管的由來
現(xiàn)代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時發(fā)生損壞的缺點，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
晶體管的結(jié)構(gòu)特性
晶體管的基極電流發(fā)生變化時，其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后，若從基極加入一個較小的信號，則其集電極將會輸出一個較大的信號。 晶體管的基本工作條件是發(fā)射結(jié)（B、E極之間）要加上
2013-08-17 14:24:32
晶體管的選用經(jīng)驗
/2N5551、S8050/S8550等型號。選用時應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路具體要求而定。 后級功率放大電路中使用的互補推挽對管，應(yīng)選用大電流、大功率、低噪聲晶體管，其耗散功率為100~200W，集電極最大電流為
2012-01-28 11:27:38
晶體管的飽和狀態(tài)和飽和壓降
”現(xiàn)象。這就是因輸入信號的幅值太高，晶體管進入飽和區(qū)后，對信號失去放大作用，同時對信號產(chǎn)生限幅作用后的結(jié)果。由此可得出第一個問題的答案：隨著基極電流的增加，晶體管的工作狀態(tài)將由放大區(qū)向飽和區(qū)過渡，當
2012-02-13 01:14:04
晶體管相關(guān)資料下載
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
晶體管簡介
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
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IGBT絕緣柵雙極晶體管
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
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MOS管與場效應(yīng)晶體管背后的聯(lián)系，看完后就全明白了
`電子元器件行業(yè)有今天的成就，那絕離不開MOS管與場效應(yīng)晶體管的鼎力相助，但是一些剛?cè)腚娮有袠I(yè)的常常把MOS管與場效應(yīng)晶體管混為一談，到底MOS管和場效應(yīng)晶體管兩者背后到底有何聯(lián)系？這對于初學(xué)者來說
2019-04-15 12:04:44
Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
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PNP晶體管的工作原理，如何識別PNP晶體管
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
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2019-06-26 07:11:37
SGNE045MK晶體管
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
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[原創(chuàng)] 晶體管（transistor）
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能
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multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
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電流密切相關(guān)。晶體管的實際功耗在使用時不允許超過PCM值，否則，晶體管會因過載而損壞。耗散功率PCM小于1W的晶體管通常稱為低功率晶體管，等于或大于1W。小于5W的晶體管稱為中等功率晶體管，PCM等于或
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目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
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本文探討了鰭式場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們在各種應(yīng)用中的用途，以及它們相對于 MOSFET 的優(yōu)缺點?！ ∈裁词泅捠綀鲂?yīng)晶體管？ 鰭式場效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管，它是一個放大器和一個
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PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
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ULN2003是什么？ULN2003的主要特點是什么？ULN2003達林頓晶體管集成電路有哪些應(yīng)用？怎樣去設(shè)計一種ULN2003達林頓晶體管集成電路？
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單結(jié)晶體管仿真
做了一個單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個問題請教于各位高手。1：開關(guān)初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關(guān)打開，點擊仿真后，點擊開關(guān)閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
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單結(jié)晶體管仿真
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雙極性晶體管的基本原理是什么？
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
場效應(yīng)管是一種什么元件而晶體管是什么元件
功率。耗散功率與晶體管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有密切關(guān)系。晶體管在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成晶體管因過載而損壞。通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管，PCM
2012-07-11 11:36:52
基本晶體管開關(guān)電路，使用晶體管開關(guān)的關(guān)鍵要點
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如何改善晶體管的損耗
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
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射頻功率晶體管究竟有多耐用？
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
常用晶體管的高頻與低頻型號是什么？
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
數(shù)字晶體管的原理
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?！鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
數(shù)字晶體管的原理
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
概述晶體管
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好？
換向故障損壞?？傊?，與用于LLC拓撲應(yīng)用的Si和SiC晶體管相比，GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價值。
2023-02-27 09:37:29
電子管與晶體管在結(jié)構(gòu)和應(yīng)用上的區(qū)別
如果說起來，電子管也算得上是晶體管的“前輩”了。但是，如今電子管在電子電路設(shè)計領(lǐng)域中的地位已經(jīng)漸漸地被晶體管所取代，只有在少數(shù)對于音頻質(zhì)量有著極高要求的產(chǎn)品中，才會出現(xiàn)電子管的身影。那么晶體管
2016-01-26 16:52:08
請問有沒有Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫以外更多晶體管模型下載？
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
防止開關(guān)晶體管損壞的措施
工作于開關(guān)狀態(tài)的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產(chǎn)生瞬態(tài)過電流和瞬態(tài)過電壓，這種現(xiàn)象稱為電應(yīng)力。電應(yīng)力的本質(zhì)是瞬時功耗的集中。這種電壓和電流過沖形成的尖峰和毛刺，很容易損壞
2020-11-26 17:26:39
如何防止開關(guān)晶體管的損壞
工作于開關(guān)狀態(tài)的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產(chǎn)生瞬態(tài)過電流和瞬態(tài)過電壓，這種現(xiàn)象稱為電應(yīng)力。電應(yīng)力的本質(zhì)是瞬時功耗的集中。這種電壓和電流過沖形成的尖峰和毛刺，很容易損壞
2021-03-21 15:40:51
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如何避免晶體管損壞？
如何避免晶體管損壞？ 晶體管是半導(dǎo)體器件的一種，應(yīng)用廣泛，可以在計算機、電視、手機等各種設(shè)備中使用。晶體管工作時非常穩(wěn)定，但是如果不注意使用、維護，很容易損壞。下面為您介紹幾種避免晶體管損壞的方法
2023-10-31 10:37:46383
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