多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
發(fā)表于 09-15 15:31
電荷泵技術(shù)(Charge Pumping)經(jīng)過四十多年的發(fā)展,通過測量MOS 晶體管中的界面電荷,已成為測量和表征 MOS 器件界面性質(zhì)的最有效、最可靠,并被廣泛接受的技術(shù)。
發(fā)表于 08-05 11:51
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CMOS傳感器:光與電的精密舞蹈CMOS傳感器是利用半導(dǎo)體工藝將光子轉(zhuǎn)換為電荷的光電轉(zhuǎn)換器件。光電轉(zhuǎn)換過程:光電二極管陣列捕獲光子→生成電子電荷→MOS晶體管轉(zhuǎn)換為電壓信號→ADC輸出數(shù)字圖像。CMOS傳感器憑借其低功耗、高集成
發(fā)表于 07-04 09:29
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多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
發(fā)表于 04-15 10:24
開關(guān)電路的設(shè)計,F(xiàn)ET開關(guān)電路的設(shè)計,功率MOS電動機(jī)驅(qū)動電路,功率MOS開關(guān)電源的設(shè)計,進(jìn)晶體管開關(guān)電源的設(shè)計,模擬開關(guān)電路的設(shè)計,振蕩電路的設(shè)計,F(xiàn)M無線話筒的設(shè)計,
發(fā)表于 04-14 17:24
框架的 SO8 封裝,還可以實(shí)現(xiàn)高電流水平,從而將 Rth(j-amb) 降至約 40 °C/W。該器件使用內(nèi)部 P 溝道 D-MOS 晶體管(典型 Rdson 為 250 mΩ)作為開關(guān)元件,以最大限度地減小外部元件的尺寸。
發(fā)表于 04-01 16:26
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器件使用內(nèi)部 P 溝道 D-MOS 晶體管 (典型 Rdson 為 250mΩ) 作為開關(guān)元件,以減小外部元件的尺寸。
發(fā)表于 04-01 15:14
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柵極(Gate)是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu),位于源極(Source)和漏極(Drain)之間。其功能類似于“開關(guān)”,通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如,在MOS管中,柵極電壓的變化會在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道,從而調(diào)節(jié)電流的導(dǎo)
發(fā)表于 03-12 17:33
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,晶體管開關(guān)電路的設(shè)計,F(xiàn)ET開關(guān)電路的設(shè)計,功率MOS電動機(jī)驅(qū)動電路,功率MOS開關(guān)電源的設(shè)計,晶體管開關(guān)電源的設(shè)計,模擬開關(guān)電路的設(shè)計,振蕩電路的設(shè)計,F(xiàn)M無線話筒的制作等。
發(fā)表于 03-07 13:55
如何測試晶體管的性能 晶體管是電子電路中的基本組件,其性能測試對于確保電路的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下是測試晶體管性能的一些基本步驟和方法: 1. 外觀檢查 外觀檢查 :檢查晶體管的
發(fā)表于 12-03 09:52
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晶體管電流放大器的原理 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,能夠?qū)﹄娏鬟M(jìn)行控制和放大。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。PN結(jié)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成,它們在接觸時形成一個勢壘,阻止電流通過。當(dāng)在
發(fā)表于 12-03 09:50
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晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件,它們在數(shù)字電路中扮演著至關(guān)重要的角色。了解如何診斷和維修晶體管故障對于電子工程師和技術(shù)人員來說是一項(xiàng)基本技能。 一、晶體管在數(shù)字電路中的作用 開關(guān)功能 :
發(fā)表于 12-03 09:46
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晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 : 晶體管 :晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
發(fā)表于 12-03 09:42
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理想的MOS晶體管不應(yīng)該有任何電流流入襯底或者阱中,當(dāng)晶體管關(guān)閉的時候DS之間不應(yīng)該存在任何的電流。但是,現(xiàn)實(shí)中MOS卻存在各種不同的漏電流。漏電流一方面嚴(yán)重減小了低功耗設(shè)備的電池使用
發(fā)表于 11-19 09:14
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MOS管的閾值電壓(Threshold Voltage)是一個至關(guān)重要的參數(shù),它決定了
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)
晶體管)的導(dǎo)通與截止?fàn)?/div>
發(fā)表于 10-29 18:01
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