在測(cè)試電路的設(shè)計(jì)中，對(duì)電阻的選擇要慎重。在模塊A、B、C中由于有可變電位器的存在，如果其他電阻選擇不適當(dāng)容易造成電路的燒毀，尤其是模塊A和B中的可變電位器的選擇對(duì)測(cè)試各種電壓的精度影響很大。本電路中兩個(gè)可變電位器都是1K/10圈的，精度較高。模塊C中的MOSFET的選擇要注意其工作電流范圍，在測(cè)試需要用到的電流只有兩個(gè)級(jí)別，一個(gè)是零點(diǎn)幾個(gè)微安，一個(gè)是幾十微安，因此一般要求能提供微安級(jí)以下的電流。另外，電源的穩(wěn)定度對(duì)整個(gè)IC測(cè)試參數(shù)的影響很大，因此，在測(cè)試時(shí)盡量使用穩(wěn)定性好的電源。

　　本設(shè)計(jì)的特點(diǎn)

　　本設(shè)計(jì)有以下三個(gè)特點(diǎn)。

　　● 在測(cè)試IC過(guò)充、過(guò)放和過(guò)流的延遲時(shí)利用開(kāi)關(guān)將電阻短路或開(kāi)路來(lái)實(shí)現(xiàn)電路電源的突變，并且利用示波器同時(shí)抓電源和OC、OD跳變波形圖來(lái)測(cè)量延遲時(shí)間。

　　● 為了實(shí)現(xiàn)測(cè)試OC、OD高、低電平時(shí)向引腳吸、灌電流，本電路用MOSFET做了兩個(gè)簡(jiǎn)單的微電流源，選用的MOSFET型號(hào)為T(mén)N0201T，利用柵級(jí)電壓控制漏、源級(jí)電流，以漏、源級(jí)電流為電流源，精度可以達(dá)到0.1μA，基本可以滿(mǎn)足測(cè)試的需要。

　　● 測(cè)試過(guò)流保護(hù)電壓時(shí)，即測(cè)試使OD引腳從高電平跳變?yōu)榈碗娖降腃S引腳電壓。短流保護(hù)電壓遠(yuǎn)高于過(guò)流保護(hù)電壓，當(dāng)電壓達(dá)到過(guò)流保護(hù)電壓時(shí)電路已經(jīng)發(fā)生跳變，OD輸出一直為低電平，因此常規(guī)方法無(wú)法測(cè)試出短流保護(hù)電壓，于是，本文采用了一種間接的近似測(cè)試方法。IC對(duì)過(guò)電流保護(hù)的延遲時(shí)間大概為幾個(gè)到十幾個(gè)毫秒，而短流延遲時(shí)間則大概為十幾個(gè)微秒，因此可以根據(jù)過(guò)流延遲時(shí)間與短流延遲時(shí)間的不同來(lái)近似測(cè)試短流保護(hù)電壓。此參數(shù)使用專(zhuān)用的鋰電池保護(hù)板測(cè)試儀也無(wú)法測(cè)出。

　　本測(cè)試電路也存在一些不足。一是對(duì)IC測(cè)試的精度與電源穩(wěn)定度、電表精度有關(guān)，其中，對(duì)各種電壓測(cè)試的精度還與可變電位器的精度有關(guān);二是短流保護(hù)電壓測(cè)得的是近似值。

　　總結(jié)

　　雖然目前市場(chǎng)上有很多鋰電池保護(hù)板測(cè)試儀，但價(jià)格昂貴，并且測(cè)試參數(shù)固定，不能滿(mǎn)足實(shí)際測(cè)試的需要。在實(shí)際的應(yīng)用中，客戶(hù)最注重的鋰電池保護(hù)IC的幾個(gè)主要參數(shù)為：過(guò)充、過(guò)放和過(guò)流保護(hù)電壓、靜態(tài)工作電流和斷電電流、過(guò)充、過(guò)放和過(guò)流保護(hù)延遲，以及OD、OC引腳的輸出高、低電平。本文提供的測(cè)試方法可以很精確地測(cè)出上述參數(shù)，已經(jīng)超出了鋰電池保護(hù)板測(cè)試儀所能測(cè)試的參數(shù)。因此，在一些對(duì)鋰電池保護(hù)IC參數(shù)要求很全面或條件比較受限制的場(chǎng)合，本文提供的測(cè)試電路和測(cè)試方法是一種較好的選擇。

　　上述測(cè)試電路和測(cè)試方法已經(jīng)投入使用，現(xiàn)已成功測(cè)試千余片鋰電池保護(hù)IC.從測(cè)試結(jié)果來(lái)看，除了短流保護(hù)電壓是近似測(cè)試以外，其余參數(shù)測(cè)試都與專(zhuān)用的測(cè)試儀器測(cè)量的結(jié)果非常吻合;從客戶(hù)反映情況來(lái)看，該測(cè)試電路測(cè)出的參數(shù)準(zhǔn)確，能滿(mǎn)足客戶(hù)需要。由于本測(cè)試電路沒(méi)有封裝(加外殼)，可以根據(jù)客戶(hù)的需要增加適當(dāng)電路測(cè)試出更多參數(shù)(如本文中提到的測(cè)試MOSFET漏電流大小)。