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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>抗蝕劑涂層方法的詳細(xì)說明

抗蝕劑涂層方法的詳細(xì)說明

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堿性濕法蝕刻的評價及應(yīng)用

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2022-02-09 15:25:401116

采用雙層法去除負(fù)光刻膠

本文提出了一種新型的雙層光阻方法來減少負(fù)光阻浮渣。選擇正光刻膠作為底層,選擇負(fù)光刻膠作為頂層膠。研究了底層的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明,低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:231451

詳解無臭氧剝離工藝

近年來,光掩模剝離和清潔技術(shù)的發(fā)展主要是由于行業(yè)需要通過從這些過程中消除硫酸和氫氧化銨來防止表面霧霾的形成。因此,傳統(tǒng)的 SPM (H2SO4 + H2O2) 被臭氧水 (DIO3) 取代
2022-03-30 14:32:311109

通過光敏的濕蝕刻滲透

的各向同性濕法蝕刻條件相比,由于非常高的各向異性,反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此,當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時,使用光敏的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示,以及評估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-06 13:29:191222

通過光敏的濕蝕刻滲透研究

的各向同性濕法蝕刻條件相比,由于非常高的各向異性,反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此,當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時,使用光敏的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示,以及評估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-22 14:04:191138

光致剝離和清洗對器件性能的影響

退火后對結(jié)特性的剝離和清潔對于實現(xiàn)預(yù)期和一致的器件性能至關(guān)重要,發(fā)現(xiàn)光致剝離和清洗會導(dǎo)致:結(jié)蝕刻、摻雜漂白和結(jié)氧化,植入條件可以增強(qiáng)這些效應(yīng),令人驚訝的是,剝離和清潔也會影響摻雜分布,并且
2022-05-06 15:55:47885

光刻膠剝離工藝的基本原理

雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如)掩模對襯底的全表面涂層進(jìn)行部分腐蝕來完成的,但是在剝離過程中,材料僅沉積在不受掩模保護(hù)的位置。本文章描述了獲得合適的掩模的要求、涂層方面的問題,以及最終去除其沉積材料的掩模。
2022-05-12 15:42:443519

鍺基襯底剝離工藝研究

具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性,最近受到了先進(jìn)技術(shù)節(jié)點的關(guān)注。對于Ge或GeOI CMOS,必須確定Ge專用的剝離工藝,因為鍺
2022-05-25 16:43:16983

芯片制造中的反射涂層介紹

本文介紹了用反射涂層來保證光刻精度的原理。
2025-04-19 15:49:282564

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