雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進(jìn)行部分腐蝕來完成的,但是在剝離過程中,材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護(hù)的位置。本章描述了獲得合適的抗蝕劑掩模的要求、涂層方面的問題,以及最終去除其上沉積有材料的抗蝕劑掩模。
2022-07-12 14:20:54
3071 
`產(chǎn)品名稱:樹脂粉末涂層銅排產(chǎn)品特性:防燃、導(dǎo)電、耐壓、防蝕等制作工藝:切割、彎折、沖壓產(chǎn)品規(guī)格:按圖紙設(shè)計定制表面處理:外層可鍍錫、鍍銀、鍍鎳產(chǎn)品說明銅排涂塑技術(shù)采用特殊的工藝及專用設(shè)備將粉末涂料
2018-09-05 17:11:25
STM32F030_KEY詳細(xì)配置說明本文詳細(xì)說明STM32f030_KEY的配置,GPIO相關(guān)寄存器的配置和功能的說明在上一節(jié)STM32F030_LED的文檔已經(jīng)說明。1、概述
2021-08-09 08:07:17
AD10生成gerber文件的詳細(xì)說明:
2015-05-12 16:03:21
目錄Arduino實踐詳細(xì)說明(三)L298N驅(qū)動直流電機(jī)L298N說明接口說明正反轉(zhuǎn)及調(diào)速說明接線說明方法一方法二源代碼最后Arduino實踐詳細(xì)說明(三)L298N驅(qū)動直流電機(jī)本實驗
2021-06-29 08:06:19
hi,all
? ? ? ? 硬件平臺:6678,軟件平臺:CCS5.4
? ? ? ? 在CCS5中,怎么查看匯編指令的詳細(xì)說明?
? ? ? ? 在CCS3.3中,可以通過help->
2018-06-21 13:41:41
到什么地方怎樣找。比如我需要F28335的SCI的詳細(xì)說明,我需要F28335的I2C的詳細(xì)說明(具體到工作原理的細(xì)節(jié),每一個寄存器每一個位的說明),不一定要中文的,英文的也可以,請問這樣的文檔我應(yīng)該怎么找
2020-06-10 15:31:39
MCKIT - 需要單個分流方法的更詳細(xì)說明/文檔以上來自于谷歌翻譯以下為原文 MCKIT - more detailed explanation / documentation for single shunt method required
2019-05-06 15:01:44
PCB布線經(jīng)驗詳細(xì)說明,你值得擁有
2013-07-18 18:14:04
50Mhz來驅(qū)動網(wǎng)口正常工作,也可以用MCO1。這里的詳細(xì)倍頻分頻選擇網(wǎng)口模塊的配置再詳細(xì)說明。不需要MCO輸出頻
2021-08-03 06:23:20
hex文件格式詳細(xì)說明
2013-11-13 12:36:55
hex文件格式詳細(xì)說明
2013-11-13 12:37:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 編輯
spi總線協(xié)議詳細(xì)說明
2012-08-18 21:28:31
stc下載燒錄詳細(xì)說明
2014-01-05 16:28:30
一下,找到了一篇關(guān)于sleep的詳細(xì)說明文章,現(xiàn)收集下來以便以后查詢!在執(zhí)行SLEEP指令后進(jìn)入睡眠省電模式。進(jìn)入SLEEP模式后,主振蕩停止,如果看門狗在燒寫時打開了,看門狗定時器將...
2021-11-24 06:45:22
那個老師詳細(xì)說明一下,這個電路圖,越詳細(xì)越好。謝謝
2020-04-07 19:41:56
程序里開啟了WIFI的相關(guān)功能和配置,并沒有對menuconfig進(jìn)行相關(guān)設(shè)置是否會影響程序運行?還有,哪里可以找到menuconfig配置的詳細(xì)說明?
2023-03-03 08:03:24
高的清晰圖 像。本章所述內(nèi)容為后一種方法。 光化學(xué)圖像轉(zhuǎn)移需要使用光致抗蝕劑,下面介紹有關(guān)光致抗蝕劑的一些基本知識 1
2010-03-09 16:22:39
是否應(yīng)該使用均方根(rms)功率單位來詳細(xì)說明或描述與我的信號、系統(tǒng)或器件相關(guān)的交流功率?
2021-01-06 07:36:57
求3525電路詳細(xì)說明,越詳細(xì)越好,謝謝!
2012-04-18 08:21:14
程序里開啟了WIFI的相關(guān)功能和配置,并沒有對menuconfig進(jìn)行相關(guān)設(shè)置是否會影響程序運行?還有,哪里可以找到menuconfig配置的詳細(xì)說明?
2023-03-08 06:09:27
電柜連接銅排載流量 大電流導(dǎo)電涂層銅排產(chǎn)品簡介:環(huán)氧樹脂涂層銅排是在工廠生產(chǎn)條件下,采用靜電噴涂方法,將環(huán)氧樹脂粉末噴涂在紫銅銅排表面生產(chǎn)的一種具有涂層的銅排。產(chǎn)品說明o環(huán)氧樹脂涂層銅排是在工廠
2020-07-04 08:01:01
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是電子管的代換資料詳細(xì)說明。
2023-09-26 07:24:46
`絕緣異形環(huán)氧樹脂涂層銅排詳細(xì)說明:銅排是一種大電流導(dǎo)電產(chǎn)品,適用于高低壓電器、開關(guān)觸頭、配電設(shè)備、母線槽等電器工程,也廣泛用于金屬冶煉、電化電鍍、化工燒堿等超大電流電解冶煉工程。我們供應(yīng)的電工銅排
2017-12-14 11:09:23
我在網(wǎng)上包括controlsuite里面都沒有找到關(guān)于 28035LIN模塊的詳細(xì)說明,比如寄存器操作(每個寄存器里面都是什么內(nèi)容)之類的,麻煩給我鏈接!
2018-11-23 09:46:40
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-22 10:07 編輯
求OMAPL138的外設(shè)寄存器詳細(xì)說明
2018-06-21 09:16:42
Linux_內(nèi)核詳細(xì)說明
2009-03-28 09:46:51
35 VxWorks設(shè)備驅(qū)動介紹 (詳細(xì)說明)
2009-03-28 09:53:22
27 SDRAM設(shè)計詳細(xì)說明
完成SDRAM的上層驅(qū)動設(shè)計,對SDRAM讀寫、管理無誤,與其他模塊的接口正確。
口令:MMCTEAM
SDRAM的工作原理
2010-04-22 14:02:57
0 圖形轉(zhuǎn)移就是將照相底版圖形轉(zhuǎn)移到敷銅箔基材上,是PCB制造工藝中重要的一環(huán),其工藝方法有很多,如絲網(wǎng)印刷圖形轉(zhuǎn)移工藝、干膜圖形轉(zhuǎn)移工藝、液態(tài)光致抗蝕劑圖形轉(zhuǎn)
2010-10-25 16:29:58
841 CATIA V5安裝詳細(xì)說明
2011-01-22 18:18:05
0 iic總線的詳細(xì)說明,協(xié)議說明,教程,學(xué)習(xí)
2015-11-16 19:05:14
0 SPI接口詳細(xì)說明
2016-12-23 02:11:24
8 環(huán)網(wǎng)光端機(jī)使用詳細(xì)說明書
2016-12-29 11:29:51
0 八種常見汽車懸掛系統(tǒng)詳細(xì)說明
2017-01-19 21:15:01
17 本文主要介紹集成電路加工-光刻技術(shù)與光刻膠。集成電路加工主要設(shè)備和材料:光刻設(shè)備,半導(dǎo)體材料:單晶硅等,掩膜,化學(xué)品:光刻膠(光致抗蝕劑),超高純試劑,封裝材料及光刻機(jī)的介紹
2017-09-29 16:59:02
18 現(xiàn)在,抗蝕劑的涂布方法根據(jù)電路圖形的精密度和產(chǎn)量分為以下三種方法:絲網(wǎng)漏印法、干膜/感光法、液態(tài)抗蝕劑感光法
2018-03-19 11:43:02
5599 接收卡升級的詳細(xì)說明概述圖文詳解
2018-05-19 11:36:00
27000 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是51單片機(jī)經(jīng)常會出現(xiàn)的4點錯誤解決方法詳細(xì)說明。
2019-09-06 17:26:00
1 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是在Windows系統(tǒng)下使用STC ISP下載51單片機(jī)程序的方法詳細(xì)說明。
2019-08-30 17:28:00
0 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是Matlab圖形繪制經(jīng)典案例詳細(xì)說明資料免費下載。
2019-08-01 17:21:50
7 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是Keil編譯的常見錯誤詳細(xì)說明。
2019-09-30 17:28:42
23 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是SQL的常用命令使用方法詳細(xì)說明
2019-10-12 16:21:10
12 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是SQL的經(jīng)典語句用法詳細(xì)說明資料免費下載
2019-10-22 16:11:39
5 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是NET經(jīng)常使用的DbHelperSQL詳細(xì)說明。
2019-10-29 15:50:50
6 DLL在LabVIEW和VC環(huán)境下的使用教程詳細(xì)說明
2019-11-19 08:00:00
9 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是使用Cmake配置opencv的教程詳細(xì)說明
2019-11-21 14:09:37
4 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是提高LabVIEW開發(fā)速度的方法有哪些25個技巧詳細(xì)說明。
2019-12-04 17:29:49
20 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是SD存儲卡的AD封裝詳細(xì)說明。
2019-12-19 08:00:00
0 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是Altium Designer版本14.2的發(fā)行說明詳細(xì)說明。
2019-12-23 08:00:00
0 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是RTD系列板卡電腦升級操作方法詳細(xì)說明
2020-01-08 15:54:41
8 STM32內(nèi)部RAM在線調(diào)試配置方法及詳細(xì)說明(基于Keil開發(fā)工具)
2020-03-24 14:01:18
9780 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是Java Script的編碼規(guī)范詳細(xì)說明。
2020-01-10 17:17:00
8 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PCCAD設(shè)計軟件的快捷鍵詳細(xì)說明。
2020-07-02 08:00:00
2 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是LLC的基本原理和設(shè)計方法設(shè)計步驟及一些問題詳細(xì)說明。
2020-03-18 08:00:00
22 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是LabVIEW的術(shù)語快速索引詳細(xì)說明。
2020-03-21 15:39:51
9 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是電腦拆裝機(jī)流程教程詳細(xì)說明。
2020-03-25 08:00:00
17 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是機(jī)器學(xué)習(xí)的基礎(chǔ)知識詳細(xì)說明。
2020-03-24 08:00:00
0 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是Allegro的快捷鍵詳細(xì)說明
2020-03-26 08:00:00
0 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是ABB報警代碼及處理方法詳細(xì)說明。
2020-04-01 08:00:00
3 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是KEIL軟件的安裝教程詳細(xì)說明。
2020-04-17 08:00:00
6 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是時域離散信號和系統(tǒng)的教程詳細(xì)說明。
2020-04-24 08:00:00
0 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是機(jī)器人單片機(jī)控制三大模塊的方法的詳細(xì)說明。
2020-04-22 08:00:00
1 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是LabVIEW的100個基礎(chǔ)題詳細(xì)說明資料免費下載。
2020-04-26 08:00:00
51 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是Elmo電機(jī)驅(qū)動器的增益調(diào)整方法詳細(xì)說明。
2020-05-13 08:00:00
19 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是電子傳感器設(shè)計的物料清單詳細(xì)說明。
2020-05-18 08:00:00
0 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是汽車構(gòu)造ECU的硬件設(shè)計詳細(xì)說明。
2020-06-02 08:00:00
14 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是BGA封裝的引腳定義詳細(xì)說明。
2020-08-04 08:00:00
0 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是如何使用Python繪制PDF文件教程詳細(xì)說明。
2020-08-27 11:48:22
12 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是健伍TK868G的編程方法詳細(xì)說明。
2020-09-01 08:00:00
4 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是Android的歷史版本詳細(xì)說明。
2020-09-18 08:00:00
0 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是網(wǎng)絡(luò)函數(shù)的習(xí)題與詳解詳細(xì)說明。
2020-09-28 08:00:00
0 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PLC的39個應(yīng)用案例詳細(xì)說明。
2020-10-30 16:26:00
70 PE工具安裝的詳細(xì)流程詳細(xì)說明
2020-12-10 08:00:00
29 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是FPGA的入門基礎(chǔ)知識詳細(xì)說明。
2020-12-20 10:13:30
10643 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是FPGA的時序分析的優(yōu)化策略詳細(xì)說明。
2021-01-14 16:03:59
17 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是FPGA的時序分析的優(yōu)化策略詳細(xì)說明。
2021-01-14 16:03:59
19 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是Xilinx的時序設(shè)計與約束資料詳細(xì)說明。
2021-01-14 16:26:51
34 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是硬件描述語言VHDL及其應(yīng)用的詳細(xì)說明。
2021-01-21 16:02:11
21 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是諧波的要求指引詳細(xì)說明。
2021-01-25 08:00:00
0 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是Linux的內(nèi)核定制方法詳細(xì)說明
2021-02-26 11:14:44
22 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是Linux的內(nèi)核定制方法詳細(xì)說明
2021-02-26 11:14:44
4 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是鼠標(biāo)控制的LabVIEW編譯資料詳細(xì)說明。
2021-03-02 08:00:00
18 三菱通訊格式詳細(xì)說明(英文版)
2021-12-21 10:03:46
0 PROTEUS原理圖元器件庫詳細(xì)說明
2021-12-27 11:24:46
12 無線通訊協(xié)議MQTT的詳細(xì)說明
2022-01-10 09:42:05
41 本文主要報道了ProTEK PSB在實際應(yīng)用條件下的圖形化特性、抗蝕性和去除特性。研究發(fā)現(xiàn)了ProTEK PSB的兩個問題:不可接受的大側(cè)刻和有機(jī)溶劑或氧化灰難以去除引物。為了制造一個lsi集成
2022-02-09 15:25:40
1116 
本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑,選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明,低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23
1451 
近年來,光掩模抗蝕劑剝離和清潔技術(shù)的發(fā)展主要是由于行業(yè)需要通過從這些過程中消除硫酸和氫氧化銨來防止表面霧霾的形成。因此,傳統(tǒng)的 SPM (H2SO4 + H2O2) 被臭氧水 (DIO3) 取代
2022-03-30 14:32:31
1109 
的各向同性濕法蝕刻條件相比,由于非常高的各向異性,反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此,當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時,使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示,以及評估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-06 13:29:19
1222 
的各向同性濕法蝕刻條件相比,由于非常高的各向異性,反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此,當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時,使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示,以及評估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-22 14:04:19
1138 
退火后對結(jié)特性的剝離和清潔對于實現(xiàn)預(yù)期和一致的器件性能至關(guān)重要,發(fā)現(xiàn)光致抗蝕劑剝離和清洗會導(dǎo)致:結(jié)蝕刻、摻雜劑漂白和結(jié)氧化,植入條件可以增強(qiáng)這些效應(yīng),令人驚訝的是,剝離和清潔也會影響摻雜劑分布,并且
2022-05-06 15:55:47
885 
雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進(jìn)行部分腐蝕來完成的,但是在剝離過程中,材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護(hù)的位置。本文章描述了獲得合適的抗蝕劑掩模的要求、涂層方面的問題,以及最終去除其沉積材料的抗蝕劑掩模。
2022-05-12 15:42:44
3519 
具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性,最近受到了先進(jìn)技術(shù)節(jié)點的關(guān)注。對于Ge或GeOI CMOS,必須確定Ge專用的抗蝕劑剝離工藝,因為鍺
2022-05-25 16:43:16
983 
本文介紹了用抗反射涂層來保證光刻精度的原理。
2025-04-19 15:49:28
2564 
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