本文描述了我們?nèi)A林科納研究去除金屬硬掩模蝕刻后光致抗蝕劑去除和低k蝕刻后殘留物去除的關(guān)鍵挑戰(zhàn)并概述了一些新的非等離子體為基礎(chǔ)的方法。 隨著圖案尺寸的不斷減小，金屬硬掩模(MHM)蝕刻后留下的光刻抗蝕
2022-05-31 16:51:51
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初始屏蔽檢查 對蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能，對橫截面進行SEM檢查，以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側(cè)壁角度
2022-06-10 16:09:335982 
雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本章描述了獲得合適的抗蝕劑掩模的要求、涂層方面的問題，以及最終去除其上沉積有材料的抗蝕劑掩模。
2022-07-12 14:20:543070 
加速到速度靜電旋涂)，也可以一次涂勻晶圓已經(jīng)旋轉(zhuǎn)(動態(tài)旋轉(zhuǎn)涂層)。任何過量的抗蝕劑會從基板邊緣脫落紡絲過程。
2022-07-26 16:13:081506 
盡管存在從流變學(xué)角度描述旋涂工藝的理論，但實際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過實驗來確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線（圖 1-3）是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲得所需抗蝕劑厚度的重要工具。最終抗蝕劑厚度在旋轉(zhuǎn)速度的平方根上變化，大致與液體光致抗蝕劑的粘度成正比。
2022-08-25 17:12:541841 
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337833 
IMS抗紅外抗光傳感器智恒的IMS.E3JK抗紅外抗光傳感器具有良好的抗紅外抗光性能，E3JK抗紅外抗光傳感器有效抵抗外來紅外光干擾，可在室外強光下使用；E3JK抗紅外抗光傳感器可做到多個傳感器并排
2016-07-05 10:46:43
內(nèi)，清洗液必須與元器件、PCB表面、金屬鍍層、鋁鍍層、標簽、字跡等材料兼容，特殊部件需考慮能否經(jīng)受清洗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">清洗工藝流程為：入板→化學(xué)預(yù)洗→化學(xué)清洗→化學(xué)隔離→預(yù)漂洗→漂洗→噴淋→風(fēng)切干燥→烘干 2
2021-02-05 15:27:50
很多，如絲網(wǎng)印刷圖形轉(zhuǎn)移工藝、干膜圖形轉(zhuǎn)移工藝、液態(tài)光致抗蝕劑圖形轉(zhuǎn)移工藝、電沉積光致抗蝕劑(ED膜)制作工藝以及激光直接成像技術(shù)當今能取而代之干膜圖形轉(zhuǎn)移工藝的首推液態(tài)光致抗蝕劑圖形轉(zhuǎn)移工藝，該工藝
2019-06-12 10:40:14
。光線穿過薄膜的透明部分，使下面的銅上的光致抗蝕劑硬化。繪圖儀的黑色墨水可防止光線到達不希望硬化的區(qū)域，因此將其清除?！ “鍦蕚浜煤?，用堿性溶液洗滌，以除去任何未硬化的光致抗蝕劑。最后的壓力清洗將去
2023-04-21 15:55:18
`電路板廠家生產(chǎn)高密度多層板要用到等離子體切割機蝕孔及等離子體清洗機.大致的生產(chǎn)工藝流程圖為:PCB芯板處理→涂覆形成敷層劑→貼壓涂樹脂銅箔→圖形轉(zhuǎn)移成等離子體蝕刻窗口→等離子體切割蝕刻導(dǎo)通孔→化學(xué)
2017-12-18 17:58:30
表面活性劑、助劑、緩蝕劑、螯合劑等形成一系列以水為基的清洗劑?？梢猿ニ軇┖头菢O性污染物。其清洗工藝特點是： 1） 安全性好，不燃燒、不爆炸，基本無毒； 2） 清洗劑的配方組成自由度大，對極性與非
2012-07-23 20:41:56
曝光部分的圖形與掩模版一致。正性抗蝕劑具有分辨率高、對駐波效應(yīng)不敏感、曝光容限大、針孔密度低和無毒性等優(yōu)點，適合于高集成度器件的生產(chǎn)。②負性光致抗蝕劑：受光照部分產(chǎn)生交鏈反應(yīng)而成為不溶物，非曝光部分
2012-01-12 10:51:59
，器件的電路性能受阻。 ④ 駐波效應(yīng)。駐波效應(yīng)是抗蝕劑在曝光過程中的寄生現(xiàn)象。光刻膠在曝光過程中由于其折射率和基體材料折射率不匹配，在基體表面產(chǎn)生的反射光和入射光相互干涉而形成駐波。光強的駐波分布使
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
。 ◎感光性 感光性包括感光速度、曝光時間寬容度和深度曝光性等。 感光速度是指光致抗蝕劑在紫外光照射下，光聚合單體產(chǎn)生聚合反應(yīng)形成具有一定抗蝕、 能力的聚合物所需光能量的多少。在光源強度及燈距固定的情況下
2010-03-09 16:12:32
及鋼的蝕刻劑。它適用于絲網(wǎng)漏印油墨、液體光致抗蝕劑和鍍金印制電路版電路圖形的蝕刻。用三氯化鐵為蝕刻劑的蝕刻工藝流程如下： 預(yù)蝕刻檢查→蝕刻→水洗→浸酸處理→水洗→干燥→去抗蝕層→熱水洗→水沖洗
2023-04-20 15:25:28
→檢驗包裝→成品出廠?！ ∝炌捉饘倩ㄖ圃於鄬影骞に嚵鞒獭鷥?nèi)層覆銅板雙面開料→刷洗→鉆定位孔→貼光致抗蝕干膜或涂覆光致抗蝕劑→曝光→顯影→蝕刻與去膜→內(nèi)層粗化、去氧化→內(nèi)層檢查→（外層單面覆銅板線路
2018-09-13 16:13:34
時一般都不使用干膜，而使用液態(tài)光致抗蝕劑。涂布條件不同，涂布的厚度會有 所變化，如果涂布厚度5～15μm的液態(tài)光致抗蝕劑于5μm厚的銅箔上，實驗室的水平能夠蝕刻1Oμm以下的線寬。 液態(tài)光致抗蝕劑，涂布
2019-01-14 03:42:28
孔雙面柔性印制板的通用制造工藝流程： 開料一鉆導(dǎo)通孔一孔金屬化一銅箔表面的清洗一抗蝕劑的涂布一導(dǎo)電圖形的形成一蝕刻、抗蝕劑的剝離一覆蓋膜的加工一端子表面電鍍一外形和孔加工一增強板的加工一檢查一包裝。`
2011-02-24 09:23:21
光致抗蝕劑，涂布之后必須進行干燥和烘焙，由于這一熱處理會對抗蝕膜性能產(chǎn)生很大影響，所以必須嚴格控制干燥條件。`
2016-08-31 18:35:38
，一種是光化學(xué)圖像轉(zhuǎn)移。網(wǎng)印圖像轉(zhuǎn)移比光 化學(xué)圖像轉(zhuǎn)移成本低，在生產(chǎn)批量大的情況下更是如此，但是網(wǎng)印抗蝕印料通常只能制造大于 或等于o．25mm的印制導(dǎo)線，而光化學(xué)圖像轉(zhuǎn)移所用的光致抗蝕劑朗制造分辨率
2010-03-09 16:22:39
20%以上、細小管徑的熱交換器(列管直徑在12毫米以下)?！ ≈醒肟照{(diào)清洗過程一 殺菌：通過向循環(huán)系統(tǒng)加入殺菌藥劑，清除循環(huán)水中的各種細菌和藻類?！ ≈醒肟照{(diào)清洗二：加入剝離劑，將管道內(nèi)的生物粘泥剝離
2010-12-21 16:22:40
`工業(yè)相機是一種非常精密的產(chǎn)品，相比一般用相機，其造價要昂貴許多。同樣的，工業(yè)相機使用久了也會出現(xiàn)臟污灰塵，對相機的性能和壽命都會有所影響。因此，就需要定期對相機進行清洗和保養(yǎng),以延長相機的使用壽命
2015-10-22 14:14:47
原 因解決辦法 1）干膜性能不良，超過有效期使用。 盡量在有效內(nèi)便用干膜?！ ?）基板清洗不干凈或粗化表面不良,干膜粘附不牢。 加強板面處理。 4）曝光過頭抗蝕劑發(fā)脆。 用光密度尺校正曝光量或
2018-11-22 16:06:32
使用。 盡量在有效內(nèi)便用干膜。 2）基板清洗不干凈或粗化表面不良,干膜粘附不牢。 加強板面處理?！ ?）曝光過頭抗蝕劑發(fā)脆。 用光密度尺校正曝光量或曝光時間?！ ?）曝光不足或顯影過頭造成抗蝕劑發(fā)毛，過
2013-11-06 11:13:52
的問題(鉆孔涂污)可能造成產(chǎn)量的減少，換言之，就是增加了單位成本。如果這些問題不被控制，則可能導(dǎo)致鍍通孔故障。 大部分剛?cè)嵝韵到y(tǒng)使用丙烯酸粘結(jié)劑制造?；诖耍蠖鄶?shù)回蝕或孔清洗過程普遍
2018-09-10 16:50:04
TMM、Duorid和PTFE。在加工柔性基材和敏感基材時，激光直接成型技術(shù)優(yōu)勢更明顯，不用與材料接觸，就能進行光蝕，因此更可靠，不會對基材產(chǎn)生損害。激光直接大面積剝離銅層不傷基底材料（軟基，硬基均可）汪先生 ***
2016-06-27 13:25:29
TMM、Duorid和PTFE。在加工柔性基材和敏感基材時，激光直接成型技術(shù)優(yōu)勢更明顯，不用與材料接觸，就能進行光蝕，因此更可靠，不會對基材產(chǎn)生損害。激光直接大面積剝離銅層不傷基底材料（軟基，硬基均可）汪先生 ***
2016-06-27 13:26:43
1斯1艾1姆1科1技全國1首家P|CB樣板打板 5． 印制電路制造的加成法工藝分為幾類？分別寫出其流程？ --全加成法：鉆孔、成像、增粘處理（負相）、化學(xué)鍍銅、去除抗蝕劑?！ ?-半加成法：鉆孔
2013-10-21 11:12:48
（負相）、化學(xué)鍍銅、去除抗蝕劑?！ ?-半加成法：鉆孔、催化處理和增粘處理、化學(xué)鍍銅、成像（電鍍抗蝕劑）、圖形電鍍銅（負相）、去除抗蝕劑、差分蝕刻?！ ?-部分加成法：成像（抗蝕刻）、蝕刻銅（正相
2018-09-07 16:33:49
的影響，甚至使其失效。針對各種輻射效應(yīng)，在器件的材料、電路設(shè)計、結(jié)構(gòu)設(shè)計、工藝制造及封裝等各個環(huán)節(jié)采取加固措施，使其具有一定的抗輻射性能。選擇抗輻射加固的器件應(yīng)用在空間輻射環(huán)境中，將能提高航天器
2019-07-02 07:10:06
各位大神好小弟最近做了一款光幕,但是抗陽光干擾的效果太差了,請問壇子里做過光柵光幕的大神,在程序和電路上如何改進,可以增加光幕對陽光的抗干擾性能,不勝感激!!!
2019-05-24 23:10:36
用于晶圓制造過程中的封裝過程，因為采用無機堿性藥液，因此具有高濃度的化學(xué)物質(zhì)，存在粘度高、速度慢的問題。采用表面活性劑加入清洗堿液中，從而達到低粘度化，改善 潤濕性，效率提高。
2022-05-26 15:15:26
一、產(chǎn)品名稱：混凝土抗裂劑固含量快速測定儀二、發(fā)明專*號：201420090168.1三、產(chǎn)品型號：CSY-G2 四、固含量快速測定儀產(chǎn)品介紹：在外加劑固含量檢測領(lǐng)域，測量準確性和測量速度
2022-05-27 16:48:30
電子元器件的抗輻射應(yīng)用9.4.1 抗輻射加固電子系統(tǒng)的器件選擇 在抗輻射加固電子系統(tǒng)的設(shè)計中，一個首要的任務(wù)是如何合理地選擇電子元器件。選擇的一般原則
2009-08-27 18:55:38
67 鋁箔剝離強度試驗機 90度剝離強度試驗機是一款用于測試材料90度剝離性能的實驗設(shè)備，適用于膏藥貼劑、軟包裝等產(chǎn)品的性能測試。該設(shè)備采用高精度的力值傳感器和可靠的傳動系統(tǒng)，可以在一定速度下
2023-09-20 15:25:12
在制藥領(lǐng)域，注射劑的一致性密封質(zhì)量對于產(chǎn)品的安全性和質(zhì)量至關(guān)重要。為確保注射劑的密封性能符合預(yù)期，采用專業(yè)的注射劑一致性密封驗證儀器進行檢測是必不可少的。注射劑一致性密封驗證儀器主要通過模擬實際使用過程中注射劑
2023-10-13 13:41:44
摘要：概述了激光清洗的機理和優(yōu)點，介紹了激光在脫漆、除銹、除表面污染物、去油污、除膠粘劑殘留物５個方面的初步應(yīng)用研究成果。關(guān)鍵詞：激光清洗 光剝離 光分解
2010-11-30 13:41:3225 BLD-200H創(chuàng)可貼剝離試驗機適用于膠黏劑、膠粘帶、不干膠、復(fù)合膜、人造革、編織袋、薄膜、紙張、電子載帶等相關(guān)產(chǎn)品的剝離、剪切、拉斷等性能測試。通過材料的剝離試驗，集中反映材料的粘結(jié)強度
2024-04-23 10:26:46
一、 引言在當前的印制電路制造技術(shù)中，無論是采用干膜光致抗蝕劑（簡稱干
2006-04-16 21:44:572128 一、產(chǎn)品概念剝離抗張測試儀是一種用于測試材料表面粘附力和抗張強度的專業(yè)儀器。它廣泛應(yīng)用于紙張、膠粘劑、膠粘帶、不干膠、保護膜、離型紙、復(fù)合膜、薄膜等相關(guān)產(chǎn)品的性能測試中。 二
2024-08-12 17:34:19
光罩清洗機是半導(dǎo)體制造中用于清潔光罩表面顆粒、污染物和殘留物的關(guān)鍵設(shè)備，其性能和功能特點直接影響光罩的使用壽命和芯片制造良率。以下是關(guān)于光罩清洗機的產(chǎn)品介紹：產(chǎn)品性能高效清洗技術(shù)采用多種清洗方式組合
2025-05-12 09:03:45
什么是LED光阻劑?
光阻，亦稱為光阻劑，是一個用在許多工業(yè)制程上的光敏材料。像是光刻技術(shù)，可以在材料表面刻上一個圖案的
2009-11-13 10:02:46981 什么是PCB光致成像工藝呢？不少人對這個工藝不是很了解，下面有PCB抄板工程師給大家簡單介紹什么PCB光致成像工藝。PCB光致成像工藝是對涂覆在印制板基材上的光致抗蝕劑進
2010-07-31 16:32:211519 圖形轉(zhuǎn)移就是將照相底版圖形轉(zhuǎn)移到敷銅箔基材上，是PCB制造工藝中重要的一環(huán)，其工藝方法有很多，如絲網(wǎng)印刷圖形轉(zhuǎn)移工藝、干膜圖形轉(zhuǎn)移工藝、液態(tài)光致抗蝕劑圖形轉(zhuǎn)
2010-10-25 16:29:58841 本文主要介紹集成電路加工-光刻技術(shù)與光刻膠。集成電路加工主要設(shè)備和材料：光刻設(shè)備，半導(dǎo)體材料：單晶硅等，掩膜，化學(xué)品：光刻膠（光致抗蝕劑），超高純試劑，封裝材料及光刻機的介紹
2017-09-29 16:59:0218 抗濕熱老化、抗紫外老化性能有明顯的影響。總的來說：交聯(lián)度越高其抗濕熱老化性能越強，但隨著交聯(lián)度的增大，EVA的紫外老化性能會先增強后降低。并發(fā)現(xiàn)EVA的交聯(lián)度也會隨著材料的老化發(fā)生一定變化。 EVA（乙酸和醋酸乙烯酯的共聚物）是目前光
2017-10-31 09:32:474 刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。
2018-01-09 13:37:2318183 
現(xiàn)在，抗蝕劑的涂布方法根據(jù)電路圖形的精密度和產(chǎn)量分為以下三種方法：絲網(wǎng)漏印法、干膜／感光法、液態(tài)抗蝕劑感光法
2018-03-19 11:43:025599 擴大及國內(nèi)光器件廠商在全球光模塊市場份額的提升，垂直一體化模式優(yōu)勢逐漸減小，未來或有更多的海外光器件廠商剝離下游封裝業(yè)務(wù)，聚焦于高端光芯片主業(yè)。而伴隨國內(nèi)高端光芯片突破，海外光器件廠商優(yōu)勢將繼續(xù)減小，或繼續(xù)收縮業(yè)務(wù)線，最終國內(nèi)光器件廠商在全球產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)占領(lǐng)市場主導(dǎo)地位。
2018-06-13 10:01:001808 
/T16526-1996封裝引線間電容和引線負載電容測試方法》 G16527《GB/T16527-1996硬面感光板中光致抗蝕劑和電子束抗蝕劑規(guī)范》 G16595《GB/T16595-1996晶片通用網(wǎng)格規(guī)范》 G16596《GB/T16596-1996確定晶片坐標系規(guī)
2018-08-24 16:11:5621134 在制造256階諧衍射透鏡時，將厚度為7μm的光致抗蝕劑涂覆到石英玻璃的表面上。使用激光在抗蝕劑上繪制256階浮雕。單個透鏡的制作時間大約需要半個小時。通過極其精確的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)數(shù)字圖像處理來完成圖像失真補償。
2018-08-30 15:17:163652 印制板制造進行光化學(xué)圖像轉(zhuǎn)移的光致抗蝕劑主要有兩大類，一類是光致抗蝕干膜(簡稱干膜)，其商品是一種光致成像型感光油墨；另一類是液體光致抗蝕劑，其又包括普通的液體光致抗劑和電沉積液體光致抗蝕劑(簡稱
2019-07-16 15:24:172118 
在SADP流程中，可以使用抗蝕劑來繪制圖層。然后在抗蝕劑上沉積一層，再次蝕刻，直到沉積物留在抗蝕劑線的兩側(cè)。然后去除掉抗蝕劑。專家指出，SADP無需兩個完整的光刻循環(huán)，因此不會增加循環(huán)時間。
2019-09-06 16:41:2110363 
韓國總統(tǒng)府青瓦臺相關(guān)負責(zé)人8日表示，日本批準日企提出的向韓國出口光致抗蝕劑的個別申請值得肯定，但目前不確定性仍然存在，韓方要求日方盡早撤銷對韓國采取的相關(guān)措施的立場不變。
2019-08-09 17:49:142103 目前光穩(wěn)定劑產(chǎn)品包括自由基捕獲劑，紫外線吸收劑，淬滅劑，光屏蔽劑等。其中，受阻胺光穩(wěn)定劑具有幾乎無色、毒性小、不會使樹脂著色、價格低廉和出色的光穩(wěn)定性能等優(yōu)點，是目前使用最為廣泛，增長速率最快，市場占有率最高的一類光穩(wěn)定劑。紫外線吸收劑能有效地吸收紫外線，并具有良好的熱穩(wěn)定性和光穩(wěn)定。
2020-06-12 17:55:384248 
摘 要：光罩清洗的流程以及優(yōu)化，需要在實際生產(chǎn)運用中來完善，要保證在不影響清洗能力的情況下來優(yōu)化各個工藝參數(shù)，在各種工藝清洗時的時間和MASKStage的轉(zhuǎn)速來縮短清洗光罩的時間，而這個參數(shù)需要
2020-12-29 11:38:315353 
電路板清洗劑又叫做洗板水，是指用于清洗 PCB 電路板焊接過后表面殘留的助焊劑、松香、焊渣、油墨、手紋等用的化學(xué)工業(yè)清洗劑藥水。 在市面上大概分三種：一是氯化溶劑洗板水、二是碳氫溶劑洗板水、三是水基
2021-07-21 11:25:3718006 多層PCB內(nèi)層的光刻工藝包括幾個階段，接下來詳細為大家介紹多層PCB內(nèi)層的光刻工藝每個階段都需要做什么。 PART.1 在第一階段，內(nèi)層穿過化學(xué)制劑生產(chǎn)線。銅表面會出現(xiàn)粗糙度，這對于光致抗蝕劑的最佳
2021-09-05 10:00:162856 引言 顯影過程中顯影劑溶液的溫度會對抗蝕劑性能產(chǎn)生重大影響。速度隨著溫度以復(fù)雜的方式變化，通常導(dǎo)致“更快”的抗蝕劑工藝的反直覺結(jié)果。顯影速率對劑量(或?qū)γ艋瘎舛?曲線的形狀也將隨溫度發(fā)生顯著變化
2022-01-04 17:17:112317 
，必須：1）保證光刻膠粘附，防止圖案被蝕刻；2）防止蝕刻劑滲透到光致抗蝕劑/材料界面。為了避免后一種現(xiàn)象，了解蝕刻劑是否穿透光刻膠以及其擴散速率是至關(guān)重要的。 蝕刻垂直滲透的界面修飾已經(jīng)在之前的工作中得到了證明。我
2022-01-18 15:20:01914 
刻膠AZ703的自旋速度為3000r/min，厚度為1.10um，對光刻膠的去除有顯著影響。為了最小化頂層與襯底物接觸的面積，進一步減少浮渣，我們選擇了8μm作為底層抗蝕劑的最佳縮回距離d。 導(dǎo)讀 一般來說，負光致抗蝕劑具有良好的抗蝕特性作為掩
2022-01-26 11:43:221169 
本文主要報道了ProTEK PSB在實際應(yīng)用條件下的圖形化特性、抗蝕性和去除特性。研究發(fā)現(xiàn)了ProTEK PSB的兩個問題:不可接受的大側(cè)刻和有機溶劑或氧化灰難以去除引物。為了制造一個lsi集成
2022-02-09 15:25:401116 
。 發(fā)明領(lǐng)域 本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體制造，更具體地涉及剝離光致抗蝕劑和/或清潔半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的金屬或金屬硅化物區(qū)域的方法。 發(fā)明背景 電互連技術(shù)通常需要金屬或其他導(dǎo)電層或區(qū)域之間的電連接，這些導(dǎo)電層或區(qū)域位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)或
2022-02-24 13:45:531374 
。氣溶膠處理旨在破壞和部分去除植入抗蝕劑的結(jié)痂頂層，在該表面產(chǎn)生圓形開口，直徑為數(shù)十至數(shù)百微米。在經(jīng)過氣溶膠預(yù)處理的晶片碎片浸入熱的 H2SO4/H2O2 混合物 (SPM) 后，光學(xué)顯微鏡或局部 SEM 檢測均未檢測到抗蝕劑。 下一代器件面臨的最關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一是有效去除離子注入后的
2022-02-28 15:00:181591 
摘要 一種光刻圖案化方法包括在基板上形成第一抗蝕劑圖案，第一抗蝕劑圖案在基板上包括多個開口；在基板上以及在第一抗蝕劑圖案的多個開口內(nèi)形成第二抗蝕劑圖案，第二抗蝕劑圖案在基板上包括至少一個開口。去除
2022-03-01 14:37:31875 
對用于微加工微系統(tǒng)(MST)產(chǎn)品的高縱橫比光致抗蝕劑的發(fā)展的日益增長的興趣導(dǎo)致了許多商業(yè)上可獲得的光致抗蝕劑產(chǎn)品的可用性。本文詳細描述了三種抗蝕劑的應(yīng)用，即EPON SU-8、Clariant AZ
2022-03-04 15:05:201178 
，在實現(xiàn)晶片通孔互聯(lián)的情況下，圓角是必須的。尖角增加了光致抗蝕劑破裂的風(fēng)險，光致抗蝕劑破裂用于圖案化下面的金屬。因此，了解最常見的各向異性蝕刻劑（氫氧化鉀）的蝕刻行為以及圓角的形狀非常重要。本文通過蝕刻
2022-03-07 15:26:14966 
兆頻超聲波清洗已被用于去除集成電路器件的硅晶片制造中的缺陷，例如顆粒和聚合物/抗蝕劑殘留物。然而，隨著器件技術(shù)節(jié)點的縮小，兆頻超聲波清洗正面臨著保持高清洗效率的挑戰(zhàn)，這種高清洗效率是由較小顆粒的穩(wěn)定
2022-03-08 14:05:541618 
激光，具有單色性、方向性好、亮度高等特點。在工業(yè)領(lǐng)域中，用激光作為能量源的常見應(yīng)用有：激光切割、激光焊接、激光打標、激光清洗等技術(shù)。其中，激光清洗技術(shù)是利用激光能量使材料表面的涂層或污物發(fā)生加熱、氣化、燒蝕、剝離從而實現(xiàn)清洗的一種新型綠色清洗技術(shù)。
2022-03-14 11:55:591272 本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:231451 
近年來，光掩模抗蝕劑剝離和清潔技術(shù)的發(fā)展主要是由于行業(yè)需要通過從這些過程中消除硫酸和氫氧化銨來防止表面霧霾的形成。因此，傳統(tǒng)的 SPM (H2SO4 + H2O2) 被臭氧水 (DIO3) 取代
2022-03-30 14:32:311109 
兆頻超聲波清洗已被用于去除集成電路器件的硅晶片制造中的缺陷，例如顆粒和聚合物/抗蝕劑殘留物。然而，隨著器件技術(shù)節(jié)點的縮小，兆頻超聲波清洗正面臨著保持高清洗效率的挑戰(zhàn)，這種高清洗效率是由較小顆粒的穩(wěn)定
2022-03-30 14:33:501569 
本文一般涉及處理光掩模的領(lǐng)域，具體涉及用于從光掩模上剝離光致抗蝕劑和/或清洗集成電路制造中使用的光掩模的設(shè)備和方法。
2022-04-01 14:26:371027 
本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來進行的。事實上，與通常
2022-04-06 13:29:191222 
本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來進行的。事實上，與通常
2022-04-22 14:04:191138 
最顯著的粘附性改進是在光致抗蝕劑涂覆之前立即結(jié)合了天然氧化物蝕刻。除了改善粘附性，這種預(yù)涂處理還改變了GaAs，使得與未經(jīng)表面處理的晶片相比，反應(yīng)限制蝕刻更加各向同性；輪廓都具有正錐度方向，但錐角
2022-05-10 15:58:321010 
雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本文章描述了獲得合適的抗蝕劑掩模的要求、涂層方面的問題，以及最終去除其沉積材料的抗蝕劑掩模。
2022-05-12 15:42:443519 
具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性，最近受到了先進技術(shù)節(jié)點的關(guān)注。對于Ge或GeOI CMOS，必須確定Ge專用的抗蝕劑剝離工藝，因為鍺
2022-05-25 16:43:16983 
介紹 隨著半導(dǎo)體器件的小型化和超大規(guī)模集成(VLSI)電路的圖案密度的增加，單個光致抗蝕劑掩模不再適用于細線圖案化和接觸圖案化。 盡管單光刻膠掩模工藝被認為是器件制造中的簡單工藝，但在接觸氧化物期間
2022-06-13 15:24:492394 
在圖案化的抗蝕劑上濺射或蒸發(fā)金屬，然后剝離金屬，傳統(tǒng)上用于在砷化鎵晶片處理中定義互連，在剝離工藝中，首先在襯底上沉積并圖案化諸如光致抗蝕劑的犧牲材料，然后將金屬沉積在頂部，隨后通過暴露于溶劑浸泡
2022-06-27 17:21:551602 臥式光伏剝離推拉力機 ，型號為SGL-8001W，是一種用于光伏行業(yè)硅料、硅片、電池片、電池組件等產(chǎn)品的剝離力、抗拉強度等參數(shù)測試的專用儀器，根據(jù)不同參數(shù)測試應(yīng)配備相應(yīng)的冶具及機臺形式，可進行設(shè)備儀器的定制。
2022-12-14 13:41:331174 
清洗硅晶片，在其上形成諸如金屬或絕緣膜的薄膜，并且通過光刻形成用于電路圖案的抗蝕劑掩模。然后，通過干法蝕刻進行實際加工，去除并清洗不需要的抗蝕劑，并檢查圖案尺寸。在這里，光刻和干法蝕刻這兩種技術(shù)被稱為微細加工。
2023-01-05 14:16:055024 電子剝離試驗機適用于膠黏劑、膠粘帶、不干膠、復(fù)合膜、人造革、編織袋、薄膜、紙張、電子載帶等相關(guān)產(chǎn)品的剝離、剪切、拉斷等性能測試。電子剝離試驗機有立式和臥式兩種結(jié)構(gòu)，顯示方面又可分為LCD數(shù)顯和電腦顯示兩種。
2023-04-19 10:25:421686 
消費電子和工業(yè)用電子技術(shù)領(lǐng)域取得了相當大的發(fā)展；如今的電子設(shè)備價格合理，效率高，而且體積小，便于攜帶。然而，這些發(fā)展給生產(chǎn)那些更小、更便攜設(shè)備所需元器件的制造商帶來了挑戰(zhàn)。
2023-05-31 11:30:37900 直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對聚合物抗蝕劑進行構(gòu)圖，然后通過干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:141088 
氧化還原成蝕刻的過程，F(xiàn)e3在銅表面將銅氧化成氯化亞銅，F(xiàn)e3被還原成Fe2。三氯化鐵+銅二氯化鐵+氯化銅，氯化銅具有還原性，可進一步與三氯化鐵反應(yīng)生成氯化銅。像絲網(wǎng)PCB線路板、液體光致抗蝕劑、干膜、金等具有抗蝕劑層的PCB線路板的蝕
2023-10-08 09:50:223795 干膜顯影性不良，超期使用。上述已講過光致抗蝕干膜，其結(jié)構(gòu)有三部分構(gòu)成：聚酯薄膜、光致抗蝕劑膜及聚乙烯保護膜。在紫外光照射下，干膜與銅箔板表面之間產(chǎn)生良好的粘結(jié)力，起到抗電鍍和抗蝕刻的作用。
2023-12-26 16:17:492918 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，是半導(dǎo)體制造中使用的核心電子材料之一。伴隨著晶圓制造規(guī)模持續(xù)提升，中國有望承接半導(dǎo)體
2024-01-19 08:31:241601 
據(jù)悉，MOR作為被廣泛看好的下一代光刻膠（PR）解決方案，有望替代現(xiàn)今先進芯片光刻工藝中的化學(xué)放大膠（CAR）。然而，CAR在提升PR分辨率、增強抗蝕能力及降低線邊緣粗糙度上的表現(xiàn)已無法滿足當前晶圓制造的產(chǎn)業(yè)標準。
2024-04-30 15:09:132888 。光刻半導(dǎo)體芯片二氧化硅的主要步驟包括涂布光致抗蝕劑、套準掩模板并曝光、用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層、用腐蝕液溶解掉無光致抗蝕劑保護的二氧化硅層，以及去除已感
2024-06-27 08:16:054415 
光伏組件的抗PID性能影響組件的發(fā)電效率和使用壽命，被光伏行業(yè)廣泛關(guān)注。EVA膠膜是光伏組件的主要封裝材料之一，其具有優(yōu)異的性價比，但隨著光伏行業(yè)技術(shù)革新，對封裝材料抗PID要求越來越高。實驗兩種
2025-01-22 09:02:271515 
晶圓經(jīng)切割后，表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等組成的顆粒物，這些物質(zhì)會對后續(xù)工序中芯片的幾何特征與電性能產(chǎn)生不良影響。顆粒物與晶圓表面的粘附力主要來自范德華力的物理吸附作用，因此業(yè)界主要采用物理或化學(xué)方法對顆粒物進行底切處理，通過逐步減小其與晶圓表面的接觸面積，最終實現(xiàn)脫附。
2025-06-13 09:57:01866 ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對器件性能產(chǎn)生負面影響。同時，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736 
引言 在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝對金屬結(jié)構(gòu)的保護至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565 （如半導(dǎo)體晶圓、光伏硅片、金屬零件等），通常以“槽”為單位裝載。適用場景：適合大批量生產(chǎn)，尤其是對清潔度要求一致且工藝相同的產(chǎn)品（如集成電路封裝前的引腳清洗、汽車零
2025-06-30 16:47:491175 
：根據(jù)封裝材料和污染物的類型選擇合適的化學(xué)清洗劑。例如，對于有機物污染，可以使用含有表面活性劑的堿性溶液；對于金屬氧化物和無機鹽污染，則可能需要酸性清洗液。在這個階段，通常會將器件浸泡在清洗液中一段時間，并通過
2025-11-03 10:56:20146
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