1Hz正弦波振蕩器
本電路利用兩個運算
2009-10-07 11:44:47
2823 
晶體管是電子元器件中常用的一種，用來放大電信號、控制電流等。晶體管通常由三個電極組成：基極、發(fā)射極和集電極。不同類型的晶體管電極排列方式和特性不同，因此需要通過判斷電極類型和排列方式來確定晶體管的類型。下面介紹一下如何判斷晶體管的類型及三個電極。
2023-06-03 09:44:1611662 “晶體管開關”，是使用晶體管控制電路通斷的開關。根據實際應用場景，也稱“模擬開關(analog Switch)”或“邏輯開關(Logic Switch)”。它或許是一些電子發(fā)燒友們DIY時遇到的第一個電路。本文將展示四種晶體管開關電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。
2023-06-12 09:29:004612 
達林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達林頓對（Darlington Pair），是由兩個或更多個雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復合結構。通過這種結構，第一個雙極性晶體管放大的電流可以進一步被放大，從而提供比其中任意一個雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:5313533 
是一種半導體器件，通過將一層半導體材料放置在兩層極性相反的材料之間而創(chuàng)建。NPN晶體管（如8050）通常在兩層負極材料之間有一層正極材料。相比之下，正負正（PNP）晶體管在兩個正極之間有一個負層
2023-02-16 18:22:30
1Hz。1Hz的振蕩頻率，可以配合 耳機喇叭 和 LED發(fā)光二極管，讓人真正聽到、真正看到電路的振蕩現象，為電子發(fā)燒友們DIY搭建自己的TTL電路有一個好的開始。振蕩電路是模擬電路中最著名的一個電路之一
2017-12-23 21:37:39
=VBE2-VBE1。這里，硅晶體管根據溫度具有一定的溫度系數。約為ー2.2mV/oC。（達林頓晶體管為ー4.4mV/oC）因此，根據由輸入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的結溫。圖2. 進度表
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
用?；鶚O電壓源通過電阻提供基極電流為了使晶體管成為電子開關工作，需要提供一個電壓源，并將其通過電阻與基極相連接。如果要使開關導通，基極電壓源通過電阻向晶體管的基極提供足夠大的電流IB就可以使得晶體管導
2017-03-28 15:54:24
一、晶體管如何表示0和1 從第一臺計算機到EDVAC，這些計算機使用的都是電子管和二極管等元件，利用這些元件的開關特性實現二進制的計算。然而電子管元件有許多明顯的缺點。例如，在運行時產生的熱量
2021-01-13 16:23:43
別與三個插孔相接），萬用表即會指示出該管的放大倍數。若萬用表無hFE檔，則也可使用萬用表的R×1k檔來估測晶體管放大能力。測量PNP管時，應將萬用表的黑表筆接晶體管的發(fā)射極E，紅表筆接晶體管的集電極C
2012-04-26 17:06:32
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
在合理設置靜態(tài)工作點和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路。如圖Z0212所示。 晶體管的端口電壓和電流的關系可表示為如圖Z0213所示。 h 參數
2021-05-13 07:56:25
(1) 電流放大系數β和hFEβ是晶體管的交流放大系數，表示晶體管對交流（變化）信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎性的內容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據
2018-11-28 14:29:28
計算機等使用的數字信號中，晶體管起著切換0和1的開關作用。IC及LSI歸根結底是晶體管的集合，其作用的基礎便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來基板上的電阻和晶體管分別安裝，數字晶體管
2019-07-23 00:07:18
計算機等使用的數字信號中，晶體管起著切換0和1的開關作用。IC及LSI歸根結底是晶體管的集合，其作用的基礎便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來基板上的電阻和晶體管分別安裝，數字晶體管
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以，應根據應用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如
2012-01-28 11:27:38
”現象。這就是因輸入信號的幅值太高，晶體管進入飽和區(qū)后，對信號失去放大作用，同時對信號產生限幅作用后的結果。由此可得出第一個問題的答案：隨著基極電流的增加，晶體管的工作狀態(tài)將由放大區(qū)向飽和區(qū)過渡，當
2012-02-13 01:14:04
=VBE2-VBE1。這里，硅晶體管根據溫度具有一定的溫度系數。約為ー2.2mV/oC。（達林頓晶體管為ー4.4mV/oC）因此，根據由輸入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的結溫。圖2. 進度表
2019-05-09 23:12:18
集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨立的元件.晶體管是半導體三極管中應用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。 晶體管被認為是現代歷史中最偉大的發(fā)明
2010-08-12 13:57:39
CPU上的晶體管有多少個？
2021-02-26 07:14:53
兩個N型半導體和一個P型半導體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發(fā)射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
表親非常相似的特性，不同之處在于，對于第一個教程“公共基極”、“共發(fā)射極”和“公共集電極”中討論的三種可能配置中的任何一種，電流和電壓方向的極性（或偏置）都是相反的。由于PNP晶體管的基極端子相對于
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結型晶體管 雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導體三極管，它是通過一定的工藝將兩個PN結結合在一
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 生還者 于 2020-8-20 03:57 編輯
《晶體管電路設計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種晶體管應用電
2020-08-19 18:24:17
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設計與制作》是“圖解實用電子技術叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設計和制作進行詳細敘述；然后利用可在微機
2021-01-05 22:38:36
。作者簡介 ：鈴木雅臣，任職于Accuphase公司，主要從事數字視聽設備設計工作。生于日本東京。著有《新·低頻/高頻電路設計入門》、《晶體管電路設計》等。目錄：第一章 概述學習晶體管電路或FET電路
2017-07-25 15:29:55
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內，容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術）嚴格來說，晶體管是指基于半導體材料的所有單一元件，包括由各種半導體材料
2023-02-03 09:36:05
相當高的總電流增益。輸出晶體管的最大集電極電流決定了輸出晶體管對的最大集電極電流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空間更少，因為晶體管通常封裝在一個器件中。另一個優(yōu)點是整個電路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
寬度是不可能的。 翅片厚度是一個關鍵參數，因為它控制短通道行為和器件的亞閾值擺幅。亞閾值擺幅測量晶體管的效率。正是柵極電壓的變化使漏極電流增加了一個數量級?！ D1.鰭式場效應晶體管尺寸
2023-02-24 15:25:29
10K 1LED 1JST 連接器 01x02 1測試點 1電路說明：請注意，該電路是使用 KiCAD EDA 設計的。兩個晶體管相互連接以充當達林頓對。晶體管Q1首先放大增益，然后進一步放大并由
2022-08-30 07:23:58
可以將PNP晶體管定義為通常為“OFF”，但是適度的輸出電流和相對于其發(fā)射極（E）的基極（B）的負電壓將使其“打開”，從而允許大的發(fā)射極-集電極電流流動。我可以用NPN代替PNP嗎？如果您還記得一個簡單
2023-02-03 09:45:56
做了一個單結晶體管仿真（電力電子技術的初學者）。有個問題請教于各位高手。1：開關初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關打開，點擊仿真后，點擊開關閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
單結晶體管有一個PN結和三個電極，一個發(fā)射極和兩個基極，所以又稱雙基極二極管。其結構、等效電路及電路符號如下圖所示。a、單結晶體管的結構；b、等效電路；c、電路符號它是在一塊高電阻率(低摻雜)的N型
2018-01-09 11:39:27
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結（稱這個PN結為“發(fā)射結”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 編輯
場效應管是一種放大器件元件，而晶體管是場效應管元件它是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的，它是電壓控制器件，它不吸收信號源電流
2012-07-11 11:36:52
NPN達林頓配置中，兩個晶體管的集電極連接，而第二個晶體管的基極連接到第一個晶體管的發(fā)射極。從配置中，我們看到第一個晶體管的發(fā)射極電流成為打開它的第二個晶體管的基極電流?！ ∈褂?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關的關鍵要點
2023-02-20 16:35:09
內建電場來控制晶體管對電壓的選擇性通斷，如圖：
該晶體管由兩個PN結組成，第一個晶體管PN結在外加電場下正向偏置，減小了內建電場，當通入的電壓小于該晶體管PN結外加電場時，就會有電流通過該PN結
2025-09-15 15:31:09
內建電場來控制晶體管對電壓的選擇性通斷，如圖：
該晶體管由兩個PN結組成，第一個晶體管PN結在外加電場下正向偏置，減小了內建電場，當通入的電壓小于該晶體管PN結外加電場時，就會有電流通過該PN結，因為
2025-04-15 10:24:55
個晶體管的偏置。我的問題是，我必須在兩個晶體管的漏極處獲得3V和60mA，在兩個晶體管的柵極處獲得一些毫伏電壓，這就是我想要的。但我得到（如下圖所示）紅色環(huán)＃2處的＃1，0v和0mA處的紅色環(huán)處的3v
2019-01-14 13:17:10
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
nf~3.3nf。當Nb上端產生一個正的驅動電壓時，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導通。之后，電容CB被充電至激勵電壓的峰值而進入穩(wěn)態(tài)
2020-11-26 17:28:49
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數值代入式子②計算。根據下面的式子選擇數字晶體管的電阻R1、R2，使數字晶體管的IC比使用設備上的最大輸出電流Iomax大?！?Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎上計算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數值代入式子②計算。根據下面的式子選擇數字晶體管的電阻R1、R2，使數字晶體管的IC比使用設備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
，最小化磁化電流是改進LLC轉換器的目標。圖 2：半橋 LLC 諧振轉換器的主電流和電壓波形圖 3：不同晶體管（GaN、Si 和 SiC）的 Qoss 與 Vds 曲線LLC的另一個重要晶體管參數
2023-02-27 09:37:29
求51單片機 STC89c526個晶體管問題按下鍵1 晶體管1閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，再按鍵1 晶體管2閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，以此類推。求大神幫助
2017-03-12 19:59:39
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調換了。“正?！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
晶體管實驗:實驗一 三極晶體管與場效應晶體管的特性圖示一、實驗目的1.掌握半導體管特性圖示儀的使用方法。2.掌握測量晶體管輸入輸出特性的測量方法。3.觀察、了
2009-03-06 14:08:16
37
1HZ時基信號電路
2009-01-13 19:22:593262 
1Hz汽車閃光器電路
2009-01-17 13:57:582006 
PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結構如圖1所示。
2010-03-05 11:18:056814 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶體管h參數,晶體管h參數是什么意思
在合理設置靜態(tài)工作點和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路
2010-03-05 17:37:226627 Intel2011年5月6日研制成功的世界上第一個3D晶體管“Tri-Gate”現在已經逐步進入大家的視線了，本文將介紹3D晶體管的一些優(yōu)點。
2012-08-08 11:49:462303 嚴格意義上講，晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT
2018-03-01 15:37:4743156 本文首先介紹了晶體管的概念與它的優(yōu)越性，其次介紹了晶體管的開關作用及集成NPN晶體管概述，最后介紹了縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別。
2018-05-17 17:35:1730698 
新型晶體管依靠移動一個銀原子開啟或關閉電路。材料科學新聞網站Nanowerk稱這種晶體管是世界上最小的晶體管。更重要的是，新型晶體管被描述為“量子開關”，這意味著它可以比目前的晶體管攜帶更復雜的信息。
2018-08-21 10:23:443464 晶體管的問世，是20世紀的一項重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號角。
2018-08-26 10:53:2819582 1Hz信號發(fā)生器,Signal Generator
關鍵字：1Hz信號發(fā)生器
1Hz信號發(fā)生器
本人設計一臺頻率計；要用到1Hz信號
2018-09-20 19:21:112636 1Hz至1MHz的信號發(fā)生電路,1Hz~1MHz Signal generating circuit
關鍵字：運放方波信號發(fā)生電路
以
2018-09-20 19:58:212834 晶體管的問世，是20世紀的一項重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號角。
2019-02-19 14:53:429453 放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝，也可以在很小的區(qū)域內封裝，可以容納1億或更多晶體管集成電路的一部分。因此，本文將詳細介紹CPU中有多少個晶體管？
2019-08-18 09:49:0331852 本文首先闡述了晶體管的用途及重要性，另外還分析了晶體管的三個工作區(qū)。
2020-03-14 10:31:5023792 來源：內容編譯自「moneymorning」。 1959年，貝爾實驗室的研究人員Dawon Kahng和Mohammed Atalla開發(fā)了世界上第一個真正的緊湊型半導體MOSFET晶體管，這不是
2020-09-17 09:56:342439 在73年前的今天，1947年12月23日（農歷1947年11月12日），晶體管問世。1947年12月23日，美國科學家巴丁博士、布菜頓博士和肖克萊博士，在導體電路中進行用半導體晶體放大聲音信號的實驗時，發(fā)明．了科技史上具有劃時代意義的成果一一晶體管
2020-12-24 12:30:4411355 晶體管的問世，是20世紀的一項重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號角。
2021-03-17 11:35:0614064 在開發(fā)出第一個點接觸晶體管之后，貝爾實驗室的一個團隊發(fā)明了光電晶體管。當時，大量的開發(fā)工作正在啟動。盡管光電晶體管的歷史不像其他半導體的早期發(fā)展那樣被公開，但它無疑是一個非常重要的發(fā)展。
2021-09-17 15:53:094833 大家都知道芯片使由晶體管構成的，一個芯片由小到幾十，大到超百億晶體管構成。像華為麒麟990芯片，就是由103億顆晶體管組成的。
2021-12-14 13:49:1420534 數字晶體管是帶有電阻的晶體管。 有的只在基極串聯一個電阻，一般稱為R1，有的還在基極和發(fā)射極之間并聯一個電阻R2。 電阻R1有多種電阻，類似于標準電阻系列。 電阻器 R2 類似于 R1。 電阻R1
2022-05-12 18:07:012964 這是帶有板上芯片（COB）的1Hz時鐘發(fā)生器電路。通常，為數字時鐘和計數器電路應用產生1Hz時鐘的電路將IC與晶體和微調電容器等結合使用。
2022-06-07 10:43:503854 
硅晶體管的發(fā)展導致更多基于硅的晶體管的發(fā)明，例如金屬氧化物半導體晶體管(MOSFET)。第一個 MOSFET由貝爾實驗室研究員 John Atalla 于 1960 年制造。該設計基于 Shockley 的場效應理論。
2022-08-05 12:52:135164 雙極結型晶體管使用幾乎相同的原理實現放大，但具有兩個半導體界面或結，而不是一個。與點接觸晶體管一樣，施加的電壓克服勢壘并使電流流動，該電流由較小的輸入電流調制。
2022-11-22 21:12:224340 晶體管是一種電子器件，它有三個電極：基極、集電極和發(fā)射極。
基極是晶體管的輸入端，也稱為“正向基極”，是一個半導體金屬片，通常是一個鍍錫或鍍銀的金屬片，用于將外部信號引入到晶體管內部。
2023-02-11 15:23:1324651 要判斷晶體管的類型，首先要查看晶體管的型號，一般情況下，晶體管的型號會標明其類型，如2N3904就是NPN晶體管，2N3906就是PNP晶體管。此外，還可以通過查看晶體管的外形來判斷其類型，NPN晶體管的外形一般是三角形，而PNP晶體管的外形一般是圓形。
2023-02-17 16:14:008272 晶體管包括NPN晶體管、PNP晶體管、雙極晶體管、三極晶體管等。
2023-02-17 16:32:493587 芯片上集成晶體管的方法有很多，其中最常用的是封裝技術，即將晶體管封裝在芯片上，使其成為一個整體，從而實現晶體管的集成。另外，還可以使用芯片上的晶體管模塊，將晶體管模塊連接到芯片上，從而實現晶體管的集成。
2023-02-19 14:02:155730 （William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實驗室制造出第一個晶體管。 晶體管是現代電器的最關鍵的元件之一。晶體管之所以能夠大規(guī)模使用是因為它能以極低的單位成本被大規(guī)模生產。 1947年12月，美國貝
2023-05-16 11:06:203183 （William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實驗室制造出第一個晶體管。 晶體管是現代電器的最關鍵的元件之一。晶體管之所以能夠大規(guī)模使用是因為它能以極低的單位成本被大規(guī)模生產。 同電子管相比
2023-05-16 11:12:592083 1947年，當John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個能正常工作的晶體管時，他們未曾想到，晶體管如今會成為電子產品的最重
2023-06-16 18:25:031645 
1947年，當John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個能正常工作的晶體管時，他們未曾想到，晶體管如今會成為電子產品的最重
2023-07-17 09:50:461214 
晶體管的下一個25年
2023-11-27 17:08:001673 
[半導體前端工藝：第一篇] 計算機、晶體管的問世與半導體
2023-11-29 16:24:591063 
晶體管的問世，是20世紀的一項重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號角。
2023-12-13 16:42:312588 
晶體管是一種半導體器件，用于放大電信號、開關電路和邏輯運算等。它是現代電子技術和計算機科學的核心之一。在晶體管中，有三個電極：基極、發(fā)射極和集電極。這三個電極的電壓之間的關系對于理解晶體管的工作原理
2023-12-20 14:50:499245
電子發(fā)燒友App
工商網監(jiān)
評論