chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

晶體管的第一個(gè)76年:變小了,卻變大了?

新思科技 ? 來(lái)源:未知 ? 2023-06-16 18:25 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

1947年,當(dāng)John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個(gè)能正常工作的晶體管時(shí),他們未曾想到,晶體管如今會(huì)成為電子產(chǎn)品的最重要組成部分。晶體管被譽(yù)為20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一,它改進(jìn)了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷,為電子設(shè)備的發(fā)展奠定了基礎(chǔ),也為人們帶來(lái)了便捷高效的數(shù)字化生活。

晶體管從發(fā)明到現(xiàn)在已經(jīng)過(guò)去了76年。毫無(wú)疑問(wèn),76年的時(shí)間對(duì)于普通人而言是一個(gè)巨大的跨越,我們可能已經(jīng)無(wú)法想象出沒(méi)有晶體管的世界是什么樣子了。76年來(lái),無(wú)數(shù)工程師和開(kāi)發(fā)者們前赴后繼,在一次又一次的顛覆式創(chuàng)新中重塑晶體管的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用。如今,智能手機(jī)處理器集成平均100億個(gè)晶體管,想必已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超乎Bardeen、Brattain和Shockley的想象。

本文將回顧晶體管的歷史,探討其未來(lái)的發(fā)展方向,并分析晶體管基本結(jié)構(gòu)的更新?lián)Q代,以及最新的Multi-Die系統(tǒng)的應(yīng)用前景。

c123b622-0c2d-11ee-962d-dac502259ad0.png

晶體管的發(fā)明靈感從何而來(lái)?

從第一個(gè)點(diǎn)接觸型晶體管圖1)出現(xiàn)后,晶體管已經(jīng)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。但在晶體管誕生之前,電子的發(fā)現(xiàn)和真空管的發(fā)明已經(jīng)成為了電子技術(shù)發(fā)展的里程碑。

c13c2ce8-0c2d-11ee-962d-dac502259ad0.png

圖1:點(diǎn)接觸型晶體管示意圖

電子比真空管的出現(xiàn)早10年,又過(guò)了40年晶體管才誕生。真空管可在“開(kāi)”和“關(guān)”狀態(tài)之間切換電信號(hào)電源(類(lèi)似于繼電器)并放大信號(hào),有效控制電路中電子的流動(dòng),為數(shù)字設(shè)計(jì)和模擬設(shè)計(jì)奠定了基礎(chǔ)。

真空管有一個(gè)玻璃管,里面有一根金屬燈絲,很像電燈泡。它開(kāi)啟了電子產(chǎn)品的新紀(jì)元,推動(dòng)了臺(tái)式收音機(jī)和早期計(jì)算機(jī)的出現(xiàn),但這些設(shè)備都存在體積大、功耗高的缺點(diǎn)。晶體管由一小塊矩形半導(dǎo)體材料(硅或鍺)制成,有助于大幅降低現(xiàn)有設(shè)計(jì)的功耗,并構(gòu)建更龐大、更復(fù)雜的系統(tǒng)。

十年后,可排布多個(gè)晶體管和其他電子元件的集成電路(IC)出現(xiàn),成為推動(dòng)晶體管普及的核心驅(qū)動(dòng)力。1969年人類(lèi)首次成功登月,阿波羅11號(hào)航天器登月艙和兩臺(tái)指揮計(jì)算機(jī)中嵌入的IC功不可沒(méi),這是使用真空管無(wú)法實(shí)現(xiàn)的壯舉。

c16e22f2-0c2d-11ee-962d-dac502259ad0.png

滿(mǎn)足新興的應(yīng)用需求

應(yīng)用在尺寸、性能和功耗方面不斷產(chǎn)生新的需求,推動(dòng)晶體管不斷發(fā)展。如今,復(fù)雜架構(gòu)系統(tǒng)中集成了數(shù)十億個(gè)晶體管,電子設(shè)備因此得以實(shí)現(xiàn)微型化,開(kāi)發(fā)者可以打造更高效可靠的設(shè)備。

c1830168-0c2d-11ee-962d-dac502259ad0.png

圖2:CMOS晶體管示意圖

應(yīng)用的發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段,這也影響著晶體管過(guò)去幾十年的發(fā)展歷程。

第一階段是縮小通信和計(jì)算設(shè)備的尺寸,例如小型收音機(jī)或計(jì)算機(jī),就像阿波羅11號(hào)所用的計(jì)算機(jī)。隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)的不斷普及,應(yīng)用的發(fā)展進(jìn)入第二階段,即提升應(yīng)用本身的能力:利用計(jì)算機(jī)等功能強(qiáng)大的創(chuàng)新設(shè)備執(zhí)行新的功能,例如用計(jì)算機(jī)寫(xiě)文檔或玩游戲。這一思路也推動(dòng)了IC的發(fā)展。

到了第三階段,IC和晶體管開(kāi)始用于移動(dòng)電話(huà)、數(shù)碼相機(jī)、音樂(lè)播放器以及集成了所有這些功能的智能手機(jī)。這是一個(gè)劃時(shí)代的突破,堪比2007年的MacWorld Expo,當(dāng)時(shí)史蒂夫·喬布斯發(fā)布了史上第一款iPhone,將手機(jī)、PC和iPod的功能融為一體。

c1a0f7e0-0c2d-11ee-962d-dac502259ad0.png

轉(zhuǎn)向Multi-Die系統(tǒng)

1960年代后,IC通常使用傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)來(lái)設(shè)計(jì)數(shù)字電路。之后幾十年,IC逐步向更新的結(jié)構(gòu)過(guò)渡:2011年,F(xiàn)inFET(鰭式場(chǎng)效)晶體管(圖3)面世了;預(yù)計(jì)到2024年,更加優(yōu)化的GAA(全環(huán)繞柵極)晶體管將成為技術(shù)推進(jìn)的主流。它著重于于克服鰭式結(jié)構(gòu)的表面粗糙所帶來(lái)的技術(shù)限制。

c1b3da40-0c2d-11ee-962d-dac502259ad0.png

圖3:英特爾從32納米平面晶體管(左)過(guò)渡到22納米的三柵極FinFET晶體管(右)

除了縮小晶體管尺寸、提高晶體管密度外,開(kāi)發(fā)者還致力于開(kāi)發(fā)新材料、優(yōu)化設(shè)備的功耗并提升計(jì)算速度。

單個(gè)芯片能容納的晶體管數(shù)量是有限的,制造商已經(jīng)接近這一物理極限,未來(lái)的芯片將在單個(gè)封裝中集成多個(gè)小芯片,在某些情況下將采用垂直堆疊。雖然部分晶體管可以使用GAA技術(shù)設(shè)計(jì),但有些晶體管仍需采用平面架構(gòu),以便嵌入1D或2D設(shè)備。

Multi-Die系統(tǒng)幫助開(kāi)發(fā)者擴(kuò)展系統(tǒng)功能,已成為半導(dǎo)體行業(yè)的主流,這讓開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)擁有了更多工具,更有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化的3D集成。

未來(lái)的晶體管將趨向高度專(zhuān)用化,這也為團(tuán)隊(duì)帶來(lái)了機(jī)遇和挑戰(zhàn)。不僅需要確保系統(tǒng)能容納不同類(lèi)型的晶體管,也要確保系統(tǒng)可以高效運(yùn)行。其關(guān)鍵在于采用以系統(tǒng)為中心的設(shè)計(jì)思維,自下而上地建構(gòu)式設(shè)計(jì)晶體管。

c1d9ac98-0c2d-11ee-962d-dac502259ad0.png

VR頭盔到飛行器:下一波會(huì)是什么?

電路開(kāi)發(fā)者期望盡量少選擇不同特定類(lèi)型的晶體管。然而,無(wú)論在芯片級(jí)還是系統(tǒng)級(jí)的應(yīng)用中,未來(lái)的晶體管的選擇都將由專(zhuān)用領(lǐng)域和特定材料來(lái)決定。

在這樣的背景下,摩爾定律如何“續(xù)命”?新思科技認(rèn)為,摩爾定律仍將延續(xù),但我們需要重新定義“晶體管密度”。

例如,我們是否還需要考慮單位面積或單位計(jì)算方式的晶體管數(shù)量?鑒于單位計(jì)算方式已經(jīng)將三維體積和最大橫截面考慮在內(nèi),隨著晶體管的尺寸不斷縮小,這或?qū)⒊蔀楹饬烤w管性能和速度的更好指標(biāo)。

如今的應(yīng)用致力于擴(kuò)展人類(lèi)感知、觀察、理解世界的能力,虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)的發(fā)展令人興奮。同樣,自動(dòng)駕駛汽車(chē)也在使用各種以集成電路驅(qū)動(dòng)的傳感器、攝像頭以及其他電子系統(tǒng)去提取信息,保證安全行駛。

從最初的單個(gè)晶體管到現(xiàn)在龐大的芯片系統(tǒng),晶體管變得更小、更輕,成本也更低。這帶來(lái)了新的機(jī)遇,例如協(xié)同設(shè)計(jì)硬件系統(tǒng)及其運(yùn)行的軟件。

當(dāng)下再一次掀起的晶體管發(fā)明的熱潮,潛力巨大,未來(lái)可期。而實(shí)現(xiàn)突破的關(guān)鍵在于找到一種更好的方法,以系統(tǒng)為中心設(shè)計(jì)小芯粒,通過(guò)更優(yōu)化的晶體管,從而助力創(chuàng)造更美好的數(shù)智未來(lái)。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 新思科技
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    944

    瀏覽量

    52819

原文標(biāo)題:晶體管的第一個(gè)76年:變小了,卻變大了?

文章出處:【微信號(hào):Synopsys_CN,微信公眾號(hào):新思科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含個(gè)晶體管
    的頭像 發(fā)表于 11-24 16:27 ?639次閱讀
    MUN5136數(shù)字<b class='flag-5'>晶體管</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期 以前發(fā)表過(guò)關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章,這期我將介紹下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示: 當(dāng)輸入電壓
    發(fā)表于 11-17 07:42

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    內(nèi)建電場(chǎng)來(lái)控制晶體管對(duì)電壓的選擇性通斷,如圖: 該晶體管由兩個(gè)PN結(jié)組成,第一個(gè)晶體管PN結(jié)在外加電場(chǎng)下正向偏置,減
    發(fā)表于 09-15 15:31

    晶體管架構(gòu)的演變過(guò)程

    芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,
    的頭像 發(fā)表于 07-08 16:28 ?2150次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>架構(gòu)的演變過(guò)程

    晶體管光耦的工作原理

    器件的特性。工作原理概述1.發(fā)光器件:晶體管光耦通常包含個(gè)發(fā)光二極(LED)作為光源。當(dāng)電流通過(guò)LED時(shí),它會(huì)發(fā)出特定波長(zhǎng)的光。2.光敏器件:光耦的另
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:15 ?762次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦的工作原理

    代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決!

    心存疑慮,根據(jù)imec在2025VSLI研討會(huì)上的最新聲明,這家研究巨頭開(kāi)發(fā)了種全新的尖端叉片晶體管設(shè)計(jì)方法,解決制造難題,這將推動(dòng)晶體管
    發(fā)表于 06-20 10:40

    鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢(shì)

    自半導(dǎo)體晶體管問(wèn)世以來(lái),集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)?b class='flag-5'>年番,而這進(jìn)步在過(guò)去幾十
    的頭像 發(fā)表于 06-03 18:24 ?1655次閱讀
    鰭式場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>的原理和優(yōu)勢(shì)

    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1234次閱讀
    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解

    什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

    是關(guān)于晶體管的詳細(xì)解析: 、核心定義與歷史背景 ?定義?: 晶體管利用半導(dǎo)體材料(如硅、鍺)的特性,通過(guò)輸入信號(hào)(電流或電壓)控制輸出電流,實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路通斷。 ?發(fā)明?: 1947
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:02 ?4090次閱讀

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    內(nèi)建電場(chǎng)來(lái)控制晶體管對(duì)電壓的選擇性通斷,如圖: 該晶體管由兩個(gè)PN結(jié)組成,第一個(gè)晶體管PN結(jié)在外加電場(chǎng)下正向偏置,減
    發(fā)表于 04-15 10:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下) [日 鈴木雅臣]

    本書(shū)主要介紹晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨電路的設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
    發(fā)表于 03-07 13:55

    晶體管電路設(shè)計(jì)(上)[日 鈴木雅臣]

    本書(shū)主要介紹晶體管和FET的工作原理,放大電路的工作,增強(qiáng)輸出的電路,小型功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,拓寬頻率特性,視頻選擇器的設(shè)計(jì)和制作,渥爾曼電路的設(shè)計(jì),負(fù)反饋放大電路的設(shè)計(jì),直流穩(wěn)定電源的設(shè)計(jì)與制作,差動(dòng)放大電路的設(shè)計(jì),op放大器電路的設(shè)計(jì)與制
    發(fā)表于 03-07 13:46

    晶體管電路設(shè)計(jì)與制作

    這本書(shū)介紹晶體管的基本特性,單電路的設(shè)計(jì)與制作, 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作,3~5電路的設(shè)計(jì)與制作,6以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書(shū)中具體內(nèi)容
    發(fā)表于 02-26 19:55