/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2024-12-03 01:03:29
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近年來,“小型化”、“高功能化”、“設(shè)計(jì)靈活性”已經(jīng)成為半導(dǎo)體元器件技術(shù)發(fā)展趨勢。在此我們需要考慮的是半導(dǎo)體元器件的這些趨勢將對熱和熱設(shè)計(jì)產(chǎn)生怎樣的影響。
2020-12-11 14:33:37
4149 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的重要元件,它們的工作原理和性能特性都與一些基本的物理公式和參數(shù)緊密相關(guān)。本文將詳細(xì)闡述半導(dǎo)體器件的基本公式,包括半導(dǎo)體物理與器件的關(guān)鍵參數(shù)、公式以及PN結(jié)的工作原理等。
2024-06-18 09:56:28
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功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列
2024-10-22 08:01:58
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功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列
2024-11-05 08:02:11
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功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列
2024-11-26 01:02:07
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樣品活動進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證
2024-12-16 17:22:25
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MOSFET的熱阻(Rth)用來表征器件散熱的能力,即芯片在工作時內(nèi)部結(jié)產(chǎn)生的熱量沿著表面金屬及塑封料等材料向散熱器或者環(huán)境傳遞過程中所遇到的阻力,單位是℃/W,其值越小越好。
2025-06-03 15:30:16
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========================================Agilent HP 4155C 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀4155c半導(dǎo)體測試儀是Agilent下一代精密半導(dǎo)體測試儀。4155c是描述高級器件
2019-09-25 11:45:16
本人接觸質(zhì)量工作時間很短,經(jīng)驗(yàn)不足,想了解一下,在半導(dǎo)體行業(yè)中,由于客戶端使用問題造成器件失效,失效率為多少時會接受客訴
2024-07-11 17:00:18
半導(dǎo)體器件熱譜分析方法
2016-04-18 16:38:19
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體器件型號由五部分(場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。
2011-10-23 22:05:11
半導(dǎo)體器件物理(胡正明)
2020-09-22 19:57:16
請問半導(dǎo)體分立器件怎么分類?
2011-10-26 10:29:14
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件,當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時,在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量,可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù),其特點(diǎn)是無運(yùn)動部件,可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么?半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成,我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù),所須制程多達(dá)二百至三百個步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個元器件的電性參數(shù)和性能,那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
近年來,全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測基地。如IDM類(吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
1. 本征半導(dǎo)體及其特點(diǎn) 純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在熱“激發(fā)”條件下,本征半導(dǎo)體中的電子和空穴是成對產(chǎn)生的;當(dāng)電子和空穴相遇“復(fù)合”時,也成對消失;電子和空穴都是載流子溫度越高,“電子—空穴
2021-05-24 08:05:48
本人小白,最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線,主要是小型貼片器件封裝,例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到,能進(jìn)行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息,以及這些設(shè)備的國內(nèi)外生產(chǎn)廠家,在此先行感謝!
2022-01-22 12:26:47
的防雷器件呢?這就是優(yōu)恩半導(dǎo)體要講的重點(diǎn)了。 首先要掌握各類電子保護(hù)器件的工作原理、特性參數(shù)以及選型標(biāo)準(zhǔn)。優(yōu)恩半導(dǎo)體就以半導(dǎo)體放電管的選型為例,介紹一下怎么選型? 半導(dǎo)體放電管特性參數(shù): ①斷態(tài)電壓VRM
2017-03-20 14:45:41
接觸處形成位壘,因而這類接觸具有單向?qū)щ娦?。利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?,可以制成具有不同功能?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體器件,如二極管、三極管、晶閘管等。此外,半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對外界前提(如熱、光、電、磁等因素)的變化非常
2013-01-28 14:58:38
要的是,如果在純諍 的半導(dǎo)體中加入適量的微量雜質(zhì)后,可使其導(dǎo)電能力增加至數(shù)十萬倍以上。利用 這一特性,已經(jīng)做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件(如二極管、三極管、場效應(yīng)管 和晶閘管等)。溫度、光照和適量摻入雜質(zhì)
2017-07-28 10:17:42
要的是,如果在純諍 的半導(dǎo)體中加入適量的微量雜質(zhì)后,可使其導(dǎo)電能力增加至數(shù)十萬倍以上。利用 這一特性,已經(jīng)做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件(如二極管、三極管、場效應(yīng)管 和晶閘管等)。溫度、光照和適量摻入雜質(zhì)
2018-02-11 09:49:21
半導(dǎo)體芯片焊接方法芯片焊接(粘貼)方法及機(jī)理 芯片的焊接是指半導(dǎo)體芯片與載體(封裝殼體或基片)形成牢固的、傳導(dǎo)性或絕緣性連接的方法。焊接層除了為器件提供機(jī)械連接
2010-02-26 08:57:57
許多半導(dǎo)體器件在脈沖功率條件下工作,器件的溫升與脈沖寬度及占空比有關(guān),因此在許多場合下需要了解器件與施加功率時間相關(guān)的熱特性;除了與功率持續(xù)時間外,半導(dǎo)體器件的瞬態(tài)熱阻與器件材料的幾何尺寸、比熱容、熱擴(kuò)散系數(shù)有關(guān),因此半導(dǎo)體器件的熱瞬態(tài)特性可以反映出器件內(nèi)部的很多特性
2019-05-31 07:36:41
。
2.**新器件性能評估**
對于新開發(fā)的半導(dǎo)體器件(如新型的晶體管結(jié)構(gòu)、光電器件等),測試設(shè)備可以對其性能進(jìn)行全面評估。在開發(fā)新型的光電探測器時,測試設(shè)備可以測量探測器的響應(yīng)速度、量子效率等參數(shù)
2025-10-10 10:35:17
DCT1401半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)西安天光測控DCT1401半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)(如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs
2022-02-17 07:44:04
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比,GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢:禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導(dǎo)率更高,使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前,GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
代理商服務(wù)內(nèi)容:1.封裝器件熱阻測試2.封裝器件內(nèi)部“缺陷”辨認(rèn)3.結(jié)構(gòu)無損檢測4.老化試驗(yàn)表征手段5.接觸熱阻測試6.熱電參數(shù)測試包括:(1)電壓溫度變化曲線;(2)光通量溫度變化曲線;(3)光功率
2015-07-29 16:05:13
的問題,那么功耗與散熱的問題就需要關(guān)注一個叫熱阻的東西。經(jīng)常查看半導(dǎo)體的規(guī)格書的時候,幾乎都會有關(guān)于熱阻的參數(shù),經(jīng)常看到的是Rja,Rjc,R***這三個參數(shù),對于這三個參數(shù)很多人都搞不清楚,在實(shí)際運(yùn)用中
2021-09-08 08:42:59
功率半導(dǎo)體器件概述功率半導(dǎo)體器件基本概念功率半導(dǎo)體器件(Power Semiconductor Device)又稱電力電子器件(Power Electronic Device)。1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室
2019-02-26 17:04:37
的分層,導(dǎo)致了芯片粘結(jié)層的熱阻增大。對樣品不同階段的熱阻測試,可得到每層結(jié)構(gòu)的熱阻變化,根據(jù)變化分析老化機(jī)理,從而改善產(chǎn)品散熱性能。 5.接觸熱阻的測量隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷成熟,熱界面材料的熱性
2015-07-27 16:40:37
BSIMProPlus?是業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件SPICE建模平臺,在其產(chǎn)品二十多年的歷史中一直為全球SPICE建模市場和技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,被全球一百多家領(lǐng)先的集成電路制造和設(shè)計(jì)公司作為標(biāo)準(zhǔn)SPICE
2020-07-01 09:36:55
如圖所示,為什么光耦驅(qū)動MOSFET經(jīng)常被燒壞?
2018-12-25 16:04:01
1,半導(dǎo)體基礎(chǔ)2,PN節(jié)二極管3,BJT和其他結(jié)型器件4,場效應(yīng)器件
2020-11-27 10:09:56
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率,但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動力?! 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET,常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC,常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
我想用單片機(jī)開發(fā)板做個熱療儀,開發(fā)板是某寶上買的那種,有兩個猜想:一個用半導(dǎo)體制冷片發(fā)熱,一個用電熱片。但我不會中間要不要接個DA轉(zhuǎn)換器還是繼電器什么的,查過一些資料,如果用半導(dǎo)體制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
根據(jù)不同的誘因,常見的對半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體,機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時,設(shè)備由于放電而發(fā)生充電,設(shè)備接地,放電電流將立即流過電路,導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
。使用Ansys軟件進(jìn)行激光器熱分析可以做到模型建立便捷,施加載荷直觀,求解速度快,圖形顯示功能強(qiáng)大,可以應(yīng)用于各類半導(dǎo)體激光器件的熱學(xué)特性分析?!娟P(guān)鍵詞】:半導(dǎo)體激光器;;Ansys有限元軟件;;熱分析
2010-05-04 08:04:50
?! ?、內(nèi)絕緣封裝熱阻優(yōu)勢明顯 對比基本半導(dǎo)體三種TO-220封裝的(10A晶片)熱阻參數(shù),可發(fā)現(xiàn)內(nèi)絕緣封裝比全塑封封裝熱阻更低,鐵封封裝因需在外部裝陶瓷片或硅膠布,最后的系統(tǒng)熱阻更高,與內(nèi)絕緣封裝系統(tǒng)
2023-02-28 17:06:57
常用半導(dǎo)體器件本章要求:一、理解PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕龢O管的電流分配和 &
2009-09-30 18:12:20
;第五部分表示規(guī)格。具體規(guī)定見表 3.1 所示。2.日本常用半導(dǎo)體器件的型號命名標(biāo)準(zhǔn) 3.美國常用半導(dǎo)體器件的型號命名標(biāo)準(zhǔn) 4.常用的整流二極管型號及性能 5.硅高頻小功率三極管參數(shù) 6.部分國外硅高頻
2017-11-06 14:03:02
,掌握它們的特性和參數(shù)。本章從討論半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性和PN 結(jié)的單向?qū)щ娦蚤_始,分別介紹二極管、雙極型晶體管、絕緣柵場效應(yīng)晶體管和半導(dǎo)體光電器件等常用的半導(dǎo)體元器件。喜歡的頂一頂,介紹的非常詳細(xì)哦。。。。[此貼子已經(jīng)被作者于2008-5-24 11:05:21編輯過]
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
一臺半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測量儀器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀,能夠測量 IV、CV、脈沖/動態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
半導(dǎo)體器件的熱阻和散熱器設(shè)計(jì)
半導(dǎo)體器件的熱阻:功率半導(dǎo)體器件在工作時要產(chǎn)生熱量,器件要正常工作就需要把這些熱量散發(fā)掉,使器件的工作溫度低于其
2010-03-12 15:07:52
63 半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)&能測 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)(如擊穿電壓V(BR)CES/V
2024-07-30 08:56:15
半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)&能測 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)(如擊穿電壓V(BR)CES/V
2024-07-30 09:01:22
特點(diǎn)一臺半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測量儀器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀,能夠測量 IV、CV、脈沖/動態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征
2024-12-17 10:58:19
半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類
半導(dǎo)體器件從肯有2個管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究,且被廣泛地運(yùn)用于手機(jī)、數(shù)碼家電產(chǎn)品
2010-03-01 17:25:02
6526 半導(dǎo)體器件熱特性測試儀的性能指標(biāo)設(shè)計(jì)要求 1、快速。 2、高精度。 3、測量的程序化及自動化 4、測量數(shù)據(jù)分析擬和的自動化 5、測量恒溫平臺的自動恒溫控制
2011-10-31 16:31:07
16 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻測試方法 本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路陶瓷、金屬、塑料封裝結(jié)到外殼熱阻的測量
2011-11-22 17:39:04
70 之間的比值,單位是℃/W或者是K/W。
半導(dǎo)體散熱的三個途徑,封裝頂部到空氣,封裝底部到電路板,封裝引腳到電路板。
結(jié)到空氣環(huán)境的熱阻用ThetaJA表示,ThetaJA = (Tj-Ta)/P...
2022-02-09 11:39:38
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之間的比值,單位是℃/W或者是K/W。
半導(dǎo)體散熱的三個途徑,封裝頂部到空氣,封裝底部到電路板,封裝引腳到電路板。
結(jié)到空氣環(huán)境的熱阻用ThetaJA表示,ThetaJA = (Tj-Ta)/P...
2021-01-31 07:14:24
49 MT-006:ADC噪聲系數(shù) - 一個經(jīng)常被誤解的參數(shù)
2021-03-21 04:14:32
16 電子設(shè)備中半導(dǎo)體元器件的熱設(shè)計(jì) 熱量通過物體和空間傳遞。傳遞是指熱量從熱源轉(zhuǎn)移到他處。 01 左中括號三種熱傳遞形式左中括號 熱傳遞主要有三種形式:傳導(dǎo)、對流和輻射。 傳導(dǎo):由熱能引起的分子運(yùn)動被
2021-03-31 09:38:34
3123 
IGBT熱阻的研究對于延長IGBT的使用壽命和提高其應(yīng)用可靠性具有重要的現(xiàn)實(shí)意義,目前獲取IGBT熱阻參數(shù)的試驗(yàn)方法多為熱敏參數(shù)法,該方法方便簡潔、對硬件要求低,但是傳統(tǒng)的熱敏參數(shù)法需要測量器件的殼
2021-04-29 09:15:08
5700 
功率半導(dǎo)體器件風(fēng)冷散熱器熱阻計(jì)算方法。
2021-04-28 14:35:26
45 眾所周知,隨著溫度升高,電子器件可靠性和壽命將呈指數(shù)規(guī)律下降。對于LED產(chǎn)品和器件來說,選用導(dǎo)熱系數(shù)和熱阻盡可能小的原材料是改善產(chǎn)品散熱狀況、提高產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。在LED產(chǎn)品中,經(jīng)常
2021-07-15 16:01:38
1472 。通常,LED器件在應(yīng)用中,結(jié)構(gòu)熱阻分布為芯片襯底、襯底與LED支架的粘結(jié)層、LED支架、LED器件外掛散熱體及自由空間的熱阻,熱阻通道成串聯(lián)關(guān)系。
2021-05-26 15:45:15
4025 
半導(dǎo)體熱阻問題分析下載。
2021-05-27 15:32:20
13 )是一個推動半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)化的行業(yè)組織。半導(dǎo)體制造商以及電力電子領(lǐng)域的從業(yè)者不可避免地會涉及到很多行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。作為大原則,無論熱相關(guān)的項(xiàng)目還是其他項(xiàng)目,其測試方法和條件等都要符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。其原因不言而喻:因?yàn)槿绻椒ê蜅l件各不不同,就無法比較和判斷好壞。 在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)中,與“熱”相關(guān)的
2021-10-09 17:06:06
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上表面中心間的熱特性參數(shù) 為了便于具體理解這兩個概念,下面給出了表示θJA和ΨJT的示意圖。 (點(diǎn)擊查看大圖) θJA是從結(jié)點(diǎn)到周圍環(huán)境之間的熱阻,存在多條散熱路徑。ΨJT是從結(jié)點(diǎn)到封裝上表面中心的熱特性參數(shù)。 此外,還定義了結(jié)點(diǎn)與封裝上表面之間的熱阻θJC-TOP和結(jié)
2021-10-19 10:50:45
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。通常,LED器件在應(yīng)用中,結(jié)構(gòu)熱阻分布為芯片襯底、襯底與LED支架的粘結(jié)層、LED支架、LED器件外掛散熱體及自由空間的熱阻,熱阻通道成串聯(lián)關(guān)系。 LED燈具作為新型節(jié)能燈具在照明過程中只是將30-40%的電能轉(zhuǎn)換成光,其余的全部變成了熱能,
2021-11-15 15:13:02
3224 其中,RJC表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻;RCS表示外殼至散熱片的熱阻;RSA表示散熱片到環(huán)境的熱阻。
2022-08-19 15:26:55
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安森美半導(dǎo)體器件中使用的熱傳感方法
2022-11-15 20:26:47
0 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,一直需要解決小型化、高效化、EMC(電磁兼容性)等課題,近年來,半導(dǎo)體元器件的熱對策已經(jīng)越來越受到重視,半導(dǎo)體元器件的熱設(shè)計(jì)已成為新的課題。
2023-02-13 09:30:16
1720 上一篇大致介紹了半導(dǎo)體元器件熱設(shè)計(jì)的重要性。本文我們希望就半導(dǎo)體元器件的熱設(shè)計(jì)再進(jìn)行一些具體說明。近年來,“小型化”、“高功能化”、“設(shè)計(jì)靈活性”已經(jīng)成為半導(dǎo)體元器件技術(shù)發(fā)展趨勢。在此我們需要考慮的是半導(dǎo)體元器件的這些趨勢將對熱和熱設(shè)計(jì)產(chǎn)生怎樣的影響。
2023-02-13 09:30:16
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上一篇介紹了半導(dǎo)體元器件的熱設(shè)計(jì)要適應(yīng)技術(shù)發(fā)展變化趨勢的必要性。本文中將介紹近年來半導(dǎo)體元器件的熱設(shè)計(jì)工作,如果沒有設(shè)備設(shè)計(jì)相關(guān)的所有技術(shù)部門之間的相互了解,就無法很好地進(jìn)行半導(dǎo)體元器件熱設(shè)計(jì)。
2023-02-13 09:30:16
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在現(xiàn)代工業(yè)和科學(xué)領(lǐng)域中,熱阻濕阻測試儀是一種重要的儀器設(shè)備,用于評估材料和設(shè)備的熱阻和濕阻性能。它通過測量熱量和濕氣的傳導(dǎo)、傳遞和耗散來了解材料的熱性能、絕緣性能以及潮濕環(huán)境下的阻抗能力等關(guān)鍵參數(shù)
2023-06-29 14:07:53
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、噪聲、溫度特性、功耗等。在這些性能指標(biāo)中,還有一項(xiàng)常常被忽略但是極其重要的——線性度。線性度是指當(dāng)器件的輸入和輸出信號之間存在一個線性關(guān)系時,器件輸出對輸入的響應(yīng)是否準(zhǔn)確、穩(wěn)定和可重復(fù)。線性度是一個衡量半導(dǎo)體
2023-08-29 16:19:29
1730 什么是半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)? 半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代電子技術(shù)的關(guān)鍵材料之一。它們具有獨(dú)特的電學(xué)性能,包括可調(diào)的電阻率和壓阻效應(yīng)。壓阻效應(yīng)是指半導(dǎo)體材料在受到外力或應(yīng)力作用時導(dǎo)電性能的變化。在本文中,我們將
2023-09-19 15:56:55
6941 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《估算虛溫之使用半導(dǎo)體二極管的動態(tài)熱阻曲線.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 10:35:27
1 對于半導(dǎo)體器件而言熱阻是一個非常重要的參數(shù)和指標(biāo),是影響半導(dǎo)體性能和穩(wěn)定性的重要因素。如果熱阻過大,那么半導(dǎo)體器件的熱量就無法及時散出,導(dǎo)致半導(dǎo)體器件溫度過高,造成器件性能下降,甚至損壞器件。因此,半導(dǎo)體熱阻測試是必不可少的,納米軟件將帶你了解熱阻測試的方法。
2023-11-08 16:15:28
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。具體來說,熱阻是單位熱量在通過特定材料或系統(tǒng)時,所產(chǎn)生的溫度差的量度。 熱阻是一個衡量熱量在兩點(diǎn)之間傳遞能力的參數(shù),它通過計(jì)算兩點(diǎn)之間的溫度差與流經(jīng)這兩點(diǎn)的熱流量(即單位時間內(nèi)傳遞的熱量)的比值來得出。當(dāng)熱阻較高時,表明熱量傳遞受到較大的
2024-02-06 13:44:30
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PCB熱阻,全稱為印制電路板熱阻,是衡量印制電路板散熱性能的一個重要參數(shù)。它是指印制電路板上的發(fā)熱元件(如電子器件)與環(huán)境之間的熱阻值,用于評估電路板在工作過程中對熱量的傳導(dǎo)和散發(fā)能力。 在電子設(shè)備
2024-05-02 15:34:00
3862 隨著半導(dǎo)體器件不斷向高頻、高功率、高集成度方向發(fā)展,器件的有源區(qū)工作溫升也隨之升高,導(dǎo)致性能及長期可靠性降低。為了有效進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)和性能檢測,必須精確測量器件有源區(qū)溫度變化并分析熱阻構(gòu)成分布,這對半導(dǎo)體
2024-05-16 08:57:44
1365 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。第一講《功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)----功率半導(dǎo)體的熱阻》,已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來了,那自然會
2024-10-29 08:02:48
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/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2024-11-19 01:01:53
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樣品活動進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證
2024-12-23 17:31:08
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,這些問題如果不加以解決,可能影響測試結(jié)果的準(zhǔn)確性以及器件的長期穩(wěn)定性。本文將探討半導(dǎo)體熱測試中常見的幾類問題,并提出解決思路。1.熱阻和熱導(dǎo)問題半導(dǎo)體器件的熱性
2025-01-02 10:16:50
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,若不加以解決,可能會影響測試結(jié)果的準(zhǔn)確性及器件的長期穩(wěn)健性。本文將深入剖析半導(dǎo)體熱測試中常見的幾大問題,并提出相應(yīng)的解決策略。 1、熱阻與熱傳導(dǎo)挑戰(zhàn) 半導(dǎo)體器件的熱表現(xiàn)直接關(guān)聯(lián)其工作溫度,而熱阻和熱導(dǎo)率是衡量
2025-01-06 11:44:39
1582 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:48
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/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:11
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功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設(shè)計(jì)的基本概念、散熱形式、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面,對功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識進(jìn)行詳細(xì)講解。
2025-02-03 14:17:00
1357 。特別是濕度對功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響,已成為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討濕度對功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響機(jī)理,以期為功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制
2025-02-07 11:32:25
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就相當(dāng)于電阻。在LED器件的實(shí)際應(yīng)用中,其結(jié)構(gòu)熱阻分布涵蓋了芯片襯底、襯底與LED支架的粘結(jié)層、LED支架、LED器件外掛散熱體以及自由空間的熱阻,這些熱阻通道呈串聯(lián)
2025-06-04 16:18:53
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在電子器件(如導(dǎo)熱材料或?qū)峁柚┥贤扛矊?dǎo)熱材料的目的是幫助發(fā)熱器件加快散熱。此舉旨在降低器件每單位電能耗散所產(chǎn)生的溫升。衡量每功耗所產(chǎn)生溫升的指標(biāo)稱為熱阻,而給器件涂抹導(dǎo)熱材料的目的正是為了降低
2025-08-22 16:35:56
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