單向雙端口SRAM是一種專用的存儲器,它具有獨立的寫地址總線和讀地址總線,不僅可以實現(xiàn)單端口的讀寫,還可以對不同地址的存儲單元進(jìn)行同時讀寫操作,提高了SRAM的性能。本文分析了單向雙端口SRAM的失效模式,并描述了相應(yīng)的基于字的檢測算法。
2020-08-03 09:14:33
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基本正確。外部可變的數(shù)據(jù)輸入fpga,通過spi也基本正確,外部輸入變化,單片機接收的數(shù)據(jù)也會相應(yīng)的變化。測試SRAM時,參考網(wǎng)上的DE2開發(fā)板的SRAM例子,往SRAM里寫固定的遞增數(shù)據(jù),然后由輸入
2013-07-24 22:41:55
介紹的是關(guān)于SRAM的基礎(chǔ)模塊存有三種情況:standby(空余),read(讀)和write(寫)。 第一種情況:standby假如WL沒有選為上拉電阻,那么M5和M62個做為操縱用的晶體三極管處在
2020-09-02 11:56:44
隨機存取存儲器(RAM)
讀、
寫隨機尋址
數(shù)據(jù)丟失只讀存儲器(ROM)
讀隨機尋址
數(shù)據(jù)不丟失工作前寫入
數(shù)據(jù) 閃存(Flash Memory)
讀、
寫隨機尋址
數(shù)據(jù)不丟失先進(jìn)先出存儲器(FIFO)
讀、
寫順序?qū)ぶ?/div>
2012-08-15 17:11:45
SRAM 在讀寫上有嚴(yán)格的時序要求,用 WEOECE 控制完成寫數(shù)據(jù),具體時序如圖 7-17所示。圖 7-17 SRAM 的寫時序系統(tǒng)中兩塊 SRAM 分別由 DSP 和 FPGA 控制。當(dāng) DSP
2018-12-11 10:14:14
我現(xiàn)在需要統(tǒng)計sram的地址出現(xiàn)的頻率,比如如果地址1出現(xiàn)一次,就在地址1里存1,地址10出現(xiàn)了5次,就在地址10里存5,其它地址也是進(jìn)行類似操作。。。本來準(zhǔn)備是根據(jù)地址直接對這個地址進(jìn)行寫1操作
2016-10-26 11:18:25
,這部分是寫數(shù)據(jù)。就看寫的數(shù)據(jù)和sram_data是不是一樣的,發(fā)現(xiàn)是一樣的。說明功能正確。然后觀察黃線右邊的部分,這部分是讀數(shù)據(jù)。就看讀的數(shù)據(jù)是不是和sram_data_reg一樣的。發(fā)現(xiàn)
2015-03-19 20:17:25
順序?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù),亂序?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù),直接填充數(shù)據(jù)都是正常的。在程序中使用指針操作時,如果地址%64<32,改變這個地址的數(shù)據(jù),也會改變這個地址+32的數(shù)據(jù)。如果地址%64>
2023-03-28 08:13:08
STM32F429通過FMC外擴SDRAM,16位數(shù)據(jù)。
以16位方式*(__IO uint16_t *)和8位方式*(__IO uint8_t *)讀都沒問題。以16位方式寫也對,但是以8位方式寫就寫不進(jìn)去數(shù)據(jù)了。請問這是什么原因。
2024-04-03 07:38:26
0xC1FFFFFF遍歷寫入并讀出,通過TIM2計時,以字節(jié)寫入時,寫時間0.16秒,讀時間0.73秒,以半字節(jié)操作時,寫時間0.09秒,讀時間0.71秒。請問為什么讀比寫要慢得多?
下面是寫入和讀出代碼,系統(tǒng)主頻550M,邏輯操作耗時應(yīng)該基本可以忽略
for(temp=0; temp
2024-03-11 06:40:14
與SRAM芯片連接。 SRAM型號IS62WV51216,管腳圖如下: IS62WV51216的管腳總的來說大致分為:電源線、地線、地址線、數(shù)據(jù)線、片選線、寫使能端、讀使能端和數(shù)據(jù)掩碼信號線
2020-05-07 15:58:41
接口對于SRAM的讀操作時序,其波形如圖所示。對于SRAM的寫操作時序,其波形如圖所示。具體操作是這樣的,要寫數(shù)據(jù)時,(這里是相對于用FPGA操作SRAM而言的,軟件讀寫可能有時間順序的問題需要
2015-12-16 12:46:04
在SRAM中存滿數(shù)據(jù),并通過以太網(wǎng)發(fā)送滿盤數(shù)據(jù)。發(fā)送時也是像例程一樣,定義數(shù)據(jù)數(shù)組,讀一個SRAM地址指針更新一次數(shù)據(jù)數(shù)組?還是有其他方法?
2019-07-01 04:35:46
都是低電平有效,后綴_n用于強調(diào)這一特性。功能表如表1所示:信號ce_n用于存儲器擴展,信號we_n和oe_n用于寫操作和讀操作,lb_n和ub_n用于字節(jié)配置。 表1 SRAM控制信號的真值表接下來
2017-03-07 16:26:01
這里寫自定義目錄標(biāo)題(一)為什么要擴展外部SRAM(二)什么是SRAM簡介 存儲器型號 容量 原理框圖 引腳配置 通訊方式 讀寫特性 讀取數(shù)據(jù)時序圖 讀取數(shù)據(jù)的時序要求 寫入數(shù)據(jù)時序圖 寫入數(shù)據(jù)
2021-08-05 08:22:50
尋址的存儲單元將它存儲的數(shù)據(jù)送到相應(yīng)位線上的操作。圖3.5 表示的是進(jìn)行讀操作的一個SRAM單元,兩條位線開始都是浮空為高電平。假設(shè)當(dāng)前單元中存儲的值為邏輯“1”,即節(jié)點A為高電平,節(jié)點B為低電平
2020-04-29 17:27:30
這是網(wǎng)上比較流行的一個異步fifo方案,但是fifo的空滿判斷不是應(yīng)該是立即的嗎,加上同步器之后變成寫指針要延時兩個讀周期再去個讀指針做空比較,而讀指針要延時兩個寫周期再去和寫指針做滿比較,這樣雖然可以避免亞穩(wěn)態(tài)之類的問題,可是這個延時對總體的空滿判斷沒有影響嗎,如果沒有影響是怎么做到的呢,求解
2016-07-24 16:25:33
已用這種模式成功驅(qū)動了一些psram,但是SRAM始終驅(qū)動不了。
SRAM驅(qū)動架構(gòu)
XMC復(fù)用模式讀時序,其中一個HCLK=4.16ns(240Mhz)
SRAM讀時序參數(shù)
SRAM讀時序圖
XMC
2024-01-04 10:46:19
SRAM接口對于SRAM的讀操作時序,其波形如圖8.36所示。圖8.36 SRAM讀時序?qū)τ?b class="flag-6" style="color: red">SRAM的寫操作時序,其波形如圖8.37所示。圖8.37 SRAM寫時序具體操作是這樣的,要寫數(shù)據(jù)時,(這里是
2018-05-03 21:02:25
其應(yīng)用范圍,難壞了一大幫業(yè)余科學(xué)實驗家。 今這小亮一“讀SD卡圖形直接寫屏”的非常規(guī)招式,不占SRAM內(nèi)存了、代碼量減少了、速度加快了、低階的單片機也能引用了,這可是“鼠輩得翼成仙”的節(jié)奏,非同小可
2017-07-31 12:52:13
的寄存器,例如:#define DDRB (*(volatile unsigned char *)0x25)分析如下:這樣讀/寫以0x25為地址的SRAM單元,直接書寫DDRB即可,即DDRB...
2021-11-30 08:07:19
SRAM 單元[17],如圖 3 所示。這種結(jié)構(gòu)具有獨立的讀寫字線(RWL, WWL)和讀寫位線(RBL, WBL 和 WBLB),從而有分開的讀端口和寫端口;數(shù)據(jù)從讀端口讀出,從寫端口寫入。這樣不僅
2020-07-09 14:38:57
在MCU(以常見的stm32為例)開發(fā)中使用多線程操作,我們經(jīng)常遇到的問題是關(guān)于多線程訪問數(shù)據(jù)的問題,多線程訪問數(shù)據(jù)基本上可以分為幾大類:多寫一讀多寫多讀一寫多讀一寫一讀多線程中如果出現(xiàn)多寫,數(shù)據(jù)
2023-02-01 15:42:35
僅僅優(yōu)化了單元讀、寫一方面的性能,另一方面保持不變或者有惡化的趨勢;單端讀寫單元往往惡化了讀寫速度,并使靈敏放大器的設(shè)計面臨挑戰(zhàn);輔助電路的設(shè)計,往往會使SRAM的設(shè)計復(fù)雜化。 為了使SRAM存儲單元
2020-04-01 14:32:04
我的目標(biāo)是讀/寫8位數(shù)據(jù)到SRAM芯片AS6C4008。有點像尼古拉斯·維南2011A年5月在硅芯片上的SPORTSYNC項目,兩周后仍然不能工作:1。我已經(jīng)檢查了所有的線路2。所有的MCU引腳都能
2019-10-11 07:31:13
(__IO uint16_t*)(0x60000000)將內(nèi)部地址強制轉(zhuǎn)換成了8位和16位的指針,這又是為什么?這個指針指向的不是內(nèi)部SRAM的地址嗎?如果是,這樣子轉(zhuǎn)換不會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失嗎,如果不是,這個指針又是指向哪里?難道是直接映射到外部SRAM里面了嗎?懇請求教,十分感謝!
2022-08-19 01:08:14
你好,我正在做一個使用GPIF II接口作為主機來從SRAM中寫入和讀取數(shù)據(jù)的項目。在我的固件項目中,DMA大小是512,計數(shù)是2。我已經(jīng)成功地測試了寫和讀數(shù)據(jù)不到1024BIT。并且知道我想要像
2019-09-25 14:56:47
NUC472/NUC472/NUC442系列裝有外部連接設(shè)備的外部公交界面(EBI)。 NUC472/NUC442 EBI便利連接控制界面由地址、數(shù)據(jù)、芯片選擇和讀/寫斯特羅貝組成的設(shè)備,例如NOR閃光
2023-08-23 06:35:44
請問一下影響編程時間的因素是什么?如何減少寫編程時間和讀等待時間以提高讀寫性能呢?
2021-06-21 07:21:06
的值和*a的值都輸出,這時候printf輸出的a就是一串?dāng)?shù),十進(jìn)制的,而*a就是b的值,這時候我有個疑問,這個指針變量是以什么形式保存,或者說所有變量類型,我們可不可以以十進(jìn)制直接保存,然后讓他以指針
2019-11-05 03:40:28
大家好,我正在嘗試使用Nexys-3板設(shè)計PDP-8內(nèi)存。但我正在努力弄清楚如何使用板上的CellularRAM來讀/寫。我在Google上找不到任何有用的信息。有人能給我一個關(guān)于如何用
2019-07-01 08:50:31
我正在使用SPC560D和SPC5Studio。我想在將設(shè)備置于待機模式之前保存設(shè)備配置/狀態(tài),并在設(shè)備退出待機模式時使用/檢索此狀態(tài)。這可以通過使用SRAM來實現(xiàn)嗎?如何訪問SRAM以進(jìn)行可變存儲
2019-06-21 08:53:02
如圖所示的異步FIFO,個人覺得在讀寫時鐘同步時會產(chǎn)生兩個時鐘周期的延時,如果讀寫時鐘頻率相差不大,某一時刻讀寫指針相等,當(dāng)寫指針同步到讀模塊時會產(chǎn)生延時,實際同步到讀模塊的寫指針是兩個時鐘周期之前的,這樣就不會產(chǎn)生空滿信號,要兩個周期之后才能產(chǎn)生空滿信號,結(jié)果是寫溢出或讀空
2015-08-29 18:30:49
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-14 10:51 編輯
我想往CPU1TOCPU2RAM寫一組數(shù)據(jù),CPU2來讀,如何來判斷這一組數(shù)據(jù)讀時已寫完?可不可以用這個呢?
2018-06-14 04:20:16
靜態(tài)存儲單元和其讀寫控制電路組成的記憶體電路,對此的詳細(xì)內(nèi)容在四個晶體管搭建靜態(tài)存儲單元,加兩個晶體管搭建寫控制電路一文中。LY62L5128是一個CMOS SRAM。容量512KB(512K X 8
2016-08-30 04:32:10
請教各位大神講解下如何用ActiveX控件與Excel實現(xiàn)數(shù)據(jù)讀、寫?
2014-03-27 19:49:20
用FPGA往SRAM芯片中寫數(shù)據(jù)重復(fù)寫多次才能寫是怎么回事呢?
2023-04-23 11:46:44
單片機和LCD1602的讀狀態(tài),寫狀態(tài),讀數(shù)據(jù),寫數(shù)據(jù)各指的什么,不是太明白,請高手幫忙解答,謝謝
2019-04-12 06:35:22
DDR 1&2&3的“讀”和“寫”眼圖分析:現(xiàn)在不論做主板設(shè)計或測試的工程師,還是做內(nèi)存或DDR芯片設(shè)計或測試的工程師都會面臨這樣一個問題:如何能夠分離出“讀”和“寫”
2009-09-14 08:05:25
35 電池管理器件的讀/寫操作
Dallas Semiconductor 的電池管理IC 采用相同的通信協(xié)議和相同的存儲器地址不同類型的存儲器可以分別進(jìn)行讀/寫操作本應(yīng)用筆記闡述了唯
2010-04-12 08:50:30
21 指針儀表讀數(shù)識別系統(tǒng)基于計算機視覺分析技術(shù)+邊緣視頻識別檢測,指針儀表讀數(shù)識別系統(tǒng)可以自動識別指針型儀表讀數(shù)并將讀數(shù)回傳給后臺大數(shù)據(jù)監(jiān)控平臺節(jié)省人工巡檢讀表的時間。指針儀表讀數(shù)識別系統(tǒng)主要適用于電力
2024-08-02 21:38:10
SRAM,SRAM原理是什么?
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM。
SRAM主要用于二級高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:32
9200 SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么?
RAM 結(jié)構(gòu)框圖如圖1 所示。它主要由存儲矩陣(又稱存儲體)、地址譯碼器和讀/寫電路 3 部分組成。存儲矩陣是存儲
2010-03-24 16:28:39
4625 下面給出FM24C16的頁面寫和任意字節(jié)讀匯編子程序。程序經(jīng)過應(yīng)用驗證,效果良好(為保證穩(wěn)定性,可以在相應(yīng)地方加入空語句以延時)。
2010-07-22 11:03:59
3702 只要PICmicro的命令,所處理的FILE (暫存器,內(nèi)存,和I/O的統(tǒng)稱),其最終的值,和命令處理前的值有關(guān),那么,這種命令便是所謂的讀-修改-寫命令
2011-04-26 10:34:14
1911 LSI公司(NYSE:LSI)日前宣布推出用于部分 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS 控制卡的 LSI? MegaRAID?CacheCade? Pro 2.0 讀/寫高速緩存軟件。
2011-08-25 08:50:50
2047 STM32單片機上的SRAM 中的數(shù)據(jù)丟失
2015-11-25 14:49:27
0 C語言教程之讀/寫BIOS計時器,很好的C語言資料,快來學(xué)習(xí)吧。
2016-04-25 16:49:38
0 的一段區(qū)域。 需要注意的是,在對NOR FLASH進(jìn)行讀寫數(shù)據(jù)時,需要參考對應(yīng)的datasheet,例如這里選用的NOR FLASH讀、寫、擦除步驟如下: 通過上面的表格就知道進(jìn)行相應(yīng)操作每一步該做什么,可以轉(zhuǎn)換為SDK中裸奔程序的C代碼。
2018-06-30 09:49:00
16134 
本文以基于PXI平臺的Marvin Test Solutions 3U FPGA板卡GX3500為設(shè)計對象,通過設(shè)計實例講解如何使用寄存器級讀&寫控制FPGA,并提供FPGA設(shè)計相關(guān)文件(如
2017-09-27 17:46:06
10 SRAM 72-Mbit QDR? II+ SRAM 4 字突發(fā)架構(gòu)(2.5 周期讀延遲
2017-10-10 09:00:51
17 如何使用寄存器級讀&寫控制基于PXI平臺的FPGA
2017-10-16 15:20:37
14 如何使用寄存器級讀&寫控制基于PXI平臺的FPGA
2017-10-19 08:48:22
12 ”是單片機內(nèi)部自己執(zhí)行的,它發(fā)生在寫IO口的時候,當(dāng)寫IO口的時候它先把IO的當(dāng)前狀態(tài)讀回來,根據(jù)要寫的數(shù)據(jù)修改讀回來的數(shù)據(jù),再寫到IO口;讀引腳是直接讀引腳的當(dāng)前狀態(tài),當(dāng)前引腳是高電平,讀回來的就是高電平,低電平時讀回來的就是低電平
2017-11-23 13:38:15
1906 為了實現(xiàn)這兩個條件,在程序?qū)崿F(xiàn)中使用了寫指針和讀指針來判斷緩沖區(qū)是空還是滿。在初始化時讀指針和寫指針為0;如果讀指針等于寫指針,則緩沖區(qū)是空的;如果(寫指針+1)%N等于讀指針,則緩沖區(qū)是滿的,%表示取余數(shù),N表示緩沖區(qū)隊列的長度。
2018-07-18 09:00:00
1965 
QDR SRAM介紹 QDR 具有獨立的讀、寫數(shù)據(jù)通路,均使用DDR,在每個時鐘周期內(nèi)會傳輸四個總線寬度的數(shù)據(jù) (兩個讀和兩個寫),這就是QDR四倍數(shù)據(jù)速率的由來。
2018-06-28 16:20:00
9862 
FIFO隊列有兩個位置指示指針。一個是寫指針,指向隊列的第一個存儲單元。一個讀指針,指向隊列的最后一個存儲單元。當(dāng)有寫命令的時候,數(shù)據(jù)寫入寫指針指向的存儲單元,然后指針加一。當(dāng)有讀命令的時候,讀指針
2018-06-29 08:51:00
16042 CPU 和 GPU 將各自維護一些數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)來保證環(huán)形緩沖區(qū)的正確工作。這些 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)有緩沖區(qū)的基地址,緩沖區(qū)大小,寫指針和讀指針。其中寫指針和讀指針分別指向 CPU 將要寫入命令的地址和 GPU 將要讀取命令的地址。
2018-03-30 15:01:46
7132 
環(huán)形緩沖區(qū)通常有一個讀指針和一個寫指針。讀指針指向環(huán)形緩沖區(qū)中可讀的數(shù)據(jù),寫指針指向環(huán)形緩沖區(qū)中可寫的緩沖區(qū)。通過移動讀指針和寫指針就可以實現(xiàn)緩沖區(qū)的數(shù)據(jù)讀取和寫入。在通常情況下,環(huán)形緩沖區(qū)的讀用戶僅僅會影響讀指針,而寫用戶僅僅會影響寫指針。
2018-07-13 14:51:17
5657 
跨時鐘域的問題:前一篇已經(jīng)提到要通過比較讀寫指針來判斷產(chǎn)生讀空和寫滿信號,但是讀指針是屬于讀時鐘域的,寫指針是屬于寫時鐘域的,而異步FIFO的讀寫時鐘域不同,是異步的,要是將讀時鐘域的讀指針與寫時鐘域的寫指針不做任何處理直接比較肯定是錯誤的,因此我們需要進(jìn)行同步處理以后進(jìn)行比較。
2018-09-05 14:29:36
6636 在傳遞讀寫時鐘域的指針使用格雷碼來傳遞,如何把二進(jìn)制轉(zhuǎn)換為格雷碼,格雷碼是如何判斷讀空寫滿呢?
2018-09-15 09:38:19
9117 
為什么使用指針?因為在操作大型數(shù)據(jù)和類時,指針可以通過內(nèi)存地址直接訪問數(shù)據(jù),可避免在程序中復(fù)制大量的代碼,因此指針的效率最高。一般來說,指針會有3大用途
2018-10-04 10:33:00
5695 MFRC523是NXP公司的一個的高集成讀/寫器,用于13.56MHz頻率的非接觸式通信。MFRC523閱讀器支持ISO/IEC 14443 A/MIFARE模式。MFRC523的內(nèi)部發(fā)射器無需額外
2020-01-21 17:48:00
4967 
微處理器的優(yōu)勢,改善處理器性能有著積極的意義。另一個是降低功耗,以適應(yīng)蓬勃發(fā)展的便攜式應(yīng)用市場。英尚微電子介紹關(guān)于SRAM讀寫中寫操作分析。 SRAM寫操作分析 寫操作與讀操作正好相反,它要使存儲單元的狀態(tài)按照寫入的數(shù)據(jù)進(jìn)行相應(yīng)的翻轉(zhuǎn)
2020-04-30 14:58:02
2186 
理解函數(shù)指針、函數(shù)指針數(shù)組、函數(shù)指針數(shù)組的指針
2020-06-29 15:38:34
15367 
速CPU和較低速DRAM之間的緩存.SRAM也有許多種,如Async SRAM(異步SRAM)、Sync SRAM(同步SRAM)等。下面英尚微電子解析關(guān)于SRAM存儲容量及基本特點。 半導(dǎo)體隨機存儲器芯片內(nèi)集成有記憶功能的存儲矩陣,譯碼驅(qū)動電路和讀/寫電路等等。 下面介紹幾個重要的概念: 讀寫電
2020-07-16 14:07:44
7510 
普通的存儲器器件為單端口,也就是數(shù)據(jù)的輸入輸出只利用一個端口,設(shè)計了兩個輸入輸出端口的就是雙端口sram。雖然還具有擴展系列的4端口sram,但雙端口sram已經(jīng)非常不錯了。雙端口sram經(jīng)常應(yīng)用于
2020-07-23 13:45:02
3010 
SRAM選擇的一些關(guān)鍵因素是密度,等待時間,速度,讀/寫比和功率。通過了解這些因素如何影響性能,可靠性和成本,設(shè)計人員可以為其應(yīng)用選擇最佳的同步SRAM。宇芯電子專注代理銷售SRAM,異步SRAM,同步SRAM,PSRAM等存儲芯片,提供產(chǎn)品技術(shù)支持及
2020-08-03 15:32:33
1815 
PSRAM它具有類SRAM的接口協(xié)議:給出地址、讀、寫命令,就可以實現(xiàn)存取,不像DRAM需要memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新,因此結(jié)口簡單;但它的內(nèi)核是DRAM架構(gòu)
2021-01-20 16:24:27
2602 端口和寫端口。讀端口有專用的數(shù)據(jù)輸出以支持讀操作,寫端口有專用的數(shù)據(jù)輸入以支持寫操作。QDR II+體系結(jié)構(gòu)具有獨立的數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出,完全無需“周轉(zhuǎn)”與常見I/O設(shè)備一起存在的數(shù)據(jù)總線。
2021-02-22 08:00:00
3 具有讀/寫遙測功能的μ模塊調(diào)節(jié)器
2021-04-30 11:18:14
3 摘要:大家想過沒有我們用keil寫單片機的代碼,你的函數(shù)啊、變量啊最終都放在了哪里?我們一直說的內(nèi)存五區(qū),到底是哪五區(qū)?到底放在芯片的哪個地方呢?還有為什么你學(xué)完C語言指針和結(jié)構(gòu)體,32單片機里面
2021-06-17 16:08:51
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何謂讀-修改-寫,導(dǎo)致的問題及其解決之道: 只要PICmicro的命令,所處理的FILE (暫存器,內(nèi)存,和I/O的統(tǒng)稱),其最終的值,和命令處理前的值有關(guān),那么,這種命令便是所謂的讀-修改-寫
2021-11-16 15:51:01
2 的寄存器,例如:#define DDRB (*(volatile unsigned char *)0x25)分析如下:這樣讀/寫以0x25為地址的SRAM單元,直接書寫DDRB即可,即DDRB...
2021-11-21 19:21:06
14 讀隊列時阻塞本例內(nèi)容是創(chuàng)建一個隊列,由多個任務(wù)往隊列中寫數(shù)據(jù),以及從隊列中把數(shù)據(jù)讀出。這個隊列創(chuàng)建出來保存 uint16_t 型數(shù)據(jù)單元。往隊列中寫數(shù)據(jù)的任務(wù)沒有設(shè)定阻塞超時時間,而讀隊列的任務(wù)設(shè)定
2021-12-09 15:21:22
10 : CSLCD的操作時序與SRAM控制類似,唯一不同的是是TFTCLD只有RS信號,沒有地址信號,這里再次強調(diào),SRAM有地址控制信號,而TFTLCD沒有!原則上SRAM的地址信號對TFTLCD沒有什么作用,對TFTLCD來說我只需找到一個引腳,這個引腳用來控制RS(即是寫命令還是寫數(shù)據(jù))即可。那既然SRA
2021-12-09 15:21:23
10 鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,F(xiàn)RAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口
2022-03-15 15:43:44
1283 本篇講述UDS中的讀和寫服務(wù),讀寫服務(wù)幾乎是工程師日常使用最為頻繁的服務(wù),特別是讀服務(wù)。
2022-10-28 15:43:43
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用System IO Ports SerialPort進(jìn)行串行讀/寫.zip》資料免費下載
2022-11-21 09:56:09
0 PUINT16VpXbusPt2;//寫指針PUINT16VrXbusPt2;//讀指針PUINT16VtmpXbusPt2=(PUINT16V)0x00C0000
2023-04-06 15:13:03
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《優(yōu)化數(shù)據(jù)庫性能使用LSI MegaRAID CacheCade Pro 2.0讀/寫緩存軟件.pdf》資料免費下載
2023-08-10 17:38:15
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MegaRAID CacheCade Pro 2.0讀/寫緩存軟件.pdf》資料免費下載
2023-08-22 10:59:29
1 8月17日,北京優(yōu)炫軟件股份有限公司在DTCC2023第十四屆中國數(shù)據(jù)庫技術(shù)大會上,隆重發(fā)布優(yōu)炫軟件共享存儲多寫多讀集群(SRAC)數(shù)據(jù)庫,并開啟預(yù)約試用。 數(shù)據(jù)庫共享存儲多寫多讀集群是保障重點行業(yè)
2023-08-22 11:11:05
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只考慮了讀地址的同步,而未考慮其他相關(guān)的電路。例如,當(dāng)讀地址同步到寫時鐘域時,需要同時將寫指針和讀指針的值傳遞到讀時鐘域,以便于正確讀出數(shù)據(jù)。如果沒有同時同步指針的值,會導(dǎo)致讀指針滯后于寫指針,出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失的情況。 2. 時序分
2023-10-18 15:23:55
1422 在ZMQ無鎖隊列的原理與實現(xiàn)一文中,我們已經(jīng)知道了ypipe可以實現(xiàn)一線程寫一線程讀的無鎖隊列,那么其劣勢就很明顯了,無法適應(yīng)多寫多讀的場景,因為其在讀的時候沒有對r指針加鎖,在寫的時候沒有對w指針
2023-11-08 15:25:05
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進(jìn)程寫文件(使用緩沖 IO)過程中,寫一半的時候,進(jìn)程發(fā)生了崩潰,會丟失數(shù)據(jù)嗎? 答案,是不會的。 因為進(jìn)程在執(zhí)行 write (使用緩沖 IO)系統(tǒng)調(diào)用的時候,實際上是將文件數(shù)據(jù)寫到了內(nèi)核
2023-11-13 10:57:35
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