文章為大家詳細介紹了晶振與晶體的參數(shù)。

　　1.晶振與晶體的區(qū)別

　　1） 晶振是有源晶振的簡稱，又叫振蕩器。英文名稱是oscillator。晶體則是無源晶振的簡稱，也叫諧振器。英文名稱是crystal.

　　2） 無源晶振（晶體）一般是直插兩個腳的無極性元件，需要借助時鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號。常見的有49U、49S封裝。

　　3） 有源晶振（晶振）一般是表貼四個腳的封裝，內部有時鐘電路，只需供電便可產(chǎn)生振蕩信號。一般分7050、5032、3225、2520幾種封裝形式。

　　2. MEMS硅晶振與石英晶振區(qū)別

　　MEMS硅晶振采用硅為原材料，采用先進的半導體工藝制造而成。因此在高性能與低成本方面，有明顯于石英的優(yōu)勢，具體表現(xiàn)在以下方面：

　　1） 全自動化半導體工藝（芯片級），無氣密性問題，永不停振。

　　2） 內部包含溫補電路，無溫漂，-40—85℃全溫保證。

　　3） 平均無故障工作時間5億小時。

　　4） 抗震性能25倍于石英振蕩器。

　　5） 支持1-800MHZ任一頻點，精確致小數(shù)點后5位輸出。

　　6） 支持1.8V、2.5V、2.8V、3.3V多種工作電壓匹配。

　　7） 支持10PPM、20PPM、25PPM、30PPM、50PPM等各種精度匹配。

　　8） 支持7050、5032、3225、2520所有標準尺寸封裝。

　　9） 標準四腳、六腳封裝，無需任何設計改動，直接替代石英振蕩器。

　　10） 支持差分輸出、單端輸出、壓控（VCXO）、溫補（TCXO）等產(chǎn)品種類。

　　11） 300%的市場增長率，三年內有望替代80%以上的石英振蕩器市場。

　　3. 晶體諧振器的等效電路

　　上圖是一個在諧振頻率附近有與晶體諧振器具有相同阻抗特性的簡化電路。其中：C1為動態(tài)電容也稱等效串聯(lián)電容;L1為動態(tài)電感也稱等效串聯(lián)電感;R1為動態(tài)電阻也稱等效串聯(lián)電阻;C0為靜態(tài)電容也稱等效并聯(lián)電容。

　　這個等效電路中有兩個最有用的零相位頻率，其中一個是諧振頻率（Fr），另一個是反諧振頻率（Fa）。當晶體元件實際應用于振蕩電路中時，它一般還會與一負載電容相聯(lián)接，共同作用使晶體工作于Fr和Fa之間的某個頻率，這個頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定，通過改變電路的電抗條件，就可以在有限的范圍內調節(jié)晶體頻率。