4. 關(guān)鍵參數(shù)

　　4.1 標稱頻率

　　指晶體元件規(guī)范中所指定的頻率，也即用戶在電路設(shè)計和元件選購時所希望的理想工作頻率。

　　4.2 調(diào)整頻差

　　基準溫度時，工作頻率相對于標稱頻率的最大允許偏離。常用ppm（1/106）表示。

　　4.3 溫度頻差

　　在整個溫度范圍內(nèi)工作頻率相對于基準溫度時工作頻率的允許偏離。常用ppm（1/106）表示。

　　4.4 老化率

　　指在規(guī)定條件下，由于時間所引起的頻率漂移。這一指標對精密晶體是必要的，但它“沒有明確的試驗條件，而是由制造商通過對所有產(chǎn)品有計劃抽驗進行連續(xù)監(jiān)督的，某些晶體元件可能比規(guī)定的水平要差，這是允許的”（根據(jù)IEC的公告）。老化問題的最好解決方法只能靠制造商和用戶之間的密切協(xié)商。

　　4.5 諧振電阻（Rr）

　　指晶體元件在諧振頻率處的等效電阻，當不考慮C0的作用，也近似等于所謂晶體的動態(tài)電阻R1或稱等效串聯(lián)電阻（ESR）。這個參數(shù)控制著晶體元件的品質(zhì)因數(shù)，還決定所應用電路中的晶體振蕩電平，因而影響晶體的穩(wěn)定性以致是否可以理想的起振。所以它是晶體元件的一個重要指標參數(shù)。一般的，對于一給定頻率，選用的晶體盒越小，ESR的平均值可能就越高;絕大多數(shù)情況，在制造過程中并不能預計具體某個晶體元件的電阻值，而只能保證電阻將低于規(guī)范中所給的最大值。

　　4.6 負載諧振電阻（RL）

　　指晶體元件與規(guī)定外部電容相串聯(lián)，在負載諧振頻率FL時的電阻。對一給定晶體元體，其負載諧振電阻值取決于和該元件一起工作的負載電容值，串上負載電容后的諧振電阻，總是大于晶體元件本身的諧振電阻。

　　4.7 負載電容（CL）

　　與晶體元件一起決定負載諧振頻率FL的有效外界電容。晶體元件規(guī)范中的CL是一個測試條件也是一個使用條件，這個值可在用戶具體使用時根據(jù)情況作適當調(diào)整，來微調(diào)FL的實際工作頻率（也即晶體的制造公差可調(diào)整）。但它有一個合適值，否則會給振蕩電路帶來惡化，其值通常采用10pF、15pF 、20pF、30pF、50pF、∝等，其中當CL標為∝時表示其應用在串聯(lián)諧振型電路中，不要再加負載電容，并且工作頻率就是晶體的（串聯(lián)）諧振頻率Fr。用戶應當注意，對于某些晶體（包括不封裝的振子應用），在某一生產(chǎn)規(guī)范既定的負載電容下（特別是小負載電容時），±0.5pF的電路實際電容的偏差就能產(chǎn)生±10×10-6的頻率誤差。因此，負載電容是一個非常重要的訂貨規(guī)范指標。

　　4.8 靜態(tài)電容（C0）

　　等效電路靜態(tài)臂里的電容。它的大小主要取決于電極面積、晶片厚度和晶片加工工藝。

　　4.9 動態(tài)電容（C1）

　　等效電路中動態(tài)臂里的電容。它的大小主要取決于電極面積，另外還和晶片平行度、微調(diào)量的大小有關(guān)。

　　4.10 動態(tài)電感（L1）

　　等效電路中動態(tài)臂里的電感。動態(tài)電感與動態(tài)電容是一對相關(guān)量。

　　4.11 諧振頻率（Fr）

　　指在規(guī)定條件下，晶體元件電氣阻抗為電阻性的兩個頻率中較低的一個頻率。根據(jù)等效電路，當不考慮C0的作用，F(xiàn)r由C1和L1決定，近似等于所謂串聯(lián)（支路）諧振頻率（Fs）。這一頻率是晶體的自然諧振頻率，它在高穩(wěn)晶振的設(shè)計中，是作為使晶振穩(wěn)定工作于標稱頻率、確定頻率調(diào)整范圍、設(shè)置頻率微調(diào)裝置等要求時的設(shè)計參數(shù)。