Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:30
1180 Vishay推出具有高電流密度的新款45V TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45
2012-12-06 10:29:433268 Vishay推出新的MPMA系列精密配對電阻。MPMA電阻網(wǎng)絡(luò)通過AEC-Q200認(rèn)證，采用表面模塑SOT-23貼片封裝。
2012-12-13 09:50:182147 Vishay宣布，推出其全新IHSR高溫商用電感器系列的首款產(chǎn)品---IHSR-4040DZ-51。Vishay Dale IHSR-4040DZ-51專為計算機(jī)、工業(yè)和通信應(yīng)用中的多相大電流電源及濾波器而設(shè)計，與一般的功率電感器相比，直流電阻降低50%，相比同類鐵氧體產(chǎn)品截面高度減少超過20%。
2018-08-13 11:45:338556 首先我們介紹增強(qiáng)型MOS管，也是以NMOS管為例。 為什么要叫增強(qiáng)型，我們下面都會介紹到。
2023-02-22 16:55:155452 
在電磁學(xué)里，電流密度(Current Density)以矢量的形式定義，描述電路中某點(diǎn)的電流強(qiáng)弱和流動方向。
2023-09-28 14:41:4520745 
Vishay推出新系列VDR金屬氧化物壓敏電阻（MOV）---VDRUS系列，認(rèn)證工作溫度達(dá)+125 °C，符合UL 1449第4版和VDE/IEC 61051-1/2標(biāo)準(zhǔn)。
2019-06-28 10:32:541280 2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動模塊的特性是什么？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動模塊有哪些功能？
2021-10-15 09:13:09
2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動模塊的優(yōu)點(diǎn)有哪些？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動模塊的產(chǎn)品參數(shù)有哪些？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動模塊的注意事項有哪些？
2021-06-29 09:05:41
請問各位大神，能不能列舉出增強(qiáng)型51有3個定時器以上，PDIP40封裝的，另外能附帶技術(shù)手冊嗎
2012-10-23 21:11:49
能否介紹增強(qiáng)型Howland電流源、EHCS 實現(xiàn)過程、復(fù)合放大器技術(shù)應(yīng)用？
2019-01-25 18:13:07
[url=]增強(qiáng)型MCS-51單片機(jī)[/url]
2016-12-11 11:13:28
增強(qiáng)型MCS-51單片機(jī)結(jié)構(gòu)
2016-12-19 22:47:07
增強(qiáng)型NFC技術(shù)如何讓移動設(shè)備可靠地仿真非接觸式卡片？
2021-05-21 06:56:39
關(guān)于 增強(qiáng)型PMOS管開啟電壓Vgs疑問 有以下三個問題，請教各位大神：1、如下圖：增強(qiáng)型PMOS管G極接地（Vg=0V），按我的理解，只有在S極電壓高于0v（至少零點(diǎn)幾伏）的時候才能導(dǎo)通，可是下圖
2017-11-22 10:01:58
等待電壓信號穩(wěn)定是主要的缺點(diǎn)，特別是對于需要低忙閑度（≤10％）的系統(tǒng)更是如此，因為測量電流的時間縮短了（在工業(yè)上通常稱為消隱時間）?！ ?yōu)勢2：直列電流感應(yīng) 與高共模輸入電壓相結(jié)合，增強(qiáng)型PWM抑制
2016-12-09 17:22:03
描述TIDA-00366 參考設(shè)計為額定功率高達(dá) 10kW 的 3 相逆變器提供了參考解決方案，該逆變器采用增強(qiáng)型隔離式雙 IGBT 柵極驅(qū)動器 UCC21520、增強(qiáng)型隔離式放大器 AMC1301
2018-10-17 15:53:28
與電壓分布。如下圖所示，如果不考慮PCB上溫度的變化，則電流密度實際可能增大20%以上。增大溫度將減小電導(dǎo)率，從而增大直流壓降。在室溫下進(jìn)行直流分析，將使直流壓降被低估。沒有電熱混合仿真功能的直流分析
2020-07-07 15:45:17
電流密度是什么？電荷密度是什么？電流密度和電荷密度兩個的表達(dá)式怎么差這么多？
2021-09-28 09:36:04
電流密度有哪幾種形式？怎樣去計算體電流密度？怎樣去計算位移電流密度？
2021-10-09 07:08:17
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">增強(qiáng)型Hooks芯片利用各種芯片引腳上面沒有的機(jī)器周期來提供地址和數(shù)據(jù)總線，一些80C51系列仿真器就是使用增強(qiáng)型Hooks芯片。有趣的是，這些增強(qiáng)型Hooks芯片中的一些也是標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品芯片。使用增強(qiáng)型
2011-08-11 14:20:22
Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)日前宣布推出支持中檔8位PIC12和PIC16 MCU系列單片機(jī)(MCU)的增強(qiáng)型架構(gòu)?；贛icrochip廣為采用的中檔
2008-11-25 09:48:50
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
結(jié)隔離，因此，即使在D、S之間加絕緣柵型N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管柵極g的電壓一定比漏極d的電壓小截止時是這個情況，但是飽和時漏極電壓幾乎為零，此時柵極電壓就會比漏極電壓高。轉(zhuǎn)載自http://cxtke.com/
2012-07-05 11:27:29
結(jié)隔離，因此，即使在D、S之間加絕緣柵型N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管柵極g的電壓一定比漏極d的電壓小截止時是這個情況，但是飽和時漏極電壓幾乎為零，此時柵極電壓就會比漏極電壓高。轉(zhuǎn)載自http://cxtke.com/
2012-07-06 16:30:55
結(jié)隔離，因此，即使在D、S之間加絕緣柵型N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管柵極g的電壓一定比漏極d的電壓小截止時是這個情況，但是飽和時漏極電壓幾乎為零，此時柵極電壓就會比漏極電壓高。轉(zhuǎn)載自http://cxtke.com/
2012-07-06 16:34:53
`N通道增強(qiáng)型MOSFETTDM3518 [/td] [td]描述 該TDM3518采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。 這個 裝置是適合用作負(fù)載開關(guān)或在PWM 應(yīng)用。 一般特征
2018-09-04 16:36:16
STM32F103xx增強(qiáng)型LQFP64管腳圖STM32F103xx增強(qiáng)型LQFP48管腳圖STM32F103xx增強(qiáng)型BGA100管腳圖STM32F103xx系列各個管腳名稱定義、功能：...
2021-08-05 06:50:21
描述TIDA-00574 展示了具備小型解決方案尺寸以及高電流密度與低噪聲電源的解決方案。它支持內(nèi)部定序和高輸出電壓精度。主要特色小尺寸解決方案在各種負(fù)載下均可實現(xiàn)高效率內(nèi)部電源定序多通道可配置性低噪聲，高 PSRR LDO
2018-08-21 06:55:52
32KB Flash，48MHz，增強(qiáng)型PWM。 廣泛應(yīng)用于四軸飛行器，電機(jī)，數(shù)字電源、云臺、無線充等領(lǐng)域。CMS32F030系列MCU是中微半導(dǎo)體基于ARM-Cortex M0推出的基礎(chǔ)型MCU
2021-11-19 10:04:16
隱時間）。 ?直列式電流檢測 結(jié)合高共模輸入電壓，增強(qiáng)型PWM抑制有助于進(jìn)行直列式電流監(jiān)測。由于處于惡劣環(huán)境中，電流感應(yīng)放大器必須具備穩(wěn)健性。除此要求外，該放大器還必須具有較高的交流和直流精度
2020-12-24 17:34:32
ESD增強(qiáng)型器件的特點(diǎn)是什么？如何對ESD增強(qiáng)型器件進(jìn)行仿真分析？
2021-05-12 06:45:03
；最大瞬態(tài)隔離電壓，VOITM；及最大重復(fù)峰值隔離電壓，VIORM（參見白皮書“高壓增強(qiáng)型隔離：定義與測試方法”中的解釋）。
2019-08-01 07:38:09
FPGA有哪些配置方式？FPGA配置流程是怎樣的？增強(qiáng)型配置片工作原理是什么？
2021-05-07 06:27:07
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計的方法
2020-11-24 07:13:23
親愛的論壇，有誰知道如何模擬磁環(huán)天線，并獲得其電流密度？天線參數(shù)（見圖）3 x 3英寸環(huán)路FR-4基板感興趣的頻率13.56MHz我想知道距離地面40mm的距離有多少電流/米。有誰知道如何設(shè)置這個
2019-02-22 14:58:42
想要用增強(qiáng)型51單片機(jī)實驗板實現(xiàn)紅外線遙控，有沒有可以參考的案例嗎？
2021-04-02 07:05:14
東西，電壓我們關(guān)注了鏈路和最終負(fù)載端的值，那電流呢？當(dāng)然高速先生說的不是只是關(guān)注上面寫著的2.5A電流，而是和電壓在銅皮上的分布一樣，我們也需要去關(guān)注下電流在上面的分布，給它一個專業(yè)名詞，叫電流密度
2024-01-24 15:26:17
穩(wěn)定是主要的缺點(diǎn)，特別是對于需要低忙閑度（≤10％）的系統(tǒng)更是如此，因為測量電流的時間縮短了（在工業(yè)上通常稱為消隱時間）。優(yōu)勢2：直列電流感應(yīng)與高共模輸入電壓相結(jié)合，增強(qiáng)型PWM抑制可監(jiān)控直列式電流
2018-10-15 09:52:41
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-13 15:41 編輯
請用一句話通俗易懂的話解釋下增強(qiáng)型捕獲 eCAP的功能，謝謝
2018-06-13 02:08:55
本帖最后由 dewfn 于 2013-3-27 20:07 編輯
高手進(jìn)來看看這個電路圖是不是畫錯了MOS管 圖上畫的是耗盡型，可是我查到的是增強(qiáng)型圖上型號是SI4435可是我查到
2013-03-27 13:48:45
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:43:39
25 Vishay推出新的QPL系列Bulk Metal箔超高精度Accutrim微調(diào)電位器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新的QPL系列Bulk M
2009-07-01 09:29:54938 N溝道增強(qiáng)型MOSFET
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理
1) N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)N 溝道增強(qiáng)型
2009-09-16 09:38:1810743 Vishay推出新型142 RHS系列鋁電解電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出高容值、高紋波電流，并可在+105℃高溫下工作的徑向鋁電容器——142 RHS系列。
2009-11-16 08:29:21924 Vishay推出PowerBridge封裝單列直插橋式整流器
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）今天宣布，推出新系列增強(qiáng)型高電流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的額定電
2009-12-29 09:24:041127 增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上
2010-03-05 15:34:432720 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54877 萊爾德科技推出增強(qiáng)型Tlam SS LLD 導(dǎo)熱PCB基板
萊爾德科技公司日前宣布，推出增強(qiáng)型 Tlam? SS LLD (Laird LED Dielectric) 導(dǎo)熱印刷
2010-04-17 16:35:101516 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新款TM8系列高可靠性、表面貼裝、具有低至200nA的超低直流泄露電流(DCL)的鉭電容器
2010-10-11 08:55:281265 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 日前，Vishay 推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，低至±0.1%的容差
2011-02-14 09:12:021430 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301777 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款I(lǐng)HLP?低外形、高電流電感器--- IHLP-3232DZ-11，該器件在同類器件當(dāng)中首次采用3232外形尺寸
2011-03-31 09:39:021756 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用0806、1008、1111和1515外形尺寸的新系列低外形、高電流電感器——IFSC
2011-04-23 09:38:331053 高頻變壓器線徑的確定根據(jù)公式D=1.13（I/J）^1/2可以計算出來，J是電流密度，不同的取值計算出的線徑不同。由于高頻電流在導(dǎo)體中會有趨膚效應(yīng)，所以在確定線經(jīng)時還要計算不同頻率時
2012-06-11 16:08:5530792 
美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC）宣布其新一代1200V非穿通型（non-punch through， NPT） IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A額定電流型款。
2013-04-03 11:27:231091 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，將其159 PUL-SI系列卡扣式功率鋁電容器在+105℃下的額定電壓提升至500V。這些增強(qiáng)型器件
2013-12-19 11:01:51925 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列厚膜片式電阻---RCV e3，以滿足工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用對高電壓器件的需求，同時節(jié)省寶貴
2015-05-07 16:15:121580 德州儀器（TI）近日推出了一款可靠性最高、功耗最低、DC精度最高且總效率優(yōu)于同類產(chǎn)品的增強(qiáng)型隔離放大器。AMC1301是TI增強(qiáng)型隔離系列的最新產(chǎn)品，擁有業(yè)界最高的工作電壓規(guī)格、3uV/C的最低失調(diào)
2016-07-08 15:46:142619 近日，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列超薄、大電流的IHLP?電感器---SGIHLP系列，這些電感器是業(yè)內(nèi)首批達(dá)到
2018-05-02 11:41:001725 據(jù)悉，近日，TE Connectivity(TE)推出金手指電源連接器，在嚴(yán)苛環(huán)境下，它可以穩(wěn)定實現(xiàn)高電流密度和低接觸電阻性能，快來一睹為快吧!
2018-05-05 07:01:026097 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列加固型ENYCAPTM電雙層儲能電容器---225 EDLC-R ENYCAP，用于條件
2018-05-11 17:22:001359 2018年6月28日 – 全球連接與傳感器領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity （TE） 今日宣布推出 ELCON Micro 電源連接器。此款連接器采用通用的 3.0mm 端子間距，可實現(xiàn)高電流密度，單個引腳提供的電流最高可達(dá) 12.5A ，因此適用于服務(wù)器、交換機(jī)、存儲設(shè)備和測試機(jī)。
2018-08-08 16:10:201012 中國上?！?018年11月27日—全球連接與傳感器領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè) TE Connectivity（TE）今日宣布推出新型高密度（HD+）金手指電源連接器。該連接器是市場上可實現(xiàn)最高電流密度的金手指電源連接器，能夠支持高達(dá)3千瓦的電源功率，從而滿足下一代數(shù)據(jù)中心不斷升級的電力需求。
2018-11-28 15:18:251657 基于ARM Cortex-M3內(nèi)核的高性價比增強(qiáng)型GD32F205和GD32F207系列微控制器，在GD32F1系列產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提供了全面增強(qiáng)的處理能力與全新的外設(shè)接口資源。除了具有
2019-10-23 10:24:596319 
按照經(jīng)濟(jì)電流密度法計算電力電纜截面的公式為 Aec=Ic/Jec 式中，Aec為導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)截面（mm2）Ic為線路的計算電流（A），Jec為經(jīng)濟(jì)電流密度（A/mm2）。
2020-10-01 17:26:005319 
什么是 PCB 走線電流密度 在 PCB 設(shè)計的興奮中， PCB 走線電流密度是一個經(jīng)常被忽視的因素，可能導(dǎo)致災(zāi)難性的結(jié)果。 PCB 走線電流密度由流過導(dǎo)電材料單位面積的電流量定義。 在典型
2020-09-16 22:52:155316 電流密度矢量是描述電路中某點(diǎn)電流強(qiáng)弱和流動方向的物理量。其大小等于單位時間內(nèi)通過某一單位面積的電量，方向向量為單位面積相應(yīng)截面的法向量，指向由正電荷通過此截面的指向確定。因為導(dǎo)線中不同點(diǎn)上與電流方向
2021-01-15 16:12:1153368 可用的增強(qiáng)型產(chǎn)品
2021-04-24 13:56:150 LTC3611演示電路-高輸入電壓和高電流密度降壓轉(zhuǎn)換器(9-32V至1.8V@10A)
2021-06-07 16:15:0310 Vishay 宣布，推出增強(qiáng)型Vishay Draloric RCC1206 e3厚膜片式電阻，外形尺寸為1206，額定功率0.5 W。
2021-09-23 10:05:441720 
Vishay Draloric RCC1206 e3 器件通過 AEC-Q200 認(rèn)證節(jié)省電路板空間同時減少元件數(shù)量，降低加工成本。 Vishay 推出增強(qiáng)型 Vishay Draloric
2021-10-11 15:32:492282 Vishay 推出新系列 vPolyTan 表面貼裝聚合物鉭模塑片式電容器，在高溫高濕條件下具有可靠性能。
2021-12-07 15:40:283569 Vishay 推出新型 35 A 大電流商用 IHCM 共模扼流圈。Vishay定制磁芯 IHCM-2321AA-10 采用薄型表面貼裝封裝結(jié)構(gòu)，比體積較大的環(huán)形器件更堅固且性能優(yōu)異，最高
2021-12-13 11:39:072866 HC89F3XX1系列是芯圣電子推出的增強(qiáng)型8位觸摸單片機(jī)，內(nèi)置增強(qiáng)型 8051 內(nèi)核，擁有最大32K的ROM、256Bytes的IRAM以及1K的XRAM。
2023-06-01 16:39:56998 
電流密度是什么意思？電流密度越大越好嗎？? 電流密度是指通過一個電導(dǎo)體的單位面積內(nèi)的電流量。通常用符號J表示，單位是安培/平方米(A/m2)。電流密度是一個重要的電學(xué)參數(shù)，可以反映材料的電導(dǎo)率以及
2023-09-28 16:36:2713419 uPOL封裝技術(shù)如何實現(xiàn)高電流密度供電突破
2023-12-01 16:12:231621 
摩擦伏特納米發(fā)電機(jī)(TVNG)具有高電流密度、低匹配阻抗和連續(xù)輸出等特點(diǎn)，有望解決小型電子器件的供電問題。
2023-12-11 09:25:342906 
，這樣才能確保系統(tǒng)能夠正常運(yùn)行并避免潛在的問題。然而，如果只關(guān)注電壓跌落而忽視電流密度，可能會導(dǎo)致以下一系列問題的出現(xiàn)。 1. 電線過熱和損壞：電流密度是指通過導(dǎo)線或電纜的電流與其橫截面積的比值。如果電流密度過
2024-01-22 15:49:091428 在電子元件領(lǐng)域不斷創(chuàng)新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業(yè)應(yīng)用中的有源充放電電路帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:111544 MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低驅(qū)動功率和良好的線性特性等優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)導(dǎo)電溝道的形成方式，MOSFET可以分為增強(qiáng)型和耗盡型
2024-07-14 11:32:228066 Vishay 推出專為電子引爆系統(tǒng)設(shè)計的新型系列 Tantamount 表面貼裝固體模壓型片式鉭電容器。Vishay Sprague TX3 系列器件機(jī)械結(jié)構(gòu)牢固，漏電流（ DCL ）低，具有嚴(yán)格的測試規(guī)范，性能和可靠性優(yōu)于商用鉭電容器和 MLCC。
2024-07-19 09:26:441583 增強(qiáng)型MOS管（Enhancement MOSFET）是一種重要的場效應(yīng)晶體管，具有高輸入阻抗、低輸入電流、高速開關(guān)和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。以下是對增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)的詳細(xì)解析。
2024-07-24 10:51:073843 ： 定義 ：CoolGaN是英飛凌（Infineon）公司推出的一系列基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的產(chǎn)品品牌或系列名稱。它代表了英飛凌在GaN功率器件領(lǐng)域的技術(shù)成果和產(chǎn)品線。 范疇 ：CoolGaN系列產(chǎn)品包括但不限于增強(qiáng)型HEMT（常關(guān)型）和其他基于GaN技術(shù)的功率器件，這些器件被廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換
2024-09-07 09:28:251947 磁化電流密度和傳導(dǎo)電流密度是兩個相關(guān)但又不完全一致的物理概念，它們在電磁學(xué)和材料科學(xué)領(lǐng)域中各自扮演著重要的角色。以下是關(guān)于這兩者關(guān)系的分析： 一、定義與特性 磁化電流密度 ： 定義：磁化電流密度
2024-10-09 09:30:163666 金升陽LIHF系列增強(qiáng)型高端導(dǎo)軌電源，功率段涵蓋240W/480W/960W，布局完善，可滿足高端制造不同細(xì)分領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">高功率導(dǎo)軌電源的需求。該系列可應(yīng)用于船舶、冶金、風(fēng)電、軌交、精密制造等高端工業(yè)領(lǐng)域。
2024-11-14 10:50:391090 鋰金屬一直以來被認(rèn)為是高能量密度電池的理想負(fù)極材料。不幸的是，鋰金屬負(fù)極在實際電流密度下容易形成枝晶，限制了其應(yīng)用。早期的理論工作預(yù)測，具有剪切模量大于8 GPa的固態(tài)電解質(zhì)將抑制鋰的穿透。
2025-03-01 16:05:391845 
合科泰HKT系列產(chǎn)品推出新品N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用SGT屏蔽柵技術(shù)，其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優(yōu)化散熱，產(chǎn)品均符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，以低導(dǎo)通電阻和高電流承載，可適配封閉環(huán)境應(yīng)用，如儲能電池包BMS和車載OBC應(yīng)用。
2025-08-12 16:54:001610 
新潔能研發(fā)團(tuán)隊溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
2025-08-22 18:02:351530 
和低電壓系數(shù)。PEP系列推薦用于需要切換到具有相同功率限制的小尺寸器件的用戶。Vishay/Sfernice PEP功率增強(qiáng)型薄膜片式電阻器有0402、0603、0805和1206等尺寸可選。
2025-11-17 10:26:52404 
選型手冊：VS1401ATHN溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借
2025-11-28 12:14:04238 
著數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和效率。今天，我們就來深入了解一下德州儀器（TI）推出的 THVD24xxV-EP 系列增強(qiáng)型 3V 至 5.5V RS-485 收發(fā)器，看看它有哪些獨(dú)特的特性和應(yīng)用場景。 文件下載
2025-12-15 17:25:10978 深入探討德州儀器（TI）推出的 THVD24xxV-EP 系列增強(qiáng)型 3V 至 5.5V RS-485 收發(fā)器，包括 THVD2410V-EP、THVD2450V-EP 和 THVD2452V-EP
2025-12-15 18:05:101680
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