加利福尼亞州，圣克拉拉市， 2016年5月23日——格羅方德半導體（GlobalFoundries）于今日宣布針對硅鍺（SiGe）高性能技術組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術專為需要更優(yōu)性能解決方案的客戶而打造，適用于汽車雷達、衛(wèi)星通信、5G毫米波基站等其他無線或有線通信網(wǎng)絡的應用。

　　格羅方德半導體的硅鍺 8XP技術是該公司130nm高性能硅鍺系列產(chǎn)品的最新成員，它可協(xié)助客戶制定射頻解決方案，以在更遠距離實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)吞吐量，同時耗能更少。這項先進技術大幅提升了異質結雙極晶體管（HBT）的性能、降低噪聲指數(shù)、改善信號完整性并將硅鍺 8XP的最大振蕩頻率（Fmax）增加至340GHz，相比以前的硅鍺 8HP提升了25%。

　　運行于毫米波頻段的高帶寬通信系統(tǒng)帶來了復雜性和高性能要求，因此急切需要性能更優(yōu)的芯片解決方案。除了依靠硅鍺技術獲得高性能的各種應用外（如：通信基站設施、回程信號隧道、衛(wèi)星和光纖網(wǎng)絡），高性能硅鍺解決方案還可在5G智能手機的射頻前端以及其他毫米波相控陣消費應用領域迎來發(fā)展良機。

　　格羅方德半導體射頻業(yè)務部高級副總裁Bami Bastani博士認為：“5G網(wǎng)絡將促進射頻SoC設計實現(xiàn)新一代的創(chuàng)新，以支持高帶寬的數(shù)據(jù)傳輸并滿足對更快數(shù)據(jù)傳輸和更低延遲率應用的需求。格羅方德的硅鍺 8HP和8XP技術可以有效平衡性能、功率和效率，助力客戶在下一代移動和硬件設施上開發(fā)出差異化的射頻解決方案?！?/p>

　　Anokiwave的首席執(zhí)行官Robert Donahue表示：“格羅方德的領先硅鍺技術和全面的平臺開發(fā)工具包能使我們的開發(fā)設計人員快速開發(fā)出性能更優(yōu)、更具差異化的毫米波解決方案。利用硅鍺 8XP技術，我們可以推出面向未來、更高性能的毫米波解決方案，以幫助我們的供應商隨時隨地確保穩(wěn)定的連接性，同時從容應對呈爆炸式激增的海量移動數(shù)據(jù)流?！?/p>

　　未來的5G網(wǎng)絡將在更小單元面積內(nèi)促進基站擴增，硅鍺8HP和8XP技術旨在充分平衡微波和毫米波頻段的價值、輸出功率、效率、低噪性和線性，以實現(xiàn)下一代移動基礎硬件設施和智能手機射頻前端的差異化射頻解決方案。格羅方德的硅鍺 8HP和8XP高性能技術可幫助芯片設計者整合重要的數(shù)字和射頻功能，以開發(fā)出比砷化鎵（GaAs）更經(jīng)濟，比CMOS性能更優(yōu)越的芯片技術。

　　除了在毫米波頻段高效運行的高性能晶體管，該技術引發(fā)的技術創(chuàng)新還可以減少芯片尺寸，產(chǎn)生高效空間利用的解決方案。全新的銅金屬化功能特性使得材料的電流承受能力在100攝氏度時提高5倍（以電流密度計），或相比標準銅線，在相同的電流密度下其溫度高出25攝氏度；此外，格羅方德經(jīng)生產(chǎn)驗證的硅通孔（TSV）互連技術現(xiàn)已問世。

　　硅鍺 8XP設計套件現(xiàn)已全面上市。欲了解關于格羅方德130nm 硅鍺高性能技術解決方案的更多詳情，請蒞臨我們在舊金山國際微波研討會（International Microwave Symposium）的1443號展位（5月22日-27日），或訪問globalfoundries.com/sige。

　　關于格羅方德半導體

　　格羅方德半導體（GLOBALFOUNDRIES）是全球首家真正做到業(yè)務全球化且能夠提供全方位服務的半導體晶圓代工廠。公司成立于2009年3月，之后規(guī)模迅速擴大，如今已發(fā)展成為全球最大的晶圓代工廠之一，為 250多家客戶提供獨一無二的先進技術和代工服務。格羅方德半導體在新加坡、德國和美國都設有工廠，是全球唯一一家在三大洲擁有生產(chǎn)中心，既能滿足安全性又能滿足靈活性的晶圓代工廠。公司的300毫米晶圓廠和200毫米晶圓廠可提供從主流到尖端的一系列工藝制造技術。公司業(yè)務遍及全球，并且還獲得了美國、歐洲和亞洲半導體業(yè)務中心附近的幾大研發(fā)機構和設計機構的大力支持。格羅方德半導體是穆巴拉達發(fā)展公司（Mubadala）旗下子公司。

　　欲了解更多信息，敬請訪問http://www.globalfoundries.com。