近日國外咨詢機構(gòu)YOLE發(fā)布了2020年存儲器行業(yè)現(xiàn)狀調(diào)查報告，報告包括以下內(nèi)容：

新增內(nèi)容

分析COVID-19對獨立存儲器市場的影響：對需求，位出貨量和CAPEX的影響

考慮到COVID-19的影響以及中國新參與者的加入，對NAND和DRAM市場的最新市場預測（2019年至2025年）

NOR存儲器業(yè)務概述：參與者，增長動力，與密度有關(guān)的應用程序，市場份額，ASP，收入等

最新的IDM領(lǐng)先公司的財務分析-包括三星，SKhynix，Kioxia，WesternDigital，美光和英特爾

更新了中國存儲器廠商的清單，并詳細介紹了他們在DRAM，NAND，NOR和新興NVM業(yè)務中的活動

鑒于IPO，深入了解Kioxia的NAND業(yè)務

主要特征

獨立存儲器市場和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等

描述技術(shù)趨勢和挑戰(zhàn)，擴展路線圖以及獨立存儲技術(shù)的主要參與者概述

從系統(tǒng)角度分析內(nèi)存市場，詳細說明服務器，智能手機，個人計算機，企業(yè)/客戶端SSD和車輛的當前和未來內(nèi)存需求

獨立存儲器最重要的終端市場概況，即數(shù)據(jù)中心，移動，汽車，PC和消費類電子產(chǎn)品

介紹存儲設(shè)備的包裝解決方案，并描述新興的包裝技術(shù)和市場趨勢

嵌入式內(nèi)存技術(shù)概述以及在內(nèi)存計算應用中的進展

獨立內(nèi)存供應鏈的映射，近期并購和合資企業(yè)的分析，值得注意的新聞清單以及2019-2020年的公司公告

報告目標

提供對獨立內(nèi)存技術(shù)和應用程序的了解：

具有技術(shù)節(jié)點，產(chǎn)品開發(fā)狀態(tài)，芯片密度，擴展挑戰(zhàn)和潛在解決方案的路線圖

關(guān)鍵系統(tǒng)中的內(nèi)存內(nèi)容演進：服務器，智能手機，個人計算機，車輛，企業(yè)和客戶端SSD

主要內(nèi)存終端市場：數(shù)據(jù)中心，移動，汽車，PC和消費類電子產(chǎn)品

提供獨立存儲器業(yè)務的市場預測：

NOR，（NV）SRAM和其他技術(shù)（包括PCM，MRAM和RRAM）的市場預測（2019年至2025年）

NAND和DRAM的市場預測（2019年至2025年），其中包括參與者的資本支出，每位價格，市場份額，位需求，位出貨量，晶圓生產(chǎn)等詳細信息。

詳細分析競爭格局：

財務分析：主要存儲器公司的收入，資本支出，研發(fā)，運營成本和利潤率

最近的并購，啟動資金和最新的公司新聞

概述

2020年大流行期間，NAND和DRAM將在獨立存儲市場推動新的增長

在諸如移動性，云計算，人工智能（AI）和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等重要大趨勢的推動下，獨立內(nèi)存市場在過去十年中經(jīng)歷了驚人的增長。然而，這一令人興奮的增長期于2018年第四季度結(jié)束，當時NAND和DRAM市場均因需求疲軟而開始出現(xiàn)供過于求的狀態(tài)。這包括智能手機銷售低于預期以及數(shù)據(jù)中心需求放緩。內(nèi)存供應商及其OEM客戶的庫存水平增加，2019年平均銷售價格（$/Gb）下降超過40％。同時，DRAM和NAND總收入達到？106B，比2018年下降34％.2019年，DRAM和NAND資本支出的大幅削減引發(fā)了市場復蘇，該復蘇始于2019年底，并一直持續(xù)到2020年。

NAND和DRAM是無處不在的技術(shù)，一起占整個獨立存儲器市場的96％。因此，它們對存儲器行業(yè)的整體狀況和動態(tài)影響很大。但是，除了NAND？？和DRAM外，還有各種各樣的技術(shù)可以滿足不同終端系統(tǒng)和市場的需求。NOR閃存是第三大市場（2019年約為$2.3B），受到眾多應用的推動，包括工業(yè)和安全性（例如監(jiān)控攝像頭），消費類和汽車電子產(chǎn)品以及電信基礎(chǔ)設(shè)施（例如5G基站）。盡管存在一些季節(jié)性和周期性，但NOR收入預計將以4％的CAGR2019-2025增長。

其他技術(shù)，例如易失性和非易失性（NV）SRAM，鐵電RAM（FRAM）和EEPROM代表著“利基”市場，這些市場是相當靜態(tài)的，合計僅占獨立存儲器市場的約1.5％。

另一方面，新興的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)（例如MRAM，PCM和RRAM）正在存儲級存儲器（SCM）市場中騰飛。到2025年，他們的合并收入預計將達到約40億美元，復合年增長率（CAGR2019-2025）為40％。在這一領(lǐng)域，由于英特爾的參與，PCM（3DXPoint）將繼續(xù)保持領(lǐng)先地位，直到2025年。英特爾通過OptaneTM非易失性內(nèi)存模塊領(lǐng)導持久性存儲器業(yè)務。

中國新玩家的入駐將改變存儲器市場的格局

在過去的十年中，市場集中度顯著提高，現(xiàn)在已經(jīng)非常高。三個主要的NAND和DRAM廠商-三星，美光和SKhynix-以及兩個純NAND廠商Kioxia和WesternDigital一起占據(jù)了獨立存儲器市場的90％左右。預計東芝公司將以2020年10月的首次公開募股（IPO）的形式出售其所持有的40.2％的股份，以減輕其子公司KioxiaHoldingsCorporation的負擔。但是，美國最近的限制有所加強（9月）華為（Kioxia的主要客戶之一）于2020年15月15日上市，以及對第二波COVID-19大流行的擔憂，可能促使Kioxia的高管推遲了IPO的日期。Kioxia在NAND市場中占有第二高的市場份額，自1980年代后期發(fā)明這項技術(shù)以來，它在業(yè)界一直占有一席之地。Kioxia和WesternDigital的合資企業(yè)擁有業(yè)內(nèi)最高的NAND晶圓產(chǎn)能，但其營業(yè)利潤率仍落后于行業(yè)領(lǐng)先者三星。兩家公司選擇采用112層（低于行業(yè)“標準”128層）和160層（相對于“標準”為176層），以提高工具的可重復使用性并節(jié)省資金。

在DRAM業(yè)務中，尋求通過在2019年大幅度削減資本支出（25％–30％）來尋求市場平衡。直到第三季度至19季度，供應商都計劃在2020年再次減少資本支出。三星有望在2020年之前推出基于1z技術(shù)的產(chǎn)品。SK海力士將緊隨其后。

同時，中國廠商開始威脅市場均衡，并可能引發(fā)存儲器業(yè)務的深刻變化。在NAND業(yè)務中，揚子存儲技術(shù)有限公司（YMTC）是中國領(lǐng)先的存儲器制造商。該公司目前正在國內(nèi)小批量運送64LNAND（包括SSD），預計在2021年將有128L的產(chǎn)品正在開發(fā)中，并計劃發(fā)貨。

相比之下，中國DRAM仍處于技術(shù)開發(fā)階段。DRAM制造非常困難，中國要與整個行業(yè)實現(xiàn)競爭對等可能需要更長的時間。中國最先進的DRAM制造商長興存儲技術(shù)有限公司（CXMT）有望在2020年提高1xnm節(jié)點的產(chǎn)量。

對于NAND，我們預計2021年YMTC的大量產(chǎn)量（？4％）將會進入市場，而DRAM則需要更長的時間。

技術(shù)節(jié)點遷移正變得越來越困難和昂貴

NAND和DRAM的可擴展性原本應該在2020年達到頂峰，但是存儲器制造商和設(shè)備制造商已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了新的解決方案，可以超越這一限制。新的制造技術(shù)包括自對準多重圖案化，極紫外（EUV）光刻和計量學，以及高縱橫比（HAR）蝕刻，以在3DNAND設(shè)備中產(chǎn)生接觸孔。用于異構(gòu)集成的新穎高級封裝方法（即3D堆棧和2.5D硅中介層）使高帶寬內(nèi)存（HMB）能夠在計算單元（CPU/GPU）和DRAM之間進行快速數(shù)據(jù)傳輸。

所有這些奇異的技術(shù)解決方案為半導體行業(yè)提供了新的機會，可以提高下一代存儲設(shè)備的位密度，改善其帶寬并降低其功耗和單位成本。但是，隨著每一代技術(shù)的發(fā)展，比特增長變得越來越昂貴。例如，隨著每個節(jié)點的遷移，DRAM中的多圖案要求不斷增加，從而導致了額外的處理步驟，因此每個生產(chǎn)的晶圓都有更多的潔凈室空間。隨著DRAM的縮小和缺陷可能性的增加，DRAM制造商正在評估從自對準多重圖案轉(zhuǎn)換為EUV光刻的想法。值得注意的是，三星最近宣布在1x節(jié)點上出貨了100萬條使用EUV技術(shù)制造的DDR4DRAM模塊。

利用我們在存儲器技術(shù)和相關(guān)市場方面的綜合專業(yè)知識，Yole推出了第二版的《存儲器行業(yè)現(xiàn)狀》報告。本報告旨在提供獨立存儲器市場及其競爭格局的最廣泛概述，詳細介紹獨立存儲器領(lǐng)域的技術(shù)挑戰(zhàn)，機遇和趨勢，包括NAND，DRAM，NOR，（NV）SRAM，新興NVM，以及更多。

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