在2019年存儲器相關(guān)投資大幅下跌之后，市場預(yù)期2020年新存儲器容量投資將急劇增加。受邏輯半導(dǎo)體制造商之間的競爭所推動，邏輯芯片尺寸持續(xù)擴大，新設(shè)備相關(guān)需求也推動了EUV光刻機的量產(chǎn)，為半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)帶來更多的動能。

展望2020年，相對2019年的下跌，存儲器設(shè)備投資預(yù)期將會有所增加?？剂康浇诖鎯ζ鞴┬锠顩r的改善，除非相關(guān)投資能在今年第二季有所回升，否則2021年恐將面臨存儲器供應(yīng)嚴重短缺。因此，主要存儲器制造商預(yù)期將在今年下半年加大投資。

《Business Korea》報導(dǎo)，三星電子DRAM存儲器容量將以50k wpm的速度增長，而NAND則將以85k wpm的速度增長，SK海力士的DRAM的存儲器容量將以30k wpm的速度增長，從這些數(shù)據(jù)來推斷，主要的存儲器設(shè)備制造商有可能在2020年創(chuàng)下有史以來最強勁的獲利。

另一方面，芯片尺寸的增加，以及EUV光刻技術(shù)引入DRAM制程中，也有利于半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)。在邏輯芯片制造商之間的競爭推動下，邏輯芯片的尺寸持續(xù)擴大?；诠潭ㄈ萘?，隨著芯片尺寸的增加，芯片出貨量將會下跌，也將推動容量相關(guān)投資。2020年，英特爾（INTC-US）計劃投資170億美元，使產(chǎn)能年增25%。臺積電也計劃進行150億美元的投資，較2018年增加50%。

新創(chuàng)獨角獸公司Cerebras日前推出了全球最大的電腦芯片-晶圓級引擎（Wafer-Scale Engine，WSE），標(biāo)志半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要里程碑，芯片尺寸的大幅度增加也將提高AI運算能力，WSE芯片是由臺積電16納米制程打造的300mm晶圓切割而成。

近期5納米邏輯芯片和1Z納米DRAM制程引入EUV設(shè)備也將使半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)受益。臺積電如今正在引入4至5層EUV光罩層，用在包括5納米EUV光刻技術(shù)、孔洞陣列（hole arrays）等。
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