長江存儲基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費(fèi)級固態(tài)品牌——致鈦存儲于日前正式與我們見面，并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問題就是關(guān)于致鈦存儲的技術(shù)，而就在近日，長江存儲通過大咖來答疑欄目給出了相關(guān)技術(shù)答復(fù)，讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。

　　背景介紹：

　　長江存儲于2014年，開始3D NAND flash的研發(fā)，技術(shù)團(tuán)隊(duì)從最初開始研發(fā)相關(guān)技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)有六年的時(shí)間，并在，2016年注冊公司，短短的時(shí)間內(nèi)就做到了從閃存顆粒，到Xtacking架構(gòu)，再到消費(fèi)級SSD。促使長江存儲快速發(fā)展的主要原因是基于長江存儲對研發(fā)的持續(xù)投入和團(tuán)隊(duì)的努力，以及對Xtacking技術(shù)路線的創(chuàng)新和堅(jiān)守。

　　關(guān)于硬盤壽命：

　　致鈦系列消費(fèi)級固態(tài)硬盤的優(yōu)點(diǎn)之一就是寫入壽命長，固態(tài)硬盤的壽命也是眾多消費(fèi)者較為關(guān)心的話題。對此，長江存儲表示，寫入壽命是致鈦產(chǎn)品的一個(gè)很重要的指標(biāo)。寫入壽命長實(shí)際上就代表了致鈦的SSD生命周期會更長。如果寫入壽命短，實(shí)際上用這個(gè)盤的時(shí)間就會短。NAND flash并不是無限可寫入的，它本身的壽命也是有限的。因此，當(dāng)你的寫入壽命增加10%，那么產(chǎn)品的可使用時(shí)長就增加10%。此外，在相同寫入量的情況下，寫入壽命更長的SSD，數(shù)據(jù)也會更加安全一些。

　　還有，硬盤的壽命也會受到不同因素的影響，寫入壽命本身是產(chǎn)品通過驗(yàn)證和測試后一個(gè)重要的認(rèn)證結(jié)果，可以通過硬盤的標(biāo)識來辨別，其中致鈦 SC001寫入壽命從170TBW到680TBW不等，而PC005寫入壽命從200TBW到640TBW不等，在寫入壽命方面，致鈦已經(jīng)達(dá)到了國際領(lǐng)先水。

　　當(dāng)然，硬盤的寫入壽命主要與固件的算法直接相關(guān)，致鈦使用的算法同整個(gè)業(yè)界是一樣的，但寫入放大是需要顆粒來進(jìn)行承載，這也就意味著Xtacking確實(shí)可以間接幫助提高寫入壽命。因?yàn)閄tacking是將閃存陣列的工藝和Xtacking下的CMOS邏輯器件工藝分割隔離的，從這一程度上講，利用Xtacking技術(shù)，長江存儲得以更容易地調(diào)整閃存陣列的工藝。如果閃存陣列的工藝更容易調(diào)整優(yōu)化，相對它的壽命也就會更長一些。

　　還有，致鈦系列寫入壽命高的主要原因是使用顆粒本身的壽命會更長一些。長江存儲使用的磨損均衡管理同業(yè)界使用的方法是一致的。壞塊管理也跟壞塊產(chǎn)生的數(shù)量和程度相關(guān)，比如是壞了一個(gè)頁，或是壞了一個(gè)wordline，還是壞了很多，相應(yīng)壞塊管理的方式就會不一樣。從現(xiàn)有情況來看，長江存儲的NAND flash的失效模型（defect modeling）同業(yè)界其他友商也是相當(dāng)?shù)?，在有些方面甚至還可能更好一些。長江存儲會使用冗余度更低的方法來進(jìn)行壞塊管理，冗余度降低了，寫入壽命自然也就提高一些。

　　通過上文相信大家對硬盤的壽命有了大概的了解，為了能夠讓大家更加了解硬盤壽命，長江存儲還進(jìn)行相應(yīng)的舉例解析。例如256GB 170TBW的硬盤，一個(gè)人每天寫60G，也要用差不多8年才能用完，這對普通消費(fèi)者已經(jīng)足夠了。然而，消費(fèi)級的使用一天大概在5-6G左右。

　　此外，長江存儲的芯片也不僅僅開發(fā)給消費(fèi)者，也會開發(fā)給一些PC用戶、OEM用戶、企業(yè)級用戶等等。在他們的使用過程中可能會有些特殊情況發(fā)生，使得每天的需求量會變得非常高。也就是說，長江存儲將能夠支撐更好應(yīng)用的顆粒用在了消費(fèi)級SSD上面，自然而然也就可以保障其壽命的增加。

　　PCIe 4.0時(shí)代，長江存儲蓄力待發(fā)

　　2020年可以說是PCIe4.0 SSD發(fā)力的一年，各大廠商都在運(yùn)籌帷幄，而長江存儲希望能夠更快地進(jìn)入到PCle 4.0的范疇，推出一些PCle 4.0的產(chǎn)品。因?yàn)镻Cle 4.0還比較新，可能會考慮接下來在PCle 4.0上推出低中高端不同系列的產(chǎn)品，會有一些性能的分割，在價(jià)格上也會有一定差異。此外，還會盡量降低整個(gè)產(chǎn)品的功耗，雖然PC005和SC001的功耗已經(jīng)控制得不錯(cuò)了，但仍有優(yōu)化的空間。

　　關(guān)于3D NAND：

　　有很多的小伙伴對3D NAND興趣濃厚，對此，長江存儲表示，3D NAND的容量有幾個(gè)指標(biāo)，一是看芯片里有多少塊（block），二是看每個(gè)塊里面有多少flash的晶體管，層數(shù)多了，自然就能讓一個(gè)塊內(nèi)的容量變大。不過，并不是層數(shù)多了就能讓整個(gè)產(chǎn)品的容量變大，在設(shè)計(jì)的時(shí)候，也可以設(shè)計(jì)更少的塊，那容量自然就小下來了，也可以設(shè)計(jì)更多的塊，容量自然就增長上去了。不過，并不是每一層的容量都是統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)，只能說是大致統(tǒng)一。長江存儲每一個(gè)塊的容量大約會比業(yè)界其他產(chǎn)品多50%左右。

　　眾所周知，3D NAND層數(shù)的堆疊，也面臨一些挑戰(zhàn)。比如隨著層數(shù)的增加，越來越難達(dá)到孔所需要的長寬比，正常來說，3D NAND的極限大概在100層左右，而長江存儲目前做到128層。對此，長江存儲表示，事實(shí)上，技術(shù)是一直在發(fā)展的，設(shè)備和工藝本身也在發(fā)展。以前長江存儲連五納米、十納米的技術(shù)都不敢想，那時(shí)候還是幾十納米、上百納米的技術(shù)，大家都認(rèn)為十納米以下相當(dāng)于一個(gè)原子都沒有了，是不可能的。而現(xiàn)在這已經(jīng)是很普遍的技術(shù)了。所以，并不是說3D NAND的極限就在100層左右?，F(xiàn)在128層也已經(jīng)是相對比較成熟的技術(shù)了，在未來的一兩年里面，市場上就會看到很多128層及以上的產(chǎn)品出現(xiàn)。

　　長江存儲，用更好的設(shè)備、更好的工藝調(diào)校能力，最終能夠達(dá)到128層，甚至將來達(dá)到256層、300層、500層都是有可能的。

　　當(dāng)然，3D NAND不可能進(jìn)行無限堆疊，使用現(xiàn)有的堆疊方式，3D NAND的堆疊層數(shù)大概在500層左右，但是技術(shù)是在不斷演進(jìn)的，或許在500層以后，還需要找到全新的方法、設(shè)備或是理論，能夠幫助突破到500層以上，也是很有可能的。