三星電子宣布，已完成開發(fā)全球首款32Gb(4GB) DDR5內(nèi)存芯片，迄今業(yè)界密度最高，可據(jù)此打造1TB容量的內(nèi)存條。

就在此前5月份，三星剛剛開始量產(chǎn)16Gb(2GB)容量的DDR5內(nèi)存芯片，頻率高達7200MT/s。

最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片，繼續(xù)采用12nm級別工藝制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品，容量已經(jīng)增加了50多萬倍！

不過，三星并未披露具體頻率。

此前的128GB DDR5內(nèi)存條，必須使用TSV硅穿孔技術(shù)，堆疊多顆芯片才能達成，而現(xiàn)在有了單顆64Gb，就不需要TSV堆疊了，從而將功耗降低大約10％。

只需要8顆這樣的芯片，就能達成單條32GB容量。

更進一步，使用8-Hi 3DS堆疊技術(shù)將8顆32Gb芯片整合在一起，然后在一條內(nèi)存上安裝32顆，就能達成單條1TB容量！

有了它，AMD EPYC 9004這樣支持12通道內(nèi)存的服務(wù)器平臺上，就可以實現(xiàn)單路系統(tǒng)12TB內(nèi)存。

三星計劃在今年底量產(chǎn)32Gb DDR5內(nèi)存芯片。

說到先進內(nèi)存技術(shù)，傲騰真的要走了。

2022年9月底，Intel宣布徹底關(guān)閉傲騰(Optane)業(yè)務(wù)，相關(guān)的SSD固態(tài)硬盤、持久內(nèi)存產(chǎn)品一并放棄，相關(guān)損失達5.59億美元。

傲騰持久內(nèi)存，其實真的稱得上一種革命性內(nèi)存技術(shù)，不但擁有大容量、高性能、硬件加密等優(yōu)勢，還支持兩種模式靈活配置，更是在斷電情況下也能保持數(shù)據(jù)，可以說兼具傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存、NAND閃存的優(yōu)勢。

只是，它的成本和價格一直很高，還需要專門開發(fā)適配。

根據(jù)Intel自己的工具PerfMon相關(guān)代碼顯示，計劃年底發(fā)布的第五代可擴展至強(Sapphire Rapids)，將會正式放棄對傲騰持久內(nèi)存的支持。

五代至強其實就是現(xiàn)有四代至強Sapphire Rapids的升級版，工藝、架構(gòu)、接口都不變，只是進一步強化性能和技術(shù)，內(nèi)存支持方面重點轉(zhuǎn)向CXL 2.0，包括三種不同類型，它將直接取代傲騰持久內(nèi)存。

因為不變，理論上，五代至強依然可以搭配傲騰持久內(nèi)存，但不再有官方支持和驗證，應(yīng)該不會有企業(yè)這么做，而且傲騰內(nèi)存的庫存應(yīng)該也清理得差不多了。

編輯：黃飛

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