武漢新芯于2006年由武漢政府出資100億人民幣新建的半導(dǎo)體代工廠，2008年開始量產(chǎn)。武漢新芯和中芯國際之間還有一段剪不斷理還亂的恩恩怨怨，建廠之初，由于缺乏人財(cái)和技術(shù)，武漢新芯和中芯國際就簽訂了托管協(xié)議，由中芯國際給予武漢新芯以包括生產(chǎn)技術(shù)和人才在內(nèi)的援助。

我們分析過中國最大的晶圓代工廠中芯國際（SMIC）的失敗原因，這回我們和大家一起討論一下新興的半導(dǎo)體代工廠企業(yè)――武漢新芯（XMC）（注：武漢新芯于今年7月成為長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司全資子公司，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司一期由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)和湖北省科技投資集團(tuán)有限公司共同出資，二期將由紫光集團(tuán)和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司共同出資。長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司的董事長由紫光集團(tuán)的董事長趙偉國兼任，我們將在下回的連載中詳細(xì)分析紫光集團(tuán)）。

武漢新芯于2006年由武漢政府出資100億人民幣新建的半導(dǎo)體代工廠，2008年開始量產(chǎn)。武漢新芯和中芯國際之間還有一段剪不斷理還亂的恩恩怨怨，建廠之初，由于缺乏人財(cái)和技術(shù)，武漢新芯和中芯國際就簽訂了托管協(xié)議，由中芯國際給予武漢新芯以包括生產(chǎn)技術(shù)和人才在內(nèi)的援助?？墒?，武漢新芯量產(chǎn)以后，很長的一段時(shí)間里處于經(jīng)營成效不佳，業(yè)績連年虧損的狀態(tài)，2010年傳出名花易主的消息，美光(Micron)與臺(tái)積電（TSMC）都虎視眈眈希望能兼并武漢新芯。由于中央政府擔(dān)心中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)落入國際寡頭的囊中而削弱本國半導(dǎo)體行業(yè)，最終讓中芯國際入主武漢新芯，2010年10月兩企業(yè)在武漢市正式簽訂合作協(xié)議，武漢市政府和中芯國際將通過現(xiàn)金注資的方式，對(duì)武漢新芯12寸晶圓生產(chǎn)線實(shí)施合資經(jīng)營，此后在很長的一段時(shí)間里，武漢新芯一直被人為是中芯國際的姊妹公司。但是，由于中芯國際自身也是毫無建樹的企業(yè)，2013年以后，兩企業(yè)開始分道揚(yáng)鑣。還有一點(diǎn)是必須要提到的，現(xiàn)在武漢新芯的CEO是元中芯國的COO兼CTO的楊士寧。

武漢新芯的轉(zhuǎn)機(jī)來源于中央政府的政策支持，2014年6月國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要（2015-2025）》，制訂了今后10年發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略部署，決定了首個(gè)主攻對(duì)象為存儲(chǔ)芯片，并于同年9月設(shè)立“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”，做為主力生產(chǎn)企業(yè)的武漢新芯受到了政策的青睞和扶持。5年內(nèi)將共計(jì)投資240億美元，在武漢東湖高新區(qū)的光谷智能制造產(chǎn)業(yè)園，2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，2030年建成每月100萬片的產(chǎn)能的中國最大的存儲(chǔ)芯片企業(yè)。

我們已經(jīng)在上面講過，武漢新芯是一個(gè)最大單月產(chǎn)能為6萬-7萬片，其中有技術(shù)含量的NOR Flash實(shí)際月產(chǎn)能僅為2萬片左右，還未達(dá)到贏利的半導(dǎo)體公司，是一個(gè)沒有政府輸血就面臨被市場(chǎng)清掃出局的企業(yè)。這樣一個(gè)“屌絲企業(yè)”為什么會(huì)一下子被推上風(fēng)口浪尖呢？當(dāng)然，國內(nèi)除了中芯國際以外武漢新芯是為數(shù)不多有大規(guī)模芯片生產(chǎn)能力的企業(yè)，做為政策扶持也別無選擇。另一個(gè)很重要的原因是武漢新芯在不久的將來可能擁有世界最先進(jìn)的3D NAND Flash技術(shù)。

在解釋武漢新芯擁有3D NAND Flash技術(shù)之前，我們先來科普一下存儲(chǔ)芯片的基本知識(shí)。我們?nèi)粘５挠?jì)算機(jī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)中，一般容量最大的是硬盤驅(qū)動(dòng)器，俗稱硬盤（HDD，Hard Disk Drive）；第二種是被稱為系統(tǒng)內(nèi)存的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM，Dynamic Random Access Memory），內(nèi)存有一個(gè)特點(diǎn)即電源切斷以后內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)完全消失；另一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器是我們熟悉的U盤和SD卡，其所用的芯片是NOR Flash。NAND Flash可以說是NOR Flash的升級(jí)版，和NOR Flash比雖然價(jià)格要高很多，但它有數(shù)據(jù)存取速度快的優(yōu)勢(shì)，我們現(xiàn)在所用的智能手機(jī)的內(nèi)存一般都是使用NAND Flash。3D NAND Flash可以說是NAND Flash的進(jìn)化版，具有存儲(chǔ)量大速度快的優(yōu)勢(shì)，是新一代大容量閃存技術(shù)。現(xiàn)在，只有三星、東芝?Sundisk、海士力和美光?英特爾四家企業(yè)能夠生產(chǎn)，而且除三星的閃存的產(chǎn)量比是40.8%以外，其余三家分別為5.4%、3.3%、17.6%，之所以產(chǎn)量不能提高的最重要原因是3D NAND Flash工藝復(fù)雜，包括三星在內(nèi)都是處于虧損的狀態(tài)（三星大部分的3D NAND在中國生產(chǎn)，政府對(duì)其有大量的補(bǔ)貼，導(dǎo)致三星生產(chǎn)3D NAND Flash稅前虧損稅后盈利的扭曲現(xiàn)象）。

武漢新芯是從美國飛索（Spansion）獲得3D NAND Flash基礎(chǔ)技術(shù)的。2014年2月武漢新芯和飛索簽定技術(shù)合作協(xié)議，由飛索方提供技術(shù)援助，在武漢新芯共同研發(fā)3D NAND Flash，首款合作產(chǎn)品將在2017年問世。說實(shí)話對(duì)于武漢新芯能否在3D NAND Flash上成功，還有很多疑問。美國飛索是1993年日本富士通和美AMD共同出資設(shè)立的NOR Flash的生產(chǎn)研發(fā)公司，2009年因業(yè)績連續(xù)滑坡倒產(chǎn)，被賽普拉斯（Cypress）收購成為其全資子公司。雖然，飛索從來就沒有生產(chǎn)過NAND芯片，但是，包括三星在內(nèi)，現(xiàn)在所有的3D NAND Flash技術(shù)其基本原理是飛索最早開發(fā)的MirrorBit技術(shù)。我們?cè)谥行緡H的例子里已經(jīng)知道，懂技術(shù)和會(huì)量產(chǎn)是完全兩碼事，更何況飛索掌握的是基礎(chǔ)技術(shù)。據(jù)申萬宏源的7月28日的研報(bào)報(bào)道，飛索研發(fā)的3D NAND Flash堆棧層數(shù)尚在8-10層左右，當(dāng)前三星已量產(chǎn)48層產(chǎn)品，與之技術(shù)差距至少3年，短時(shí)間追趕有很大的難度。

另一個(gè)嚴(yán)峻問題是前回我們提到的“統(tǒng)合技術(shù)”和“量產(chǎn)技術(shù)”，如果要量產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，武漢新芯永遠(yuǎn)無法回避此問題。就以上的兩個(gè)原因，包括湯之上隆在內(nèi)的很多國外的半導(dǎo)體評(píng)論家對(duì)武漢新芯確立3D NAND Flash量產(chǎn)能力都表示懷疑。

在2015年11月的一次公開場(chǎng)合，武漢新芯的執(zhí)行副總裁洪沨指出，武漢新芯的3D NAND Flash技術(shù)和三星的差最多就是兩年，只要公司能夠繼續(xù)努力研發(fā)，一定可以成為此領(lǐng)域的世界領(lǐng)導(dǎo)者，3D NAND Flash的研發(fā)和量產(chǎn)是武漢新芯崛起的一次歷史性機(jī)會(huì)。武漢新芯這次能否上演“咸魚翻身”的大戲，我們只能拭目以待。反過來想，如果沒有一定的可行性240億美元的巨額投資，即便是政策性投資也不會(huì)如此輕而易舉地交給一個(gè)“屌絲企業(yè)”的。作為一個(gè)中國人，真心希望武漢新芯能夠成功，它在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的飛躍也將是中國半導(dǎo)體行業(yè)的質(zhì)的飛躍，決定美、韓、中三國半導(dǎo)體三足鼎立的“赤壁之戰(zhàn)”已經(jīng)拉開帷幕。