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倫敦羅斯基爾信息服務(wù)公司的顧問Alexandra Feytis說，由于中國保持了原有的鎵產(chǎn)量，大多數(shù)其他國家比如德國與哈薩克斯坦的鎵產(chǎn)量已經(jīng)減少。她表示，中國在這個市場的主導地位尚未引起關(guān)注，但從長遠來看，這可能將會有所改變。

“鎵在未來幾年內(nèi)肯定會引起更多關(guān)注。其被多個主要國家列為關(guān)鍵礦物。”她說。

氮化鎵除了用于5G基站芯片組外，還可用于雷達、激光器、衛(wèi)星。

氮化鎵被譽為繼第一代Ge、Si半導體材料，第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。

受限于成本問題，過去一直沒有被推廣到民用領(lǐng)域。近些年，GaN的材料成本和制造成本開始下降。移動通信基站應(yīng)用需要更高的峰值功率、更寬的帶寬以及更高的頻率，這些因素都促成了基站接受氮化鎵器件。