T型三電平拓?fù)浼軜?gòu)深入剖析與碳化硅MOSFET技術(shù)優(yōu)勢的全面研究報告

傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

1. 引言

在當(dāng)今電力電子技術(shù)迅猛發(fā)展的背景下，能源轉(zhuǎn)換效率、功率密度以及系統(tǒng)可靠性已成為衡量功率變換系統(tǒng)性能的核心指標(biāo)。隨著光伏逆變器、電動汽車（EV）充電樁、有源電力濾波器（APF）以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用向更高電壓等級（如800V及以上）和更高開關(guān)頻率邁進(jìn)，傳統(tǒng)的兩電平電壓源逆變器（VSI）逐漸顯露出其在耐壓等級、諧波失真（THD）以及電磁干擾（EMI）方面的局限性。

為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生。其中，T型三電平拓?fù)洌═-type Neutral Point Clamped, TNPC）憑借其在傳導(dǎo)損耗、器件數(shù)量以及控制復(fù)雜度之間的優(yōu)異平衡，成為了中低壓大功率應(yīng)用中的主流選擇。然而，在傳統(tǒng)的硅（Si）基器件時代，T型拓?fù)涫芟抻诠鐸GBT（絕緣柵雙極型晶體管）的開關(guān)特性，尤其是體二極管的反向恢復(fù)特性，其性能潛力未能得到完全釋放。

碳化硅（Silicon Carbide, SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，憑借其高臨界擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率以及優(yōu)良的熱導(dǎo)率，正在根本性地重塑電力電子系統(tǒng)的設(shè)計規(guī)則。本報告將從T型三電平拓?fù)涞睦碚摶A(chǔ)出發(fā)，深入剖析其固有優(yōu)缺點，并結(jié)合深圳基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）的最新研究成果與產(chǎn)品數(shù)據(jù)，詳盡論述SiC MOSFET如何從物理層面上克服傳統(tǒng)T型拓?fù)涞娜毕?，實現(xiàn)系統(tǒng)性能的跨越式提升。

2. T型三電平拓?fù)洌═NPC）的理論架構(gòu)與運(yùn)行機(jī)理

2.1 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)解析

T型三電平拓?fù)洌瑢W(xué)術(shù)上常稱為中點鉗位晶體管（Transistor Clamped Converter）或中點導(dǎo)頻（Neutral Point Pilot, NPP）拓?fù)?。其基本結(jié)構(gòu)可以看作是在傳統(tǒng)兩電平半橋的基礎(chǔ)上，增加了一個連接直流母線中點（Neutral Point, N）與交流輸出端（AC）的雙向開關(guān)支路。

2.1.1 功率回路構(gòu)成

一個典型的單相T型橋臂包含四個功率半導(dǎo)體器件：

• 外管（Outer Switches, T1?,T4?）： 連接直流母線正極（DC+）與輸出端，以及輸出端與直流母線負(fù)極（DC-）。在800V直流母線系統(tǒng)中，這兩個開關(guān)管在關(guān)斷狀態(tài)下需要承受全部的直流母線電壓（VDC?），因此通常需要選用耐壓等級為1200V的功率器件。
• 內(nèi)管（Inner Switches, T2?,T3?）： 構(gòu)成雙向開關(guān)，連接直流中點與輸出端。由于中點電位被固定在VDC?/2，這兩個開關(guān)管在任何工作模態(tài)下僅需承受一半的母線電壓。因此，在800V系統(tǒng)中，內(nèi)管通常選用耐壓等級為600V或650V的器件。

這種“外管高壓、內(nèi)管低壓”的非對稱耐壓特性，是T型拓?fù)鋮^(qū)別于二極管鉗位型（NPC/I-type）三電平拓?fù)涞淖铒@著特征。

2.1.2 換流模態(tài)與路徑

T型拓?fù)渚哂腥N輸出電平狀態(tài)：

1. 正電平狀態(tài)（P狀態(tài)）： 上管T1?導(dǎo)通，輸出電壓為+VDC?/2。電流路徑為DC+ → T1? → Load。
2. 零電平狀態(tài)（O狀態(tài)）： 中點雙向開關(guān)（T2?/T3?）導(dǎo)通，輸出電壓為0（相對于中點）。電流路徑為Neutral → T2?/T3? → Load。
3. 負(fù)電平狀態(tài)（N狀態(tài)）： 下管T4?導(dǎo)通，輸出電壓為?VDC?/2。電流路徑為Load → T4? → DC-。

2.2 T型拓?fù)涞暮诵膬?yōu)勢

相較于傳統(tǒng)的兩電平拓?fù)浜虸型NPC拓?fù)?，T型三電平展現(xiàn)出獨特的工程價值：

2.2.1 優(yōu)異的低傳導(dǎo)損耗特性

在T型拓?fù)渲?，?dāng)輸出處于P狀態(tài)或N狀態(tài)時，電流僅流過一個外管（T1?或T4?）。相比之下，I型NPC拓?fù)湓谳敵龈叩碗娖綍r，電流必須流經(jīng)兩個串聯(lián)的器件。

• 物理意義： 減少了通態(tài)電流路徑上的半導(dǎo)體器件數(shù)量，直接降低了導(dǎo)通壓降和傳導(dǎo)損耗。這使得T型拓?fù)湓谀孀兤魈幱诟哒{(diào)制比（輸出電壓幅值較大）工況下，效率優(yōu)勢尤為明顯。

2.2.2 輸出波形質(zhì)量提升

作為三電平拓?fù)?，T型逆變器的線電壓輸出具有五個電平階梯（+VDC?,+VDC?/2,0,?VDC?/2,?VDC?）。相比兩電平的三階梯波形，三電平波形更接近正弦波。

• 諧波影響： 顯著降低了輸出電壓的總諧波失真（THD）。
• 濾波器優(yōu)化： 允許使用更小體積、更低成本的LC濾波器，提升了系統(tǒng)的功率密度。

2.2.3 簡化的電路設(shè)計

與I型NPC相比，T型拓?fù)錈o需鉗位二極管，雖然增加了有源開關(guān)的數(shù)量，但在器件總數(shù)和驅(qū)動電路的布局上，T型結(jié)構(gòu)往往更加緊湊，且不需要處理串聯(lián)器件的均壓問題。

2.3 T型三電平拓?fù)涞墓逃腥秉c（硅基時代）

盡管T型拓?fù)湓诶碚撋暇哂兄T多優(yōu)勢，但在實際工程應(yīng)用中，特別是使用硅基IGBT作為功率開關(guān)時，面臨著嚴(yán)峻的技術(shù)瓶頸。

2.3.1 換流回路中的反向恢復(fù)損耗

這是T型拓?fù)渥钪旅娜觞c。當(dāng)系統(tǒng)從“O狀態(tài)”（中點續(xù)流）切換到“P狀態(tài)”或“N狀態(tài)”時，必須關(guān)斷內(nèi)管支路并開通外管。

• 過程描述： 假設(shè)電流從中點經(jīng)T2?/T3?流向負(fù)載（O狀態(tài)），此時需要切換至T1?導(dǎo)通（P狀態(tài)）。在T1?開通瞬間，內(nèi)管支路中的二極管（若是IGBT方案則是反并聯(lián)二極管）被迫經(jīng)歷反向恢復(fù)過程。
• 硅器件局限： 硅基快恢復(fù)二極管（FRD）存在顯著的反向恢復(fù)電荷（Qrr?）。在反向恢復(fù)期間，大量載流子復(fù)合會產(chǎn)生巨大的反向恢復(fù)電流尖峰。這個電流尖峰會直接疊加在正在開通的T1?上。
• 后果： 導(dǎo)致外管T1?承受極高的開通損耗（Eon?），同時產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁干擾（EMI）。這直接限制了硅基T型逆變器的開關(guān)頻率，通常難以超過20kHz 1=。

2.3.2 復(fù)雜的死區(qū)控制與驅(qū)動時序

由于T型拓?fù)渖婕叭齻€電平的切換，且必須嚴(yán)格避免外管直通（T1?與T4?同時導(dǎo)通）以及非預(yù)期的換流路徑，其驅(qū)動時序邏輯遠(yuǎn)比兩電平復(fù)雜。特別是在硅器件開關(guān)速度較慢、拖尾電流（Tail Current）嚴(yán)重的情況下，為了保證安全，往往需要設(shè)置較長的死區(qū)時間（Deadtime），這會引入較大的輸出電壓誤差和低次諧波。

2.3.3 不對稱的熱分布

由于外管和內(nèi)管耐壓等級不同（1200V vs 600V），且工作時長隨調(diào)制比變化，導(dǎo)致功率器件的損耗分布極不均勻。在低調(diào)制比或無功功率較大時，內(nèi)管熱應(yīng)力巨大；而在高調(diào)制比有功輸出時，外管熱應(yīng)力占主導(dǎo)。硅IGBT熱導(dǎo)率的限制使得這種熱不平衡難以通過器件自身緩解，增加了散熱器設(shè)計的難度。

3. 碳化硅（SiC）MOSFET的技術(shù)特性與變革

為了克服硅基T型拓?fù)涞纳鲜鋈毕?，引入寬禁帶半?dǎo)體材料成為必然選擇。SiC MOSFET憑借其材料特性，為解決T型拓?fù)涞耐袋c提供了物理層面的解決方案。

3.1 寬禁帶材料的物理優(yōu)勢

碳化硅材料（4H-SiC）相對于硅（Si）具有本質(zhì)上的物理優(yōu)越性：

禁帶寬度（Bandgap）： SiC約為3.26 eV，是Si（1.12 eV）的3倍。這使得SiC器件能夠在更高溫度下工作，且漏電流極低。

臨界擊穿場強(qiáng)（Critical Breakdown Field）： SiC約為Si的10倍。這意味著在相同耐壓等級下，SiC器件的漂移區(qū)厚度可以做得更?。▋H為Si的1/10），摻雜濃度更高。

• 推論： 直接導(dǎo)致了SiC MOSFET具有極低的比導(dǎo)通電阻（Specific On-Resistance），在高壓器件中優(yōu)勢尤為明顯。

電子飽和漂移速率： SiC是Si的2倍，允許載流子以更高速度運(yùn)動，從而實現(xiàn)極快的開關(guān)速度和極低的開關(guān)損耗。

熱導(dǎo)率： SiC的熱導(dǎo)率約為Si的3倍，接近于銅，極大提升了器件將熱量傳導(dǎo)至封裝外殼的能力 。

3.2 第三代SiC MOSFET芯片技術(shù)

基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）推出的第三代（B3M系列）SiC MOSFET，代表了當(dāng)前國產(chǎn)碳化硅芯片技術(shù)的先進(jìn)水平。其核心技術(shù)特征包括：

3.2.1 優(yōu)化的比導(dǎo)通電阻

通過先進(jìn)的平面柵或溝槽柵工藝，第三代芯片在保持高可靠性的前提下，顯著降低了比導(dǎo)通電阻（Ron,sp?≈2.5mΩ?cm2）。

• 數(shù)據(jù)支撐： 以B3M013C120Z為例，這款1200V的SiC MOSFET在25°C下的典型導(dǎo)通電阻僅為13.5mΩ 。在1200V耐壓等級下實現(xiàn)如此低的阻抗，對于降低T型拓?fù)渲谐袎?200V的外管傳導(dǎo)損耗至關(guān)重要。

3.2.2 極低的反向傳輸電容（Crss?）

Crss?（米勒電容）是影響開關(guān)速度和抗干擾能力的關(guān)鍵參數(shù)。第三代芯片通過工藝優(yōu)化，提高了Ciss?/Crss?的比值。

• 技術(shù)優(yōu)勢： 這一比值的提升增強(qiáng)了器件抵抗“Cdv/dt誤導(dǎo)通”的能力。在T型拓?fù)涞母咚贀Q流過程中，橋臂中點電壓劇烈波動，極易通過米勒電容耦合導(dǎo)致關(guān)斷器件誤導(dǎo)通?；景雽?dǎo)體的設(shè)計有效降低了這種串?dāng)_風(fēng)險，提升了系統(tǒng)的魯棒性 。

3.2.3 更優(yōu)的品質(zhì)因數(shù)（FOM）

品質(zhì)因數(shù)（FOM=RDS(on)?×Qg?）是衡量功率器件綜合性能的核心指標(biāo)。第三代芯片的FOM值降低了約30%，意味著在相同的導(dǎo)通電阻下，驅(qū)動所需的柵極電荷量更小，驅(qū)動損耗更低，開關(guān)速度更快 。

4. SiC MOSFET克服T型拓?fù)淙秉c的技術(shù)路徑

SiC MOSFET并非僅僅是硅IGBT的簡單替代，它從根本上改變了T型拓?fù)涞膿Q流物理過程，將“缺點”轉(zhuǎn)化為“特點”。

4.1 徹底解決反向恢復(fù)損耗問題

如前所述，硅基T型拓?fù)涞淖畲笸袋c在于內(nèi)管二極管的反向恢復(fù)。SiC MOSFET通過兩種機(jī)制完美解決了這一問題：

4.1.1 極低反向恢復(fù)電荷的體二極管

SiC MOSFET天然具備體二極管（Body Diode）。不同于Si MOSFET體二極管極差的反向恢復(fù)特性，SiC MOSFET的體二極管由于是多數(shù)載流子器件（或者是極短壽命的少數(shù)載流子注入），其反向恢復(fù)電荷（Qrr?）極小，反向恢復(fù)時間（trr?）極短。

表1：1200V器件反向恢復(fù)特性對比

• 分析： 數(shù)據(jù)顯示，基本半導(dǎo)體B3M系列的Qrr?僅為0.28μC。相比于硅器件微庫倫（μC）級別甚至更高的電荷量，SiC幾乎可以被認(rèn)為是“無反向恢復(fù)”的。
• 系統(tǒng)收益： 當(dāng)T型逆變器從內(nèi)管續(xù)流切換到外管導(dǎo)通時，外管幾乎不需要為抽走內(nèi)管二極管的存儲電荷而消耗能量。這直接消除了巨大的開通電流尖峰，使得開通損耗（Eon?）大幅下降。

4.2 突破開關(guān)頻率限制

硅基T型逆變器通常受限于熱設(shè)計，頻率被限制在10kHz-20kHz。而SiC MOSFET的低開關(guān)損耗特性（Eon?和Eoff?均極低）打破了這一熱桎梏。

表2：開關(guān)損耗對比

分析： 基本半導(dǎo)體SiC MOSFET在關(guān)斷損耗上表現(xiàn)尤為出色（162 μJ vs 競品 230 μJ）。極低的開關(guān)損耗總和使得T型逆變器的開關(guān)頻率可以輕松提升至40kHz甚至100kHz以上。

系統(tǒng)級影響：

1. 磁性元件體積縮減： 濾波電感和變壓器的體積與頻率成反比。頻率提升5倍，磁性元件體積可縮減50%以上。
2. 動態(tài)響應(yīng)提升： 高頻開關(guān)意味著控制環(huán)路的帶寬可以更高，對電網(wǎng)波動或負(fù)載突變的響應(yīng)速度更快，這對APF等應(yīng)用至關(guān)重要。

4.3 改善導(dǎo)通損耗與輕載效率

IGBT由于存在集射極飽和壓降（VCE(sat)?），在小電流下也存在固定的電壓降（通常>1.0V），導(dǎo)致輕載效率不佳。而SiC MOSFET呈阻性特性（VDS?=ID?×RDS(on)?）。

• T型應(yīng)用場景： 光伏逆變器等設(shè)備大部分時間工作在半載或輕載狀態(tài)。
• SiC優(yōu)勢： 在輕載下，SiC MOSFET的導(dǎo)通壓降極低（遠(yuǎn)小于IGBT的膝電壓），顯著提升了系統(tǒng)的加權(quán)效率（如歐洲效率、中國效率）。
• 具體數(shù)據(jù)： 1200V的BMF540R12KA3模塊，其導(dǎo)通電阻低至2.3mΩ 。在200A電流下，壓降僅為0.46V，遠(yuǎn)低于同等級IGBT通常1.5V-2.0V的飽和壓降。

5. 封裝與可靠性：支撐SiC性能的基石

SiC芯片的優(yōu)異性能如果缺乏先進(jìn)封裝技術(shù)的支撐，在系統(tǒng)層面將大打折扣。針對T型拓?fù)涞母吖β拭芏刃枨螅景雽?dǎo)體采用了一系列先進(jìn)封裝工藝。

5.1 氮化硅（Si3?N4?）AMB陶瓷基板

傳統(tǒng)模塊多使用氧化鋁（Al2?O3?）DBC基板，其熱導(dǎo)率低（約24 W/mK）且機(jī)械強(qiáng)度一般。為了匹配SiC的高功率密度和高結(jié)溫特性，基本半導(dǎo)體的工業(yè)模塊引入了**高性能Si3?N4? AMB（活性金屬釬焊）**基板 。

表3：陶瓷基板性能對比

• 深度洞察： 雖然氮化鋁（AlN）熱導(dǎo)率更高，但其脆性大，易在T型拓?fù)漕l繁的功率循環(huán)中發(fā)生斷裂。Si3?N4?雖然熱導(dǎo)率略低，但由于其極高的機(jī)械強(qiáng)度，可以將基板做得更?。ǖ湫秃穸?60μm），從而降低總熱阻，同時在1000次溫度沖擊試驗后仍保持良好的結(jié)合強(qiáng)度，極大提升了模塊的可靠性 。

5.2 銀燒結(jié)與低感設(shè)計

• 銀燒結(jié)工藝（Silver Sintering）： 在數(shù)據(jù)手冊1中明確提到采用了銀燒結(jié)工藝。相比傳統(tǒng)錫焊，銀燒結(jié)層的熱導(dǎo)率高出5倍以上，熔點高，徹底解決了高溫下焊層老化、空洞率增加的問題，使得SiC器件能夠長期穩(wěn)定工作在175°C結(jié)溫下。
• 低雜散電感： T型拓?fù)涞母哳l開關(guān)會產(chǎn)生極高的di/dt。如果回路電感大，會產(chǎn)生極高的電壓尖峰（V=L×di/dt）。基本半導(dǎo)體的62mm模塊實現(xiàn)了14nH及以下的超低雜散電感設(shè)計 ，配合TO-247-4封裝的開爾文源極（Kelvin Source）設(shè)計 ，有效抑制了開關(guān)震蕩和門極干擾。

5.3 可靠性驗證數(shù)據(jù)

可靠性是工業(yè)應(yīng)用的生命線。基本半導(dǎo)體的SiC MOSFET通過了極其嚴(yán)苛的加嚴(yán)測試 ：

• HTRB（高溫反偏）： 在175°C、100% BV電壓下測試2500小時（標(biāo)準(zhǔn)通常為1000小時），參數(shù)漂移微乎其微。
• H3TRB（高壓高濕高溫反偏）： 在1200V高壓下進(jìn)行測試，驗證了器件在惡劣環(huán)境下的抗潮濕、抗離子遷移能力。
• TDDB（柵氧經(jīng)時擊穿）： 評估結(jié)果顯示，B2M系列器件在VGS?=20V下工作壽命超過108小時（>1.1萬年），徹底打消了市場對SiC柵氧脆弱的顧慮。

6. 應(yīng)用場景分析與選型建議

基于上述技術(shù)優(yōu)勢，SiC MOSFET T型拓?fù)湓诙鄠€高端應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出無可替代的價值。

6.1 光伏組串式逆變器與儲能PCS

工況特點： 800V-1100V直流輸入，追求極致的轉(zhuǎn)換效率和高功率密度。

SiC T型方案： 使用Pcore?6 E3B模塊（ANPC拓?fù)洌?/p>

• 優(yōu)勢： ANPC結(jié)構(gòu)配合SiC，不僅消除了反向恢復(fù)損耗，還通過特定的調(diào)制策略平衡了內(nèi)外管的熱損耗分布，解決了硅基T型拓?fù)涞臒岵黄胶鈫栴}。
• 選型推薦： 1200V的BMF011MR12E1G3（11mΩ）或分立器件B3M013C120Z，可實現(xiàn)>99%的峰值效率。

6.2 電動汽車大功率充電樁

工況特點： 寬電壓范圍輸出（200V-1000V），雙向能量流動（V2G），緊湊體積。

SiC T型方案： 用于AC/DC整流級（PFC）。

• 優(yōu)勢： T型三電平相比兩電平，電感體積減小30%-50%。SiC的高頻特性使得充電模塊功率密度輕松突破40W/in3。
• 選型推薦： BMF240R12E2G3（Pcore?2 E2B半橋模塊），專為大功率快充設(shè)計，集成NTC，安裝簡便。

6.3 有源電力濾波器（APF）

工況特點： 需要極高的開關(guān)頻率以精確跟蹤并抵消高次諧波（50次以上）。

SiC T型方案： 只有SiC能支持APF在三電平下運(yùn)行于40kHz-60kHz。

• 優(yōu)勢： 極低的延時和高帶寬，使得諧波補(bǔ)償率大幅提升。
• 選型推薦： 針對100A APF，推薦使用BMF008MR12E2G3（8mΩ）模塊 ，利用其極低的導(dǎo)通損耗應(yīng)對大電流。

7. 結(jié)論

深圳市傾佳電子有限公司（簡稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者：
傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商，業(yè)務(wù)聚焦三大方向：
新能源：覆蓋光伏、儲能、充電基礎(chǔ)設(shè)施；
交通電動化：服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)（電控、電池、電機(jī)）及高壓平臺升級；
數(shù)字化轉(zhuǎn)型：支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進(jìn)口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命，響應(yīng)國家“雙碳”政策（碳達(dá)峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。

T型三電平拓?fù)湓诶碚撋暇哂械蛽p耗、低諧波的優(yōu)異架構(gòu)基因，但在硅基器件時代，其潛力被二極管反向恢復(fù)損耗、開關(guān)頻率限制以及熱分布不均等物理缺陷所壓制。

碳化硅MOSFET的引入，不僅僅是一次器件的升級，更是一場拓?fù)湫阅艿慕夥拧?/p>

1. 物理層面： SiC材料的高臨界場強(qiáng)和高漂移速率，實現(xiàn)了高耐壓與低導(dǎo)通電阻的統(tǒng)一。
2. 器件層面： 第三代SiC MOSFET，將反向恢復(fù)電荷降低了兩個數(shù)量級，徹底消除了T型拓?fù)涞膿Q流“痛點”。
3. 系統(tǒng)層面： 極低的開關(guān)損耗釋放了頻率限制，配合Si3?N4? AMB先進(jìn)封裝，使得系統(tǒng)體積大幅縮小，效率突破99%大關(guān)。

基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）通過全產(chǎn)業(yè)鏈的布局，從芯片設(shè)計（B3M系列）、晶圓制造到車規(guī)級模塊封裝（Pcore系列），提供了一整套高性能、高可靠性的SiC解決方案。實測數(shù)據(jù)證明，其產(chǎn)品在靜態(tài)參數(shù)、動態(tài)開關(guān)特性以及長期可靠性方面均達(dá)到甚至超越了國際一線水平。對于追求極致效率與功率密度的現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)而言，采用SiC MOSFET構(gòu)建T型三電平拓?fù)?，已不僅僅是技術(shù)趨勢，更是實現(xiàn)高性能能源轉(zhuǎn)換的必然選擇。