最近兩年，隨著國(guó)內(nèi)晶圓廠的興建，終端帶動(dòng)需求的增加，價(jià)格的飛漲，吸引了整個(gè)產(chǎn)業(yè)界對(duì)硅晶圓產(chǎn)業(yè)的關(guān)注。但和集成電路的其他領(lǐng)域一樣，中國(guó)在硅晶圓產(chǎn)業(yè)方面的不完善，在某種程度上看來(lái)，會(huì)成為中國(guó)集成電路發(fā)展的瓶頸。有見(jiàn)及此，最近兩年，國(guó)內(nèi)掀起了一股硅片建設(shè)潮。在本文里，楊院士給我們深入闡述了國(guó)產(chǎn)硅晶圓的現(xiàn)狀，謝謝關(guān)注。

摘要：

1）2017年全球需求：1160萬(wàn)片，國(guó)內(nèi)110萬(wàn)片。2020年國(guó)內(nèi)對(duì)12寸大硅片需求從42萬(wàn)片增加到105萬(wàn)片；2020年對(duì)8寸硅片需求從70萬(wàn)片增加到96.5萬(wàn)片。

2）硅片全球市場(chǎng)規(guī)模87億美元，占比31-33%，是份額最大的材料。預(yù)計(jì)到2020年，全球硅片市場(chǎng)規(guī)模110億美元。

3）國(guó)內(nèi)規(guī)劃中的12寸大硅片合計(jì)：145萬(wàn)片，覆蓋國(guó)內(nèi)需求。包括：新昇30萬(wàn)片，金瑞泓10萬(wàn)片，中環(huán)領(lǐng)先15萬(wàn)片，京東方30萬(wàn)片，寧夏銀和10萬(wàn)片，鄭州合晶20萬(wàn)片，超硅30萬(wàn)片。

4）國(guó)內(nèi)規(guī)劃中的8寸大硅片合計(jì)：168萬(wàn)片，總投資規(guī)模超過(guò)500億元，覆蓋國(guó)內(nèi)需求。包括：金瑞泓40萬(wàn)片（2019年），寧夏銀和25萬(wàn)片（2020年），鄭州合晶20萬(wàn)片（2019年），中環(huán)領(lǐng)先60-70萬(wàn)片（2019年），安徽易芯8萬(wàn)片（2018年）。

硅材料是集成電路的基礎(chǔ)材料，

2017年全球需求：1160萬(wàn)片，國(guó)內(nèi)110萬(wàn)片。

12寸大硅片 預(yù)計(jì)2020年將需求將從42萬(wàn)片增加到105萬(wàn)片。

8寸大硅片 預(yù)計(jì)2020年將需求將從70萬(wàn)片增加到96.5萬(wàn)片。

硅片全球市場(chǎng)規(guī)模87億美元，占比31-33%，是份額最大的材料。預(yù)計(jì)到2020年，全球硅片市場(chǎng)規(guī)模110億美元。

多晶硅純度達(dá)到9-11N，10億個(gè)硅原子中只能有一個(gè)雜志原子；

目前國(guó)際通用技術(shù)分為兩種：改良西門子工藝和硅烷工藝。

全球多晶硅2007-2017年增長(zhǎng)了10倍，增加的主要是光伏多晶硅。2017年占比54.8%，其中江蘇中能（協(xié)鑫）生產(chǎn)7.5萬(wàn)噸，全球占比23%。

IC用大硅片，低端的電子級(jí)高純多晶硅，黃河水電產(chǎn)能1250噸，實(shí)際銷售200噸。

2017年，12寸占比63%，8寸占比27%，6寸占比10%。

2006-2010年全球硅片增長(zhǎng)很緩慢，2017年開(kāi)始需求快速增長(zhǎng)，硅片價(jià)格也開(kāi)始上升態(tài)勢(shì)。硅片缺口一直會(huì)延續(xù)到2020年，硅片短缺將成為未來(lái)兩年的常態(tài)。

高度壟斷市場(chǎng)：硅片生產(chǎn)企業(yè)由幾百家縮減到現(xiàn)在的幾十家。前5家占比94%。目前能夠供應(yīng)12寸硅片不足10家。

02專項(xiàng)支持下，上海新昇，設(shè)計(jì)產(chǎn)能：拋光、外延片產(chǎn)能10萬(wàn)/月。

有研半導(dǎo)體：檢測(cè)國(guó)內(nèi)第一條中試線，5萬(wàn)片/月產(chǎn)能拋光片。

金瑞泓：月產(chǎn)能10萬(wàn)片/月產(chǎn)能拋光片。

8寸，拋光片產(chǎn)能15萬(wàn)/月，生產(chǎn)廠商：金瑞泓（10萬(wàn)片）、有研（5萬(wàn)片）；外延片產(chǎn)能15萬(wàn)/片，生產(chǎn)企業(yè)：金瑞泓、新傲、國(guó)盛電子、普興電子。

光伏用直拉單晶硅：隆基和中環(huán)產(chǎn)能65Gw，占全球比重較大。

12寸單晶生長(zhǎng)，需要用磁場(chǎng)，抑制生長(zhǎng)時(shí)的擾動(dòng)。

45nm芯片上有缺陷，會(huì)導(dǎo)致漏電現(xiàn)象。

全球90%直拉硅采用摻氮的工藝，理論為浙江大學(xué)首次提出。

國(guó)內(nèi)規(guī)劃中的12寸大硅片合計(jì)：145萬(wàn)片，覆蓋國(guó)內(nèi)需求。包括：新昇30萬(wàn)片，金瑞泓10萬(wàn)片，中環(huán)領(lǐng)先15萬(wàn)片，京東方30萬(wàn)片，寧夏銀和10萬(wàn)片，鄭州合晶20萬(wàn)片，超硅30萬(wàn)片。

國(guó)內(nèi)規(guī)劃中的8寸大硅片合計(jì)：168萬(wàn)片，總投資規(guī)模超過(guò)500億元，覆蓋國(guó)內(nèi)需求。包括：金瑞泓40萬(wàn)片（2019年），寧夏銀和25萬(wàn)片（2020年），鄭州合晶20萬(wàn)片（2019年），中環(huán)領(lǐng)先60-70萬(wàn)片（2019年），安徽易芯8萬(wàn)片（2018年）。