據(jù)CNBC等外媒報(bào)道，大摩分析師Shawn Kim 6日指出，存儲(chǔ)市況近幾周來(lái)有惡化跡象，DRAM需求逐漸趨疲，庫(kù)存、定價(jià)壓力與日俱增，而NAND型快閃存儲(chǔ)的供給則委實(shí)太多。

Kim還提到，根據(jù)他最近向半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、買(mǎi)家取得的訊息，PC、行動(dòng)裝置與資料中心這三大應(yīng)用產(chǎn)品的需求動(dòng)能，過(guò)去兩周都明顯趨緩，這恐怕會(huì)讓第三季報(bào)價(jià)一路走弱。另外，由于需求降溫的關(guān)系，三星電子(Samsung Electronics)、SK 海力士 (SK Hynix )的庫(kù)存也愈堆愈多。

聽(tīng)聞此消息，美光在日前一口氣重挫9.87%、收44.65美元，創(chuàng)2月22日來(lái)收盤(pán)低，跌幅居費(fèi)半30支成分股之冠。

美光過(guò)去五日的股價(jià)走勢(shì)

Baird分析師Tristan Gerra才剛在9月4日發(fā)表研究報(bào)告指出，智慧型手機(jī)的買(mǎi)氣動(dòng)能難以提振，NAND型快閃存儲(chǔ)的供給過(guò)剩情況最近日益惡化。Gerra說(shuō)，預(yù)估下半年智慧機(jī)的出貨表現(xiàn)將相對(duì)疲弱，蘋(píng)果 ( Apple Inc. )與中國(guó)智慧機(jī)供應(yīng)鏈前景都不太妙。

Evercore ISI分析師CJ Muse 4日?qǐng)?bào)告預(yù)測(cè)，2019年上半，NAND flash價(jià)格將重摔11~13%，他認(rèn)為目前的存儲(chǔ)定價(jià)周期與2014年末到2015年初情況相似，當(dāng)時(shí)也出現(xiàn)存儲(chǔ)裝置需求大跌的狀況。分析師估計(jì)，明年上半為止，NAND flash價(jià)格將大跌10%以上。

另外，根據(jù)FactSet紀(jì)錄，晶圓檢測(cè)設(shè)備制造商科磊 ( KLA-Tencor Corporation )財(cái)務(wù)長(zhǎng)Bren Higgins 6日在花旗全球科技大會(huì)上也指出，由于DRAM市況的關(guān)系，六周前該公司原本預(yù)期10- 12月市況應(yīng)會(huì)大幅好轉(zhuǎn)，但如今他認(rèn)為，市況好轉(zhuǎn)幅度恐會(huì)略低于先前預(yù)估。他并表示，屆時(shí)出貨量應(yīng)會(huì)持平、或出現(xiàn)個(gè)位數(shù)的減幅，遜于原先預(yù)估的持平或個(gè)位數(shù)增幅。

科磊6日聞?dòng)嵈蟮?.72%、收107.28美元，創(chuàng)7月30日來(lái)收盤(pán)低。費(fèi)城半導(dǎo)體指6日終場(chǎng)則重挫2.67%(37.48點(diǎn))、收1,366.35點(diǎn)，創(chuàng)8月23日以來(lái)收盤(pán)低，為6月25日以來(lái)最大單日跌幅。

科磊過(guò)去五天的股價(jià)走勢(shì)

美國(guó)其他半導(dǎo)體設(shè)備股同步下挫。半導(dǎo)體測(cè)試控制儀器商MKS Instruments, Inc.重挫8.21%、收85美元，創(chuàng)2017年9月8日來(lái)收盤(pán)低，跌幅在費(fèi)半30支成分股中僅次于美光。同為費(fèi)城成分股的半導(dǎo)體蝕刻機(jī)臺(tái)制造商科林研發(fā)公司( Lam Research Corp. )，6日終場(chǎng)也下挫6.97%、收160.05美元，創(chuàng)2017年8月25日來(lái)收盤(pán)低。

科林過(guò)去五天的股價(jià)走勢(shì)

三星、SK海力士推遲擴(kuò)產(chǎn)，抑制價(jià)格下跌？

過(guò)去兩年是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的好年景，根據(jù)Gartner的統(tǒng)計(jì)顯示，去年前十的半導(dǎo)體廠商中，其中有一半是來(lái)自存儲(chǔ)廠商，前五名的廠商中們也有三個(gè)是做存儲(chǔ)的，且這些內(nèi)存廠商的增長(zhǎng)率較之其他行業(yè)的廠商，有明顯的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。三星更是憑借存儲(chǔ)價(jià)格的高漲，取代霸占半導(dǎo)體營(yíng)收排名榜首二十多年的英特爾，成為新的半導(dǎo)體霸主。

全球半導(dǎo)體廠商2017年?duì)I收排名

Gartner統(tǒng)計(jì)顯示，2017年存儲(chǔ)市場(chǎng)營(yíng)收增加將近500億美元，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1,300億美元，較2016年成長(zhǎng)61.8％。2017年光是三星的存儲(chǔ)營(yíng)收就增加近200億美元。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，2017年DRAM價(jià)格上漲超過(guò)四成，同期NAND的價(jià)格漲幅也近四成。

在今年一季度和二季度，雖然很多分析師多方不看好存儲(chǔ)的走勢(shì)，但是DRAM依然還是持續(xù)上漲，三星、SK海力士和美光等廠商也都先后宣布了擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。但進(jìn)入最近，局面似乎有所轉(zhuǎn)變。

在上月中，三星宣布，將原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬(wàn)片DRAM計(jì)劃，決定延至今年底，為DRAM價(jià)格形成有力支撐。隨著三星新產(chǎn)能擴(kuò)充腳步延后、供給獲得節(jié)制，一般預(yù)料，DRAM價(jià)格在今年11月前都將持穩(wěn)不墜，臺(tái)系DRAM大廠南亞科、華邦電今年?duì)I收也將同步繳出創(chuàng)歷史新高佳績(jī)。

三星未透露延后此次擴(kuò)產(chǎn)時(shí)間的原因。業(yè)界分析，三星的財(cái)報(bào)當(dāng)中，存儲(chǔ)已是集團(tuán)獲利最大來(lái)源，占集團(tuán)總獲利比重高達(dá)78%，其中超過(guò)七成來(lái)自DRAM，在DRAM供需結(jié)構(gòu)中，原本的供給缺口在各家去瓶頸填補(bǔ)下，逐漸縮小，導(dǎo)致近期市況開(kāi)始松動(dòng)。

據(jù)悉，三星考量若此時(shí)再開(kāi)出每月3萬(wàn)片產(chǎn)能，將改變?cè)綝RAM市場(chǎng)供不應(yīng)求局面，恐進(jìn)一步變成供給過(guò)剩，挑動(dòng)市場(chǎng)敏感神經(jīng)，導(dǎo)致DRAM價(jià)格轉(zhuǎn)跌。

三星延后DRAM增產(chǎn)計(jì)劃，也有法人圈認(rèn)為進(jìn)入1x/1y奈米微縮程后，技術(shù)難度提高，在良率未明顯改善下，干脆延后。不過(guò)從多方角度分析，三星不愿破壞好不容易建立的DRAM獲利模式，進(jìn)而沖擊集團(tuán)整體獲利，應(yīng)該是最大關(guān)鍵。

存儲(chǔ)業(yè)者分析，三星目前月產(chǎn)能逾40萬(wàn)片，每月增產(chǎn)3萬(wàn)片DRAM，等于讓全球DRAM產(chǎn)能增3%，雖然下半年是DRAM備貨旺季，市場(chǎng)通路端和電子應(yīng)用端大廠卻會(huì)等待三星擴(kuò)建案再出手，導(dǎo)致第2季末市場(chǎng)買(mǎi)氣趨于觀望。

Digitimes援引業(yè)內(nèi)人士的消息稱(chēng)三星、SK Hynix都打算推遲產(chǎn)能擴(kuò)容計(jì)劃，因?yàn)榭蛻?hù)需求放緩導(dǎo)致DRAM內(nèi)存及NAND閃存價(jià)格在2019年上半年下滑。

來(lái)到NAND Flash方面，盡管第三季度是傳統(tǒng)需求旺季，但今年全球市場(chǎng)供應(yīng)仍然很充足，64層、72層堆疊3D閃存產(chǎn)能持續(xù)提升，但由于筆記本、智能手機(jī)市場(chǎng)都相當(dāng)飽和，需求增長(zhǎng)有限。同時(shí)，渠道供應(yīng)鏈內(nèi)堆積了大量NAND閃存芯片，進(jìn)一步導(dǎo)致價(jià)格下滑，預(yù)計(jì)合約價(jià)會(huì)在今年第三季度環(huán)比下降10-15％，超出預(yù)期，第四季度則會(huì)再降15％。

消息人士稱(chēng)，行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者三星之前主要為自家的SSD及其他產(chǎn)品供應(yīng)3D NAND閃存，今年Q3季度開(kāi)始對(duì)外提供存儲(chǔ)芯片。消息人士稱(chēng)三星也在放慢3D NAND閃存產(chǎn)能擴(kuò)張的計(jì)劃，新產(chǎn)能不可能在2019年上半年上線。

由于三星和SK海力士對(duì)全球的存儲(chǔ)市場(chǎng)擁有很高的市場(chǎng)份額。他們的這些決定釋放出很強(qiáng)的信號(hào)：

據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)IHS MarkIt的數(shù)據(jù)顯示，2017年三季度，在全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dram)領(lǐng)域，三星電子的市場(chǎng)份額占到了44.5%，排名第一。緊隨其后的是同樣來(lái)自韓國(guó)的SK 海力士公司，其市場(chǎng)份額為27.9%，這兩家韓國(guó)公司的產(chǎn)品占據(jù)世界Dram市場(chǎng)超過(guò)七成的份額，比第二季度有小幅增加。排名第三至第五的依次為，美國(guó)的美光科技(22.9%)、中國(guó)***的南亞科技(2.2%)以及華邦電子(0.8%)。

NAND Flash方面，該領(lǐng)域排名前五的巨頭中，三星電子以39%的市場(chǎng)份穩(wěn)居冠軍，比上季度的市場(chǎng)份額增加0.8%。排名第二至第五的依次為日本的東芝、美國(guó)的西部數(shù)據(jù)、美國(guó)的美光科技以及韓國(guó)的SK 海力士。三星和SK海力士幾乎占據(jù)世界的Nand市場(chǎng)的半壁江山。

對(duì)于中國(guó)存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)，是福是禍？

價(jià)格下跌，三星等廠商停止擴(kuò)產(chǎn)護(hù)盤(pán)，對(duì)于謀求突破的中國(guó)存儲(chǔ)廠商來(lái)說(shuō)，是福是禍？

眾所周知，過(guò)去兩年，存儲(chǔ)的大幅度漲價(jià)，中國(guó)成為了最直接的“受害者”，因?yàn)槿鄙訇P(guān)鍵的話(huà)事權(quán)，無(wú)論是供貨還是利潤(rùn)方面，都沒(méi)有很大的商量余地。吃夠了虧的中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)唯加大投入在DRAM和NAND FLASH的建設(shè)中去，并且取得了不小的進(jìn)展。

在上個(gè)月于重慶舉辦的“中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)”上，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)透露，紫光集團(tuán)會(huì)在2018 年底量產(chǎn)32 層64G 的NAND Flash 快閃存儲(chǔ)，在2019 年量產(chǎn)64 層128G 的NAND Flash 快閃存儲(chǔ)，并同步研發(fā)128 層256G 的NAND Flash 快閃存儲(chǔ)。

紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京也強(qiáng)調(diào)，紫光會(huì)逐漸朝 64 層的3D NAND 技術(shù)研發(fā)邁進(jìn)，且導(dǎo)入 Xtacking 技術(shù)，在國(guó)際上，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常長(zhǎng)的時(shí)間，我們一直在思考如何帶來(lái)創(chuàng)新，Xtacking 技術(shù)就是最好的展現(xiàn)。紫光今年將量產(chǎn) 32 層的 3D NAND 芯片，明年將量產(chǎn) 64 層 3D NAND，與國(guó)際大廠的技術(shù)實(shí)力再度縮短。

他們還提出了全新的突破性 3D NAND 架構(gòu) Xtacking 技術(shù)，其輸入輸出速度有望與 DDR4 的 I/O 速度一較高下，且與傳統(tǒng)的 3D NAND 架構(gòu)相較，Xtacking 技術(shù)可通過(guò)將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度，以及利用存儲(chǔ)單元和外圍電路的獨(dú)立加工優(yōu)勢(shì)，縮短 3D NAND 產(chǎn)品的上市時(shí)間。

為了進(jìn)一步推進(jìn)存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全資子公司武漢新芯集成電路制造有限公司在上個(gè)月底（以下簡(jiǎn)稱(chēng)武漢新芯）召開(kāi)二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)推進(jìn)會(huì)。二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目規(guī)劃總投資17.8億美元，建設(shè)自主代碼型閃存、微控制器和三維特種工藝三大業(yè)務(wù)平臺(tái)。

來(lái)到DRAM方面，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)三大勢(shì)力之一的合肥長(zhǎng)鑫在七月中下旬正式投片，產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4，這是國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑。據(jù)合肥長(zhǎng)鑫的王寧國(guó)之前的披露，合肥長(zhǎng)鑫的一廠廠房已經(jīng)于2018年1月建設(shè)完成，設(shè)備也開(kāi)始安裝。根據(jù)計(jì)劃，長(zhǎng)鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達(dá)到2萬(wàn)片一個(gè)月。從2020年開(kāi)始，公司則開(kāi)始規(guī)劃二廠，2021年則完成17nn的研發(fā)。

合肥長(zhǎng)鑫的重要時(shí)間節(jié)點(diǎn)

兆易創(chuàng)新的創(chuàng)辦人朱一明更是全身心地投入到合肥長(zhǎng)鑫的項(xiàng)目中，共同推動(dòng)國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的更進(jìn)一步。

眾所周知，2017年10月，兆易創(chuàng)新宣布與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團(tuán)）有限公司合作開(kāi)展工藝制程19nm存儲(chǔ)器的12英寸晶圓存儲(chǔ)器（含DRAM等）研發(fā)項(xiàng)目。這次全身心的投入，是繼他們?cè)贜or Flash和MCU領(lǐng)域突破后，再上一個(gè)新臺(tái)階的支柱。

來(lái)到福建晉華方面，該使用12英寸晶圓制造技術(shù)制造DRAM。消息人士表示，生產(chǎn)線的建設(shè)早于原計(jì)劃完成，生產(chǎn)線的一期工程將在三季度投入生產(chǎn)。消息人士表示，晉華公司原定的內(nèi)存試生產(chǎn)時(shí)間是今年九月份，但可能會(huì)提前。根據(jù)早前的約定，晉華1期擬投入53億美元，建設(shè)晶圓產(chǎn)線、產(chǎn)業(yè)鏈配套等，預(yù)計(jì)2018年9月試產(chǎn)，并達(dá)到月產(chǎn)6萬(wàn)片的規(guī)模。