早在上世紀美國就開始率先進行系統(tǒng)級封裝技術研究，但當時SiP并沒有得到大范圍應用。而在幾十年后的今天，SiP被蘋果帶“火”，設計、制造、材料、封裝、測試、系統(tǒng)廠商紛紛展開對SiP的追捧。這是為什么呢？

集微網(wǎng)消息，自從蘋果公開宣布在iWatch智能手表中采用SiP(系統(tǒng)級封裝)技術后，便一直是SiP技術最好的踐行者，iPhone X中SiP占比已高達38%。當然，蘋果的“帶貨”能力也絕對是名不虛傳的，如今SiP已成為眾廠商追捧的“新星”。

在本月由博聞創(chuàng)意舉辦的“第二屆中國系統(tǒng)級封裝大會”上，不乏設計、制造、材料、封裝、測試、系統(tǒng)廠商參會，例如安靠、日月光、賀利氏、漢高電子、NI、芯禾科技、華為等，這標志著SiP生態(tài)越來越完善。

其實，從誕生時間來看，SiP并非新星。早在上世紀美國就開始率先進行系統(tǒng)級封裝技術研究。SiP的前身是多芯片模塊MCM，MCM最初被開發(fā)用于數(shù)據(jù)存儲，例如在1960~1970年的氣泡存儲器，以及特定的軍事/航空航天電子設備。由于當時摩爾定律向前推進很順暢，可輕松且便宜地將所有組件放在單一芯片上實現(xiàn)，因此SiP封裝方案并沒有得到大范圍采用。

如今，根據(jù)摩爾定律去提高芯片集成度正變得越來越困難，認為“摩爾定律已死”的人越來越多。SiP已成為業(yè)界公認的“超越摩爾定律”路徑的摩爾定律拯救者。SiP因摩爾定律被遺忘，又因摩爾定律被追捧。

SiP可以理解成微型的PCB。SiP從封裝的角度出發(fā)，通過并排、堆疊等形式將不同芯片組合在一起，并封裝在一個系統(tǒng)內(nèi)。用一個公式對SiP進行描述即

SiP=SoC+DDR/eMMC +……

眾所周知，PCB是不遵循摩爾定律的，面對PCB布線密度難以提高、器件組裝難度日益加大等亟需解決的問題，與PCB有著相似設計思路SiP便成為高端PCB的“替代品”。目前，很多系統(tǒng)應用已經(jīng)開始應用SiP技術部分或者全部取代原有的PCB。

英特爾中國研究院宋繼強院長曾表示，摩爾定律的經(jīng)濟效益將繼續(xù)存在。“CMOS縮放+3D工藝技術+新功能”就等于摩爾定律的未來。對于這種“混搭”的模式，英特爾通過“嵌入式多芯片互連橋接”（EMIB）封裝技術來實現(xiàn)，該技術可以促進多個裸片（Die）封裝之間的高速通信。

在由博聞創(chuàng)意舉辦的“第二屆中國系統(tǒng)級封裝大會”上，華為硬件協(xié)同設計實驗室首席架構師吳伯平表達了宋繼強院長的共同觀點。吳伯平表示，盡管封裝也在追趕摩爾定律的速度，但因為封裝有多樣性，封裝與摩爾的趨勢并非完全一致的。現(xiàn)在的一個趨勢就是把很多芯片（Die）封裝在一個大芯片內(nèi)，這種“組合”的方式是未來的大趨勢。

臺積電也通過先進封裝上布局來以持續(xù)替摩爾定律延壽，例如SoIC先進封裝技術。SoIC（System-on-Integrated-Chips）即系統(tǒng)整合單芯片，該技術預計在2021年進行量產(chǎn)。

根據(jù)臺積電在之前技術論壇上的說明，所謂SoIC是一種創(chuàng)新的多芯片堆棧技術，能對10nm以下的制程進行晶圓級的接合技術。該技術沒有突起的鍵合結構，因此有更佳的運行性能?？梢岳斫獬删A對晶圓（Wafer-on-Wafer）的接合（Bonding）技術。

從概念來看，英特爾EMIB、臺積電SoIC似乎是SiP，但名字卻不同。

集微網(wǎng)記者在由博聞創(chuàng)意舉辦的“第二屆中國系統(tǒng)級封裝大會”上采訪了多位業(yè)內(nèi)人士，他們一致表示，英特爾EMIB、臺積電SoIC都是SiP技術，未來會有更多的SiP技術新“名詞”出現(xiàn)，不同廠商會針對自身技術提出自己的SiP技術命名。對于不同廠商的SiP技術，其差別在于制程工藝。***內(nèi)業(yè)人士向集微網(wǎng)記者表示，臺積電把封裝制程用半導體設備在做，其SiP技術的優(yōu)勢在于晶圓級封裝，技術成熟、良率高，這是其他廠商難以做到的。

至今國際上還沒有統(tǒng)一的SiP技術標準，這在一定程度上妨礙了SiP技術的推廣應用。目前看，SiP已不僅僅是封裝廠商的狂歡，隨著產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商在SiP領域發(fā)力，軟件、IC、封裝、材料和設備等廠商之間的合作也會越來越密切，SiP也將在消費電子、通信等多個領域得到更廣泛的應用。