多年來，USI環(huán)旭電子始終致力于創(chuàng)新制程技術(shù)的研發(fā)，為穿戴式電子設(shè)備中的系統(tǒng)級封裝（SiP）實現(xiàn)高集成度及高性能的解決方案。其中，電磁屏蔽性能的持續(xù)優(yōu)化與提升，可謂是 SiP 技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵所在。

延伸前幾篇「系統(tǒng)級封裝」制程文章，本文中，我們將切入屏蔽技術(shù) (Shielding) 兩大領(lǐng)域：共形屏蔽(Conformal Shielding)和分段型屏蔽(Compartment Shielding)，并進一步探討其中制程之優(yōu)劣，綜觀一覽微小化技術(shù)中的「屏蔽」制程。

「電磁屏蔽技術(shù)」之必要性

系統(tǒng)級封裝模組整合數(shù)百、千顆元件于一身，因此，勢必要避免模組內(nèi)和外各項元件之間的相互干擾，這項屏障即為業(yè)界所稱的共形屏蔽(Conformal Shielding)和分段型屏蔽(Compartment Shielding)。過去在PCB組裝制程中，以金屬屏蔽柵欄作為隔間屏蔽已超過 20 年；在微小化模組產(chǎn)品中，雷射溝槽加導(dǎo)電膠填充技術(shù)則已使用超過 10 年。

基于屏蔽效能與微小化的目的，金屬屏蔽柵欄已逐漸被淘汰。近年來，USI研發(fā)團隊成功開發(fā)出應(yīng)用于間隔屏蔽的金屬屏蔽技術(shù)，節(jié)省大量成本的同時，也解決了長期以來存在的中頻與高頻問題，為SiP屏蔽技術(shù)提供新的解決方案。業(yè)界普遍常見的金屬屏蔽罩，每一段均需要保留約1mm寬度的焊盤與排除區(qū)域 (Keep-Out Zone)，環(huán)旭電子的共形及分段型屏蔽僅需10%的寬度。以一個多頻4G模組為例，可為其他元件騰出超過17%的空間，并可屏蔽40-50 dB的電磁干擾。

共形屏蔽：滿足多樣化產(chǎn)品設(shè)計需求

環(huán)旭電子在共型屏蔽技術(shù)（Conformal Shielding）上持續(xù)創(chuàng)新與研發(fā)，可以實現(xiàn)選擇性屏蔽，雙面屏蔽等技術(shù)以滿足不同的產(chǎn)品設(shè)計需求，并且成功開發(fā)了噴涂（Spray Coating）制程，進一步降低了產(chǎn)品成本。

選擇性共型屏蔽是通過在濺射（sputtering）前用遮蔽帶（tape）覆蓋不需要屏蔽的區(qū)域，在濺射后去除遮蔽帶，實現(xiàn)了選擇性屏蔽，同時滿足共型屏蔽要求和實現(xiàn)裸露I/O焊點，還可實現(xiàn)雙面塑封產(chǎn)品I/O的要求。雙面共型屏蔽技術(shù)則通過兩次濺射實現(xiàn)雙面選擇性屏蔽，進一步提升了產(chǎn)品設(shè)計的靈活性，降低了設(shè)計難度。

噴涂則是在產(chǎn)品表面與側(cè)壁噴涂導(dǎo)電膠取代濺射，實現(xiàn)共型屏蔽。這一項制程的成功開發(fā)為共型屏蔽提供了更多實現(xiàn)方案，并顯著降低了機臺成本和產(chǎn)品成本。

雙面選擇性屏蔽

USI環(huán)旭電子在電磁屏蔽技術(shù)上的突破，不僅為SiP模組帶來了更高的集成度和性能，更為客戶創(chuàng)造了多方面的價值。 首先，透過精準(zhǔn)的屏蔽設(shè)計，有效降低了元件間的相互干擾，提升了產(chǎn)品的穩(wěn)定性與可靠性。其次，我們獨立開發(fā)的屏蔽技術(shù)大幅縮減了占用面積，為客戶在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)更多功能提供了可能。此外，選擇性屏蔽與雙面屏蔽等創(chuàng)新技術(shù)，滿足了客戶日益多元化的產(chǎn)品設(shè)計需求，更推升了我們在微小化模組中的生產(chǎn)競爭力。

在下一篇文章中，我們將深入探討「分段式屏蔽技術(shù)」，揭示其在SiP模組中的關(guān)鍵作用與優(yōu)勢。 分段式屏蔽技術(shù)是如何實現(xiàn)更精細化的電磁控制？它又為SiP模組帶來了哪些新的應(yīng)用場景？敬請期待！