5月23日，在張江舉辦了一場(chǎng)2個(gè)小時(shí)的研討會(huì)，主題是On-chip ESD，演講者由在on-chip ESD 領(lǐng)域耕耘了近20年的Sofics以及兩個(gè)合作伙伴Moortec 和 HHGRACE 共同分享最新項(xiàng)目成果和合作的點(diǎn)點(diǎn)滴滴。 On-chip ESD 雖然是小眾方向，但是不能缺少，因?yàn)镋SD的HBM，MM，CDM不容易仿真，一定要等芯片出來(lái)后做了測(cè)試才知道結(jié)果，所以一旦失敗，整個(gè)芯片的研發(fā)周期會(huì)拖延，造成比較大的損失。當(dāng)然，對(duì)于高速電路這塊的應(yīng)用，ESD在寄生電容，電阻，這塊的性能通過(guò)仿真可以獲得，對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)等超低功耗的應(yīng)用，ESD的漏電性能還是提前可以獲得的，所以對(duì)于以上的應(yīng)用，如果最基礎(chǔ)的性能都沒有達(dá)標(biāo)，就需要尋找好的解決方案，特別在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)16nm,12nm, 7nm, 流片昂貴的時(shí)代，ESD 一次成功顯得尤為重要。

Sofics 的演講非常接近應(yīng)用，主要介紹了在人工智能、汽車電子，消費(fèi)應(yīng)用、大數(shù)據(jù)、醫(yī)療應(yīng)用、移動(dòng)應(yīng)用、物聯(lián)網(wǎng)、太空應(yīng)用、可穿戴等方面的案例。

在高速傳輸這塊的應(yīng)用，基本都是先進(jìn)節(jié)點(diǎn)（28，16，7nm)，大數(shù)據(jù)，硅光電等很多IO接口都有非常高的SPEC要求, 比如寄生電容，Sofics 已經(jīng)實(shí)現(xiàn)20fF 以下，在PAD中沒有引入ESD電阻等。

在和HHGRACE合作的在0.11um e-flash 平臺(tái)中，實(shí)現(xiàn)了超低功耗的ESD解決方案，為后續(xù)IOT的應(yīng)用，提供了非常好的解決方案。其中HBM性能＞８keV, 總體漏電小于20 nA，5nA (5.5V, 125 degree) 也顯示了雙方合作的完美。

在和英國(guó)IP 供應(yīng)商Moortec，和Icsense三方的合作中，Sofics 成功得在28nm, 1.8V 工作電壓的工藝下，實(shí)現(xiàn) 3.3V ESD clamp, 讓超壓IO輸出變成了可能，特別對(duì)那些設(shè)計(jì)公司，想在設(shè)計(jì)電路中，實(shí)現(xiàn)工作電壓只有0.85V到1.8V的MOSFET器件做超壓輸出的，給了一個(gè)非常好的方向和選擇。

雖然研討會(huì)只有2個(gè)小時(shí)，會(huì)后，大家討論得非常熱烈，也非常希望國(guó)內(nèi)有一個(gè)好的ESD信息共享的平臺(tái)，因?yàn)橹挥袊?guó)內(nèi)外多交流，才能知道差距，互相學(xué)習(xí)，實(shí)現(xiàn)最終超越。 XMOD作為研討會(huì)的組織者，也希望把歐洲更多小而美的公司技術(shù)資源轉(zhuǎn)移落地到國(guó)內(nèi)，相信，通過(guò)一個(gè)個(gè)小的技術(shù)點(diǎn)差距的彌補(bǔ)，能像星星之火一樣，最終幫助到國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。關(guān)于研討會(huì)的演講資料，如果感興趣的，可以留言或者私信，在經(jīng)過(guò)作者允許后，后續(xù)上傳公司網(wǎng)站，分享給大家。

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