“第七屆中國電子信息博覽會（CITE2019）”召開。華虹集團旗下上海華虹宏力半導體制造有限公司（“華虹宏力”）展出的“高壓大功率雙溝槽型超級結工藝平臺”獲得本屆中國電子信息博覽會創(chuàng)新應用金獎。作為業(yè)界首家提供超級結工藝平臺的8英寸晶圓代工廠，華虹宏力一直在這個市場深耕，為客戶提供獨特的、富有競爭力的深溝槽超級結工藝。自從20世紀90年代超級結MOSFET被發(fā)明以后，一直被英飛凌、ST、安森美半導體等幾家國際大型IDM公司所壟斷。2010年，華虹宏力開始自主研發(fā)深溝槽型超級結工藝技術，打破了國際大廠的壟斷，自工藝平臺推出以來，已有國內(nèi)外多家設計公司試產(chǎn)和量產(chǎn)了各自品牌的超級結芯片。本次獲獎的“高壓大功率雙溝槽型超級結工藝平臺”是華虹宏力超級結工藝平臺的最新一代技術。

華虹宏力技術研發(fā)部門總監(jiān)楊繼業(yè)指出，隨著市場需求的增長，超級結產(chǎn)品在200V～1000V范圍的應用會越來越廣泛。華虹宏力推出的擁有豐富電壓系列的200V～1000V，以及1000V以上的超級結產(chǎn)品，將在中高壓，甚至更高電壓領域的電子電力行業(yè)、交通運輸行業(yè)，獲得更加寬廣的市場。

華虹宏力技術研發(fā)部門總監(jiān)楊繼業(yè)

功率半導體需求持續(xù)增長

根據(jù)IC Insights公司發(fā)布的數(shù)據(jù)，2018年全球功率半導體市場規(guī)模約為151億美元，2022年將增長到170億美元。

作為全球制造中心之一，中國對于功率半導體的需求也很大。目前，中國功率半導體市場規(guī)模位居全球第一，占比達40%。2018年中國功率半導體市場規(guī)模為2591億元，同比增長12.8%；預計2019年將達到2907億元，同比增長12.2%。

相比國內(nèi)廣闊的市場前景，國內(nèi)功率半導體企業(yè)的營收和市占率依然較低，與國際大廠差距明顯。因此，大力發(fā)展功率半導體制造，掌握核心技術，提升國產(chǎn)功率分立器件市占率，將是行業(yè)未來發(fā)展的必然選擇。

超級結工藝平臺技術性能國際領先

華虹宏力投入大量資源，不斷提升在功率器件領域的技術及生產(chǎn)能力，為國內(nèi)外企業(yè)提供性能優(yōu)異的功率器件代工服務。

“華虹宏力從2002年就已經(jīng)開始進入功率MOSFET代工領域，是全球首家提供功率MOSFET代工服務的8英寸廠。華虹宏力成功研發(fā)出SGT/SJ MOSFET/IGBT等技術，性能得到了持續(xù)優(yōu)化，從國際巨頭們的追隨者，逐漸趕上，變成了并跑者，在某些領域還成為了領先者?！睏罾^業(yè)進一步舉例說，“比如華虹宏力作為全球首家提供溝槽型場截止型IGBT量產(chǎn)技術的8英寸代工廠，我們特有的高壓大功率雙溝槽型超級結工藝平臺的技術性能處于國際領先地位?！?/p>

華虹宏力“高壓大功率雙溝槽型超級結工藝平臺”主要有兩點關鍵創(chuàng)新：首先，深溝槽型超級結工藝平臺采用了更小的元胞間距、更大的深寬比，且更為垂直的Trench結構，有利于在降低器件導通電阻的同時，提升器件的反向擊穿電壓。其次，深溝槽型超級結工藝平臺采用了雙溝槽結構，除了超級結Pillar結構采用深溝槽制作，超級結柵極也采用了溝槽型結構。雙溝槽結構不僅消除了JFET效應，進一步降低導通電阻，而且擁有更低的柵電荷表現(xiàn)Qg，提升了開關速度，降低了器件的開關損耗。高壓大功率雙溝槽型超級結工藝平臺，實現(xiàn)了600V級別產(chǎn)品。

硅基功率器件與第三代化合物半導體同時發(fā)力

在談到華虹宏力功率半導體下一步發(fā)展計劃時，楊繼業(yè)表示：“在技術上，我們還將繼續(xù)創(chuàng)新。今年，我們將繼續(xù)研發(fā)第三代SJNFET、逆導型IGBT、SJ-IGBT等新一代功率器件技術，以及高壓大電流車用IGBT技術。除了追求高壓功率器件所需的更高功率密度和更低損耗，也將精益求精地開發(fā)片上集成傳感器的智能化IGBT工藝技術與高可靠性的新型散熱IGBT技術。”

產(chǎn)能方面，華虹宏力將加快功率分立器件產(chǎn)能擴充力度，計劃在未來兩年擴充每月約2萬片8英寸晶圓產(chǎn)能，進一步滿足客戶和市場需求。對于第三代化合物半導體技術，華虹宏力也保持關注。楊繼業(yè)說：“現(xiàn)已啟動了GaN 相關材料的預研發(fā)工作，為將來實現(xiàn)先進的8英寸功率GaN器件代工服務做準備。”