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關(guān)于華虹宏力對(duì)功率技術(shù)的投入分析

0oS6_華虹宏 ? 來(lái)源:djl ? 2019-10-18 10:18 ? 次閱讀
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開(kāi)展首日,來(lái)自華虹宏力研發(fā)部門的邢軍軍科長(zhǎng)便已在“第二屆(上海)電源半導(dǎo)體技術(shù)論壇”以“深耕卓越功率技術(shù),智造綠色‘芯’未來(lái)”為題火熱開(kāi)講,讓我們一起走進(jìn)現(xiàn)場(chǎng)吧!

IC China2017現(xiàn)場(chǎng)新聞速遞:

華虹宏力是全球首家、最大的功率器件8英寸代工廠,在生產(chǎn)功率器件方面擁有15年的良好往績(jī),可提供全電壓解決方案,更是業(yè)內(nèi)首個(gè)擁有深溝槽超級(jí)結(jié)(Deep Trench Super Junction,DT-SJ)及場(chǎng)截止型IGBT(Field Stop,F(xiàn)S IGBT)工藝平臺(tái)的200mm代工廠。目前,華虹宏力在加速研發(fā)適用于高端工業(yè)及新能源汽車的IGBT技術(shù)。

IGBT技術(shù)隨著綠色能源、工業(yè)4.0及新能源汽車等市場(chǎng)的發(fā)展,需求日益旺盛,引起了業(yè)界廣泛關(guān)注。華虹宏力擁有國(guó)內(nèi)最全、最先進(jìn)的全套IGBT背面制程代工技術(shù),可生產(chǎn)技術(shù)性能與國(guó)際領(lǐng)先者的產(chǎn)品相比肩的場(chǎng)截止型IGBT。邢軍軍科長(zhǎng)表示:“通過(guò)設(shè)備升級(jí)、改造,華虹宏力成功配置了一整套IGBT超薄片(可生產(chǎn)至60微米薄片)背面工藝/測(cè)試生產(chǎn)線,成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。配合獨(dú)特的激光退火工藝用于背面注入雜質(zhì)激活,大大提高背面注入雜質(zhì)的激活率?!贝送?,華虹宏力的IGBT采用了FS/SPT/LPT(軟穿通)縱向結(jié)構(gòu)器件及溝槽柵柵結(jié)構(gòu),有效降低了損耗和降低生產(chǎn)成本。

超級(jí)結(jié)產(chǎn)品作為一種新型的功率型MOSFET結(jié)構(gòu),擁有極低的傳導(dǎo)損耗和極快的開(kāi)關(guān)速度,在工業(yè)電源、逆變器、快速充電器、電動(dòng)車充電樁等傳統(tǒng)和新興領(lǐng)域有著諸多應(yīng)用。華虹宏力獨(dú)特的、富有競(jìng)爭(zhēng)力的DT-SJ工藝享有加工周期短,費(fèi)用低,光罩層數(shù)少(一般8~9層photo layer)等顯著優(yōu)勢(shì)?!敖衲昴瓿酰A虹宏力又推出了第三代 Super Junction平臺(tái)。”邢軍軍科長(zhǎng)介紹道,“該平臺(tái)每單元區(qū)域?qū)娮瑁?a href="http://www.brongaenegriffin.com/tags/rs/" target="_blank">Rsp)為1.2ohm.m㎡,技術(shù)參數(shù)達(dá)到了業(yè)界一流水平?!比A虹宏力還將深耕超級(jí)結(jié)技術(shù),持續(xù)往高耐壓(~1000V)/大電流(~40A)驅(qū)動(dòng)方向發(fā)展,延續(xù)其“全球功率器件領(lǐng)導(dǎo)者”的戰(zhàn)略布局。

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