“這一過程使TI能夠在芯片上結(jié)合更高密度的數(shù)字邏輯TI公司負責高級模擬產(chǎn)品的副總裁Dan Reynolds表示，這些產(chǎn)品具有領(lǐng)先的模擬晶體管，意味著更小的器件具有更多的功能和更好的性能。 BiCom-II工藝的一個關(guān)鍵目標是寬帶通信。

該公司稱新的BiCMOS技術(shù)的雙極部分是一個15伏工藝，能夠為運算放大器制造快速晶體管，這是一個關(guān)鍵的建筑阻止模擬功能。 CMOS部分還提供5和10V模擬晶體管。

為了提高數(shù)字邏輯集成能力，TI為BiCom-II技術(shù)增加了一個高性能的5 V工藝模塊，處理需要數(shù)千個門的功能。據(jù)TI稱，這種功能將集成能力提高了之前互補雙極性工藝的柵極密度的20倍。

此外，TI稱BiCom-II技術(shù)可處理薄膜電阻，電介質(zhì)隔離用于提高模擬和數(shù)字電路模塊之間抗噪聲能力的晶體管以及激光可調(diào)金屬鏈路。

TI表示，它希望能夠為電纜和數(shù)字用戶線（DSL）驅(qū)動器和接收器制造性能更高的元件。 ，運算放大器，可編程增益放大器（PGA）以及其他模擬和混合信號模塊。