德州儀器公司正在準(zhǔn)備基于新工藝技術(shù)的第一批元件，該公司認(rèn)為這將使數(shù)字邏輯與模擬功能的集成度提高20倍。

第二季度推出，BiCom-II工藝將進(jìn)行TI先進(jìn)模擬產(chǎn)品技術(shù)人員的高級成員Jim Quarfoot表示，能夠?qū)⒏咝阅茈p極性模擬與CMOS邏輯集成，從而以更低的功耗提高混合信號器件的性能。

是我們模擬和混合信號處理發(fā)展的下一步，“Quarfoot說。 “過去，模擬和數(shù)字技術(shù)仍然是世界分開的.TI的BiCom-II工藝將這些世界結(jié)合在一起，未來的工藝開發(fā)將使它們更加接近。”

新工藝有望受益諸如有線和數(shù)字用戶線驅(qū)動器和接收器，運(yùn)算放大器和可編程增益放大器等產(chǎn)品。

BiCom-II工藝是TI三年前推出的BiCom-I工藝的擴(kuò)展。雖然BiCom-I基于30V工藝，并且生產(chǎn)的器件主要工作在15V，但BiCom-II的模擬部分是15V工藝，工作電壓為5V。還增加了一個(gè)5 V CMOS功能的掩模。

“我們現(xiàn)在可以在任何設(shè)備上放置非常緊湊的高密度邏輯，以及高速模擬，”Quarfoot說。

片上CMOS邏輯功能比傳統(tǒng)雙極邏輯需要更少的硅面積，成本更低，功耗更低，他說。這將使BiCom-II制造的器件能夠支持CMOS邏輯功能，其柵極密度是之前工藝的20倍。他說，它將使標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字功能庫與模擬模塊集成，以及使用標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字設(shè)計(jì)工具。

該過程還使用薄膜電阻，晶體管的介質(zhì)隔離用于提高模擬和數(shù)字電路與激光可調(diào)金屬鏈路之間的抗噪性。