德克薩斯州奧斯汀 - 國際Sematech公司的研究經(jīng)理表示，他們對(duì)將光刻技術(shù)擴(kuò)展到生產(chǎn)的可能性更加樂觀一組專家回顧了下一代157納米曝光工具關(guān)鍵材料的最新發(fā)展后，低于0.10微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路。

該聯(lián)盟首次在加利福尼亞州達(dá)納角舉行的157納米光刻國際研討會(huì)期間上周，有六家公司報(bào)告了為下一代光學(xué)工具開發(fā)新型光刻膠和掩模版保護(hù)薄膜材料的進(jìn)展。 “基于所提供的信息，157-nm技術(shù)的置信水平顯著上升，”Sematech 157納米項(xiàng)目經(jīng)理Rich Harbison表示。

Sematech本周未發(fā)布有關(guān)這些演示的詳細(xì)信息去年，該公司開始努力將光學(xué)光刻技術(shù)的應(yīng)用擴(kuò)展到157納米波長系統(tǒng)，以便在電路中生產(chǎn)90納米及以下的特征尺寸。雖然許多研究小組正致力于光刻技術(shù)的后光學(xué)技術(shù)，但Sematech和許多業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為，在未來三年內(nèi)，157納米系統(tǒng)可用于即將推出的0.10微米(100納米)工藝節(jié)點(diǎn)。

“157納米光刻技術(shù)的時(shí)機(jī)仍然是一個(gè)關(guān)鍵問題，”Sematech光刻技術(shù)總監(jiān)Gerhard Gross說。 “為了在100納米節(jié)點(diǎn)上推出，生產(chǎn)工具必須在2003年初準(zhǔn)備好。時(shí)間是我們現(xiàn)在最關(guān)心的問題。如果我們不能在2003年之前準(zhǔn)備好工具，那么使用157-就太晚了nm技術(shù)?！?/p>

但Sematech官員表示，他們看到上周在為期三天的157納米研討會(huì)上提供的信息取得了實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。會(huì)議上發(fā)表了超過65場(chǎng)演講，來自全球設(shè)備和材料供應(yīng)商，半導(dǎo)體制造商，實(shí)驗(yàn)室和大學(xué)的約300名專家參加了演講。

抗蝕劑材料開發(fā)工作的成果和總部位于奧斯汀的財(cái)團(tuán)表示，薄膜被認(rèn)為是重大突破。

“這是我們能夠克服157納米大多數(shù)有機(jī)材料和現(xiàn)有抗蝕劑的高吸光度的第一個(gè)證據(jù)，”Gene Feit說。 ，Sematech抗拒開發(fā)經(jīng)理。該聯(lián)盟計(jì)劃在最近安裝在Sematech的Exitech Ltd.微型測(cè)試儀上設(shè)計(jì)用于157nm曝光的抗蝕劑(參見1999年12月22日的故事)。

用于薄膜 - 薄膜材料這可以保護(hù)光罩或光掩模免受缺陷 - 幾家公司的介紹表明，聚合物材料和“硬膜”已經(jīng)取得了進(jìn)展。據(jù)Sematech稱，麻省理工學(xué)院林肯實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)在希望在5月底之前測(cè)試這些聚合物材料的樣品，以評(píng)估它們的透射率和耐久性。

“去年，在157納米上獲得動(dòng)力的重大進(jìn)展是鑒于光罩的材料，“哈比森說。 “抗沖擊和薄膜的發(fā)展同樣重要，同樣重要的是推動(dòng)這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展?！?/p>