除了企業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)等極少數(shù)特殊產(chǎn)品，SLC閃存已經(jīng)逐漸成為回憶，MLC閃存都快絕跡了，只剩滿大街的TLC、QLC，不過(guò)東芝正在把SLC帶回來(lái)！

一年前的FMS 2018閃存峰會(huì)上，東芝宣布了全新的“XL-Flash”，可以理解為一種采用3D立體封裝、延遲超低的SLC閃存，但沒(méi)有透露更多細(xì)節(jié)。

如今，F(xiàn)MS 2019開幕在即，東芝正式發(fā)布了XL-Flash，并透露了不少細(xì)節(jié)，還會(huì)在峰會(huì)上公布更多架構(gòu)和技術(shù)特點(diǎn)。

傳統(tǒng)3D NAND

據(jù)介紹，XL-Flash閃存介于傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存、NAND Flash閃存之間，擁有更高的速度、更低的延遲、更大的容量，而且成本相對(duì)較低，初期將用于SSD固態(tài)硬盤，未來(lái)也可用于NVDIMM內(nèi)存條等傳統(tǒng)DRAM領(lǐng)域產(chǎn)品。

XL-Flash閃存每個(gè)Die裸片的容量為128Gb（16GB），支持2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)Die封裝，因此單顆容量可以做成32GB、64GB、128GB。

這樣的容量確實(shí)不大，但分成了多達(dá)16層，并行程度要比現(xiàn)在追求容量的3D NAND閃存高得多，同時(shí)頁(yè)面尺寸僅為4KB，遠(yuǎn)小于3D NAND，讀寫效率更高，畢竟屬于SLC，每個(gè)單元只存儲(chǔ)一個(gè)比特。擦除區(qū)塊尺寸未披露，但相信也會(huì)比高容量3D NAND小得多。

至于性能，東芝稱XL-Flash的延遲不會(huì)超過(guò)5微秒，相比現(xiàn)在3D TLC閃存的50微秒左右提升了足有10倍。

看起來(lái)，東芝XL-Flash有點(diǎn)對(duì)標(biāo)三星Z-NAND的意味，不過(guò)后者僅用于三星自家的Z-SSD，而東芝XL-Flash會(huì)向行業(yè)開放，事實(shí)上已經(jīng)有多家SSD主控廠商開始準(zhǔn)備在下一代產(chǎn)品中支持了。

東芝XL-Flash閃存將在下個(gè)月試產(chǎn)出樣，明年投入大規(guī)模量產(chǎn)。