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華虹半導體Q2 2019戰(zhàn)報:分立器件顯現(xiàn)巨大優(yōu)勢 同比增長逾21%

漁翁先生 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:Allen Yin ? 2019-08-07 16:37 ? 次閱讀
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華虹半導體最新一季度業(yè)績正式出爐!

8月6日,純晶圓代工企業(yè)華虹半導體有限公司(以下簡稱“華虹半導體”)公布(截止6月30日)2019年第二季度的綜合經(jīng)營業(yè)績。該季度銷售收入2.3億美元,同比持平,環(huán)比增長4.2%。毛利率31%,同比下降2.6個百分點,環(huán)比下降1.2個百分點。凈利潤率達到21.7%,同比上升1.7個百分點,環(huán)比上升0.6個百分點。同時該公司預計今年第三季度銷售收入約2.38億美元,毛利率約31%。

華虹半導體總裁兼執(zhí)行董事唐均君表示,“盡管全球半導體市場持續(xù)放緩,同時面臨來自技術、客戶以及即將投入使用的新12英寸晶圓廠等諸多挑戰(zhàn),但我們的傾力付出得到了回報。工廠整體產(chǎn)能利用率已經(jīng)回升到了90%以上。并且我們非常有信心2019年下半年的表現(xiàn)將比上半年更為強勁?!?/p>

Q2季銷售總額2.38億,電子消費品業(yè)務占比64%

按終端市場分布劃分,華虹半導體主營業(yè)務分電子消費品、工業(yè)及汽車、通訊及計算機四大板塊。

財報顯示,2019年第二季度,電子消費品作為華虹半導體的第一大終端市場,貢獻銷售收入1.472億美元,占銷售收入總額的64%,同比增長1%,主要得益于MCU產(chǎn)品的需求增加。

工業(yè)及汽車產(chǎn)品銷售收入4,430萬美元,同比減少6.4%,主要由于智能卡芯片需求的減少,部分被通用MOSFET產(chǎn)品的需求增加所抵消。

通訊產(chǎn)品銷售收入2,810萬美元,同比增長9.3%,主要得益于通用MOSFET產(chǎn)品的需求增加。

計算機產(chǎn)品銷售收入1,050萬美元,同比減少5.8%,主要由于通用MOSFET產(chǎn)品的需求減少。

分立器件繼續(xù)保持優(yōu)勢,Q2季同比增長21.7%

按技術產(chǎn)品劃分,華虹半導體銷售收入主要來自嵌入式非易失性存儲器、分立器件、模擬電源管理、邏輯及射頻、獨立非易失性存儲器及其他產(chǎn)品領域。

數(shù)據(jù)顯示,2019年第二季度,華虹半導體分立器件銷售收入9250萬美元,同比增長21.7%。該系列產(chǎn)品繼續(xù)保持巨大的優(yōu)勢,各產(chǎn)品的需求都在增加,尤其是超級結(jié)、IGBT和通用MOSFET。該公司預計分立器件在未來的需求仍將持續(xù)增長。

嵌入式非易失性存儲器銷售收入7,960萬美元,同比減少10.2%,主要由于智能卡芯片的需求減少,部分被MCU產(chǎn)品的需求增加所抵消。此外,因應未來智能控制應用趨勢造成MCU需求的增加,該公司持續(xù)推動對嵌入式非易失性存儲器技術的優(yōu)化與業(yè)務拓展。在2019上半年,華虹半導體嵌入式閃存MCU出貨及平均單價同比均增長;同時,0.11um嵌入式閃存MCU NTO(新產(chǎn)品)數(shù)量也持續(xù)強勁增長。

模擬與電源管理銷售收入3,340萬美元,同比減少11.0%,主要由于LED照明、其他電源管理和模擬產(chǎn)品的需求減少。但同時,得益于中國、北美和其他亞洲國家市場的強勁表現(xiàn),來自模擬與電源管理平臺的銷售收入,環(huán)比增長近41%。

邏輯及射頻銷售收入2,160萬美元,同比持平。

獨立非易失性存儲器銷售收入270萬美元,同比減少55.1%,主要由于閃存和EEPROM產(chǎn)品的需求減少。

另外據(jù)其介紹,本季度華虹半導體97.8%的銷售收入來自于半導體晶圓的直接銷售。數(shù)據(jù)顯示,在該季度末月華虹1~3號晶圓廠產(chǎn)能為175,000片,產(chǎn)能利用率為93.2%。

2019年第四季度開始試生產(chǎn)300mm晶圓

唐均君表示,300mm晶圓項目正按計劃平穩(wěn)推進,廠房和潔凈室已經(jīng)完成建設。同時,第一批1萬片產(chǎn)能所需的大部分機器設備已經(jīng)搬入,目前正處于安裝和測試階段。無錫工廠將于2019年第四季度開始試生產(chǎn)300mm晶圓。

根據(jù)本季度財報顯示,華虹半導體資本開支2.231億美元,其中1.824億美元用于華虹無錫晶圓工廠建設。

據(jù)悉,華虹無錫300mm晶圓制造工廠于2018年三月動工后進展順利,2019年第二季度潔凈室已經(jīng)通過認證,大部分的設備已于第二季移入裝機。55nm邏輯與射頻CMOS技術、90nm嵌入式閃存技術與90nm BCD技術前期研發(fā)順利。

同時,根據(jù)市場研究與技術評估情況,通過了開發(fā)12寸功率器件工藝方案,確定了華虹無錫12寸項目IC + Power的規(guī)劃。12寸功率器件工藝、產(chǎn)能與技術的提升可使公司更好的服務國內(nèi)與海外客戶,擴大公司在功率器件,特別是中高壓功率器件的行業(yè)領先優(yōu)勢。

針對未來期許,華虹半導體200mm晶圓的嵌入式閃存MCU、射頻IC、功率分立器件的業(yè)務持續(xù)發(fā)展,以及300mm晶圓制造工廠的55納米邏輯與射頻CMOS技術將率先在第四季度進入量產(chǎn)。同時該公司將繼續(xù)實施200mm及300mm晶圓差異化技術的企業(yè)發(fā)展策略,為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的服務。

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