8月6日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)250千兆字節(jié)（SATA）固態(tài)硬盤（SSD），該硬盤集成了該公司的第六代（1xx層）256Gb，適用于全球PC OEM的三位V-NAND。通過在短短13個月內(nèi)推出新一代V-NAND，三星已將批量生產(chǎn)周期縮短了四個月，同時確保了業(yè)界最高的性能，功效和制造生產(chǎn)率。

三星電子解決方案產(chǎn)品與開發(fā)執(zhí)行副總裁Kye Hyun Kyung說：“隨著下一代V-NAND產(chǎn)品的開發(fā)周期加快，我們計劃快速擴展我們的高速，高容量512Gb V-NAND解決方案的市場。”

具有100多層設計的唯一單堆棧3D存儲器芯片

三星的第六代V-NAND具有業(yè)界最快的數(shù)據(jù)傳輸速率，充分利用該公司獨特的制造優(yōu)勢，將3D內(nèi)存提升到新的高度。

利用三星獨特的“通道孔蝕刻”技術(shù)，新型V-NAND可將先前9x層單層結(jié)構(gòu)的單元數(shù)量增加約40％。這是通過構(gòu)建由136層組成的導電模具堆疊，然后從頂部到底部垂直穿透圓柱形孔來實現(xiàn)的，從而產(chǎn)生均勻的3D電荷捕獲閃光（CTF）單元。

隨著每個單元區(qū)域中的模具堆疊的高度增加，NAND閃存芯片往往更容易受到錯誤和讀取延遲的影響。為了克服這些限制，三星采用了速度優(yōu)化的電路設計，使其能夠?qū)崿F(xiàn)最快的數(shù)據(jù)傳輸速度，寫入操作低于450微秒（μs），讀取低于45μs。與上一代產(chǎn)品相比，性能提升了10％以上，同時功耗降低了15％以上。

得益于這種速度優(yōu)化設計，三星將能夠在不影響芯片性能或可靠性的情況下，通過安裝三個電流堆棧，提供超過300層的下一代V-NAND解決方案。

此外，創(chuàng)建256Gb芯片密度所需的通道孔數(shù)量已從上一代的9.3億個減少到6.7億個孔，從而減小了芯片尺寸并減少了工藝步驟。這使制造業(yè)生產(chǎn)率提高了20％以上。

利用高速和低功耗特性，三星不僅計劃將其3D V-NAND的范圍擴展到下一代移動設備和企業(yè)服務器等領域，而且還擴展到高可靠性至關重要的汽車市場。

繼今天推出250GB SSD之后，三星計劃在今年下半年推出512Gb三比特V-NAND SSD和eUFS。該公司還計劃從明年起在其Pyeongtaek（韓國）園區(qū)擴大更高速和更大容量的第六代V-NAND解決方案的生產(chǎn)，以更好地滿足全球客戶的需求。

參考：三星V-NAND批量生產(chǎn)時間表