東芝存儲(chǔ)：存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存比采用SLC技術(shù)的TLC快10倍
東芝存儲(chǔ)公司6日宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（SCM）——XL-FLASH，并開始提供樣品。該產(chǎn)品使用1位/單元SLC技術(shù)，使用96層堆疊工藝實(shí)現(xiàn)3D閃存BiCSFLASH的高速讀寫。128Gbit芯片的樣品出貨將于9月開始，大規(guī)模生產(chǎn)將于2020年開始。
XL-FLASH采用16物理平面結(jié)構(gòu)，具有出色的并行處理能力，以及與現(xiàn)有TLC（3位/單元）BiCSFLASH相比可實(shí)現(xiàn)高速處理的電路技術(shù)。它實(shí)現(xiàn)了5μs或更短的讀取延遲，速度提高了10倍，并且定位為新的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)，填補(bǔ)了DRAM和NAND閃存之間的性能差異。
此外，與傳統(tǒng)DRAM相比，該產(chǎn)品可降低每比特成本，并且是支持NAND閃存等大容量的非易失性存儲(chǔ)器。東芝存儲(chǔ)將通過XL-FLASH響應(yīng)不斷擴(kuò)大的SCM市場(chǎng)的需求，包括用于數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲(chǔ)的高速SSD。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
TLC
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
138瀏覽量
52427 -
slc
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
56瀏覽量
23105 -
東芝存儲(chǔ)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
6瀏覽量
4014
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片核心解析
械部件），讀寫速度比傳統(tǒng)硬盤快很多（尤其在隨機(jī)訪問上）。
缺點(diǎn)：寫入速度慢于讀取，擦寫次數(shù)有限（壽命問題，QLC<TLC<MLC<SLC），需要復(fù)雜的控制器管理
發(fā)表于 06-24 09:09
存儲(chǔ)示波器的存儲(chǔ)深度對(duì)信號(hào)分析有什么影響？
$：存儲(chǔ)深度（采樣點(diǎn)數(shù)）
存儲(chǔ)深度的影響：
存儲(chǔ)深度越大，頻率分辨率越高（如1Mpts采樣點(diǎn)比10kpts的頻率分辨率高100
發(fā)表于 05-27 14:39
利用eBPF程序繞過內(nèi)核以加速存儲(chǔ)訪問
隨著微秒級(jí)NVMe存儲(chǔ)的蓬勃發(fā)展，Linux內(nèi)核存儲(chǔ)棧的開銷幾乎是存儲(chǔ)訪問時(shí)間的兩倍，已經(jīng)成為性能瓶頸。
嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的軟件優(yōu)化策略
、QLC。嵌入式常用類型低存儲(chǔ)容量一般為SLC和MLC，高存儲(chǔ)容量一般是TLC。
SLC (Single-Level Cell) 速度
發(fā)表于 02-28 14:17
存儲(chǔ)上行，又一家廠商進(jìn)軍企業(yè)級(jí)/汽車級(jí)賽道
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)上市企業(yè)德明利在調(diào)研中分享了公司在企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)、嵌入式存儲(chǔ)、車規(guī)、自研主控等方面的進(jìn)展。 ? 德明利專注于存儲(chǔ)
發(fā)表于 02-22 00:15
?1052次閱讀
閃速存儲(chǔ)器的閃速是指什么，閃速存儲(chǔ)器的速度比內(nèi)存快嗎
存儲(chǔ)器則通過引入創(chuàng)新的擦除編程電路技術(shù)和高速靈敏度放大器，實(shí)現(xiàn)了對(duì)所有存儲(chǔ)單元的同時(shí)、快速擦除。這種高效的擦除速度，使得閃速存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)更新和維護(hù)方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，因此被形象地稱為“閃
高速緩沖存儲(chǔ)器是內(nèi)存還是外存，高速緩沖存儲(chǔ)器是為了解決什么
高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲(chǔ)器（RAM）有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中，Cache位于CPU和主存儲(chǔ)
QLC存儲(chǔ)新里程：德明利探索高效存儲(chǔ)之路，賦能數(shù)據(jù)時(shí)代新需求
在大數(shù)據(jù)和人工智能時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)媒介的性能、容量和能效提出了更高要求。隨著閃存技術(shù)向高存儲(chǔ)密度發(fā)展，一個(gè)
SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較
、TLC、QLC和PLC。
以SLC NAND為例，每個(gè)單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位數(shù)為1位，這意味著每個(gè)單元可以存儲(chǔ)一個(gè)“0”或“1”；類似的，MLC NAND每個(gè)單元可以
發(fā)表于 01-15 18:15
【半導(dǎo)體存儲(chǔ)】關(guān)于NAND Flash的一些小知識(shí)
技術(shù)方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主，NAND閃存顆粒根據(jù)存儲(chǔ)原理分為SLC、MLC、
發(fā)表于 12-17 17:34
群暉PB級(jí)高密度存儲(chǔ)，滿足海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、備份與存檔
承載在線業(yè)務(wù)，但對(duì)擴(kuò)容便捷、界面直觀、安全性等會(huì)有高于生產(chǎn)設(shè)備的要求。 PB級(jí)高密度存儲(chǔ)服務(wù)器 群暉PB級(jí)高密度服務(wù)器——HD6500，采用4U機(jī)架式機(jī)箱，內(nèi)置60個(gè)硬盤插槽，可使用擴(kuò)
佰維存儲(chǔ)發(fā)布新一代LPDDR5X內(nèi)存
近日，存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的佼佼者佰維存儲(chǔ)，正式推出了其最新的高效能內(nèi)存產(chǎn)品——LPDDR5X。這款內(nèi)存產(chǎn)品采用
一文看懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC幾種存儲(chǔ)器的區(qū)別
模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。 NAND Flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如閃存盤、固態(tài)
東芝PC級(jí)機(jī)械硬盤助力新聞工作者有效存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
東芝PC級(jí)機(jī)械硬盤提供非常廣泛的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)磁盤存儲(chǔ)容量，能幫助新聞工作者有效存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，提升工作效率。其中DT02 7200rpm 2TB內(nèi)置盤，2TB
存儲(chǔ)芯片的PSLC的工作原理
我們?cè)诮佑|存儲(chǔ)芯片時(shí)，會(huì)了解到FLASH晶圓的類型。隨著時(shí)間的變化FLASH類型發(fā)展也由SLC、MLC、TLC、3DTLC等，但PSLC卻是一種革新性的存儲(chǔ)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論