汽車、工業(yè)、太空和國防領域越來越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。今日，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）通過其子公司Microsemi（美高森美）宣布推出一系列SiC功率器件。該系列器件具有良好的耐用性，以及寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢。它們將與Microchip各類單片機和模擬解決方案形成優(yōu)勢互補，加入Microchip不斷壯大的SiC產(chǎn)品組合，滿足電動汽車和其他大功率應用領域迅速發(fā)展的市場需求。

Microchip的700V SiC MOSFET和700V、1200V SiC肖特基勢壘二極管(SBD)將加入公司現(xiàn)有的SiC功率模塊產(chǎn)品組合。該組合新增的超過35款分立器件產(chǎn)品均已實現(xiàn)量產(chǎn)，并通過了嚴格的耐用性測試，Microchip可提供全面的開發(fā)服務、工具和參考設計支持。Microchip目前提供額定電壓、額定電流和各類封裝的SiC裸片、分立器件和功率模塊。

Microchip分立器件和功率產(chǎn)品管理事業(yè)部高級副總裁Rich Simoncic說：“SiC技術(shù)的演變和應用已開始加速發(fā)展，Microchip深耕這一市場多年，一直致力于滿足全球市場對SiC產(chǎn)品日益增長的需求，保持全球領先的位置。我們利用可靠的產(chǎn)品來構(gòu)建產(chǎn)品組合，并提供強大的基礎架構(gòu)和供應鏈支持，以滿足客戶執(zhí)行和調(diào)整產(chǎn)品開發(fā)計劃的需求?！?/p>

Microchip的SiC MOSFET和SBD可以更加高頻高效地完成開關操作，并通過各級別的耐用性測試，這對于保障產(chǎn)品的長期可靠性至關重要。感應開關(UIS)耐用性測試(該項測試旨在衡量雪崩情形下，即電壓峰值超過器件的擊穿電壓，器件的退化和過早失效性能)表明，Microchip SiC SBD性能比其他SiC二極管高出20%左右。另外，Microchip的SiC MOSFET在性能方面同樣優(yōu)于同類產(chǎn)品，其具有良好的柵氧化層防護能力和通道完整性，即使在經(jīng)歷10萬次重復UIS(RUIS)測試后，其參數(shù)仍能維持在正常水平。

Microchip是全球僅有的能同時提供硅和SiC分立器件/模塊解決方案的供應商之一。該公司的產(chǎn)品(包括外部充電站、車內(nèi)充電器、直流-直流變換器和動力系統(tǒng)/牽引力控制解決方案)能很好的滿足電動汽車系統(tǒng)日益增多的需求。新型SiC器件將采用Microchip的客戶為導向的產(chǎn)品淘汰機制，Microchip將根據(jù)客戶需求來決定是否繼續(xù)生產(chǎn)此類產(chǎn)品。