臺灣合勁半導體再生晶圓和IGBT項目落戶江蘇東海經濟開發(fā)區(qū) 總投資約合人民幣5.3億元
8月14日，江蘇東海經濟開發(fā)區(qū)與***合勁半導體科技有限公司舉行項目簽約儀式。
***合勁半導體科技有限公司將在東海經濟開發(fā)區(qū)投資興建 “再生晶圓和IGBT”項目。
據(jù)東海黨辦報道，該項目總投資7500萬美元（約合人民幣5.3億元），達產后可年產8-12寸再生晶圓150萬片，實現(xiàn)年銷售收入5億元，稅收3000萬元以上。東海黨辦指出，再生晶圓和IGBT項目在國內占據(jù)重要地位，IGBT芯片薄化技術可生產出全亞洲最薄的晶圓。
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