日前，華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料再次走入大眾視野，引起業(yè)界重點(diǎn)關(guān)注。

事實(shí)上，隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷進(jìn)步，對(duì)半導(dǎo)體器件性能、效率、小型化要求的越來(lái)越高，傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體材料逐漸無(wú)法滿足性能需求，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料憑借著優(yōu)異的性能，早已成為當(dāng)前世界各國(guó)競(jìng)相布局的焦點(diǎn)，我國(guó)在加速發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的同時(shí)，把發(fā)展第三代半導(dǎo)體技術(shù)列入國(guó)家戰(zhàn)略。

如今5G時(shí)代到來(lái)，將推動(dòng)半導(dǎo)體材料實(shí)現(xiàn)革命性變化。其中，氮化鎵器件以高性能特點(diǎn)廣泛應(yīng)用于通信、國(guó)防等領(lǐng)域，其市場(chǎng)需求有望在5G時(shí)代迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。風(fēng)口來(lái)臨，我國(guó)目前有哪些企業(yè)在布局？下面將從襯底、外延片、制造及IDM幾大分類(lèi)盤(pán)點(diǎn)國(guó)內(nèi)氮化鎵主要企業(yè)。

GaN襯底企業(yè)

· 東莞市中稼半導(dǎo)體科技有限公司

東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于2009年1月，總部設(shè)于廣東東莞，總注冊(cè)資本為1.3億元人民幣，總部設(shè)立廠房辦公區(qū)等共17000多平方米，并在北京有大型研發(fā)中心，為中國(guó)國(guó)內(nèi)一家專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)氮化鎵襯底材料的企業(yè)。

官網(wǎng)顯示，中鎵半導(dǎo)體已建成國(guó)內(nèi)首家專(zhuān)業(yè)的氮化鎵襯底材料生產(chǎn)線，制備出厚度達(dá)1100微米的自支撐GaN襯底，并能夠穩(wěn)定生產(chǎn)。2018年2月，中鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸GaN自支撐襯底的試量產(chǎn)。

· 東莞市中晶半導(dǎo)體科技有限公司

東莞市中晶半導(dǎo)體科技有限公司成立于2010年，是廣東光大企業(yè)集團(tuán)在半導(dǎo)體領(lǐng)域繼中鎵半導(dǎo)體、中圖半導(dǎo)體后布局的第三個(gè)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

中晶半導(dǎo)體主要以HVPE設(shè)備等系列精密半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)為支撐，以GaN襯底為基礎(chǔ)，重點(diǎn)發(fā)展Mini/MicroLED外延、芯片技術(shù)，并向新型顯示模組方向延展；同時(shí)，中晶半導(dǎo)體將以GaN襯底材料技術(shù)為基礎(chǔ)，孵化VCSEL、電力電子器件、化合物半導(dǎo)體射頻器件、車(chē)燈封裝模組、激光器封裝模組等國(guó)際前沿技術(shù)，并進(jìn)行全球產(chǎn)業(yè)布局。

· 蘇州納維科技有限公司

蘇州納維科技有限公司成立于2007年，致力于氮化鎵單晶襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，實(shí)現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開(kāi)發(fā)、突破了6英寸的關(guān)鍵技術(shù)，現(xiàn)在是國(guó)際上少數(shù)幾家能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產(chǎn)品的單位之一。

據(jù)官網(wǎng)介紹，目前納維科技GaN單晶襯底產(chǎn)品已提供給300余家客戶使用，正在提升產(chǎn)能向企業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)展，重點(diǎn)突破方向是藍(lán)綠光半導(dǎo)體激光器、高功率電力電子器件、高可靠性高功率微波器件等重大領(lǐng)域。

· 鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司

鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司成立于2015年4月，主要從事大尺寸的高質(zhì)量、低成本氮化鎵襯底的生長(zhǎng)，以推動(dòng)諸多半導(dǎo)體企業(yè)能夠以合理價(jià)來(lái)購(gòu)買(mǎi)并使用氮化鎵襯底。鎵特半導(dǎo)體已自主研發(fā)出HVPE設(shè)備，并用以生長(zhǎng)高質(zhì)量的氮化鎵襯底。

官網(wǎng)顯示，借助自主研發(fā)的HVPE設(shè)備，鎵特半導(dǎo)體已成功生長(zhǎng)出4英寸的自支撐氮化鎵襯底。鎵特半導(dǎo)體表示，未來(lái)幾年內(nèi)將建成全球最大的氮化鎵襯底生長(zhǎng)基地，以此進(jìn)一步推廣氮化鎵襯底在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，并將依托自支撐GaN襯底進(jìn)行中下游的高端LED、電力電子及其他器件的研發(fā)和制造。

GaN外延片企業(yè)

· 蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司成立于2012年3月，致力于氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。2013年8月，晶湛半導(dǎo)體開(kāi)始在蘇州納米城建設(shè)GaN外延材料生產(chǎn)線，可年產(chǎn)150mm氮化鎵外延片2萬(wàn)片；2014年底，晶湛半導(dǎo)體發(fā)布其商品化8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品。

官網(wǎng)介紹稱(chēng)，截至目前，晶湛半導(dǎo)體已完成B輪融資用于擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月產(chǎn)能達(dá)1萬(wàn)片。晶湛半導(dǎo)體現(xiàn)已擁有全球超過(guò)150家的著名半導(dǎo)體公司、研究院所客戶。

· 聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司

聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司成立于2018年6月，專(zhuān)注于電力電子應(yīng)用的外延材料增長(zhǎng)。針對(duì)外延材料市場(chǎng)，聚能晶源正在開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵材料生長(zhǎng)技術(shù)并銷(xiāo)售硅基氮化鎵外延材料作為產(chǎn)品。

2018年12月，聚能晶源成功研制了達(dá)到全球業(yè)界領(lǐng)先水平的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓。該型外延晶圓在實(shí)現(xiàn)了650V/700V高耐壓能力的同時(shí)，保持了外延材料的高晶體質(zhì)量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產(chǎn)業(yè)界中高壓功率電子器件的應(yīng)用需求。

· 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司

北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司成立于2010年12月，經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，世紀(jì)金光已成為集半導(dǎo)體單晶材料、外延、器件、模塊的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售于一體的、貫通第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)。

在碳化硅領(lǐng)域，世紀(jì)金光已實(shí)現(xiàn)碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈貫通，氮化鎵方面，官網(wǎng)顯示其目前則以氮化鎵基外延片為主。

· 聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司

聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司成立于2018年9月，是重慶捷舜科技有限公司在大足區(qū)設(shè)立的公司。2018年9月，重慶大足區(qū)政府與重慶捷舜科技有限公司簽約，擬在重慶建設(shè)“聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項(xiàng)目”。

2018年11月，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司舉行奠基儀式，項(xiàng)目正式開(kāi)工。該項(xiàng)目占地500畝，計(jì)劃投資50億元，將在大足高新區(qū)建設(shè)集氮化鎵外延片、氮化鎵芯片的研發(fā)與生產(chǎn)、封裝測(cè)試、產(chǎn)品設(shè)計(jì)應(yīng)用為一體的全產(chǎn)業(yè)鏈基地。2019年6月5日，該項(xiàng)目一期廠房正式啟用，預(yù)計(jì)將于今年10月開(kāi)始外延片的量產(chǎn)。

GaN制造企業(yè)

· 成都海威華芯科技有限公司

成都海威華芯科技有限公司成立于2010年，是國(guó)內(nèi)首家提供6英寸砷化鎵/氮化鎵微波集成電路的純晶圓代工企業(yè)。據(jù)了解，海威華芯由海特高新和央企中電科29所合資組建，2015年1月，海特高新以5.55億元收購(gòu)海威華芯原股東股權(quán)，并以增資的方式取得海威華芯52.91%的股權(quán)成為其控股股東，從而涉足高端化合物半導(dǎo)體集成電路芯片研制領(lǐng)域。

海威華芯6英寸第二代/第三代半導(dǎo)體集成電路芯片生產(chǎn)線已于2016年8月投入試生產(chǎn)。官網(wǎng)顯示，海威華芯已開(kāi)發(fā)了5G中頻段小于6GHz的基站用氮化鎵代工工藝、手機(jī)用砷化鎵代工工藝，發(fā)布了毫米波頻段用0.15um砷化鎵工藝。砷化鎵VCSEL激光器工藝、電力電子用硅基氮化鎵制造工藝在2019年也取得了較大的進(jìn)展。

· 廈門(mén)市三安集成電路有限公司

廈門(mén)市三安集成電路有限公司成立于2014年，是LED芯片制造公司三安光電下屬子公司，基于氮化鎵和砷化鎵技術(shù)經(jīng)營(yíng)業(yè)務(wù)，是一家專(zhuān)門(mén)從事化合物半導(dǎo)體制造的代工廠，服務(wù)于射頻、毫米波、功率電子和光學(xué)市場(chǎng)，具備襯底材料、外延生長(zhǎng)以及芯片制造的產(chǎn)業(yè)整合能力。

三安集成項(xiàng)目總規(guī)劃用地281 畝，總投資額30億元，規(guī)劃產(chǎn)能為30萬(wàn)片/年GaAs高速半導(dǎo)體外延片、30萬(wàn)片/年GaAs高速半導(dǎo)體芯片、6萬(wàn)片/年GaN高功率半導(dǎo)體外延片、6萬(wàn)片/年GaN高功率半導(dǎo)體芯片。官網(wǎng)顯示，三安集成在微波射頻領(lǐng)域已建成專(zhuān)業(yè)化、規(guī)?；?英寸、6英寸化合物晶圓制造產(chǎn)線，在電子電路領(lǐng)域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二極管及硅基氮化鎵功率器件。

· 華潤(rùn)微電子有限公司

華潤(rùn)微電子有限公司是華潤(rùn)集團(tuán)旗下負(fù)責(zé)微電子業(yè)務(wù)投資、發(fā)展和經(jīng)營(yíng)管理的企業(yè)，亦是中國(guó)本土具有重要影響力的綜合性微電子企業(yè)，其聚焦于模擬與功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域，業(yè)務(wù)包括集成電路設(shè)計(jì)、掩模制造、晶圓制造、封裝測(cè)試及分立器件，目前擁有6-8英寸晶圓生產(chǎn)線5條、封裝生產(chǎn)線2條、掩模生產(chǎn)線1條、設(shè)計(jì)公司3家，為國(guó)內(nèi)擁有完整半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)。

2017年12月，華潤(rùn)微電子完成對(duì)中航（重慶）微電子有限公司（后更名為“華潤(rùn)微電子（重慶）有限公司”）的收購(gòu)，重慶華潤(rùn)微電子采用8英寸0.18微米工藝技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)，并在主生產(chǎn)線外建有獨(dú)立的MEMS和化合物半導(dǎo)體工藝線，具備氮化鎵功率器件規(guī)?；a(chǎn)制造能力。

· 杭州士蘭微電子股份有限公司

杭州士蘭微電子股份有限公司成立于成立于1997年，專(zhuān)業(yè)從事集成電路芯片設(shè)計(jì)以及半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品制造，2001年開(kāi)始在杭州建了第一條5英寸芯片生產(chǎn)線，現(xiàn)已成為國(guó)內(nèi)集成電路芯片設(shè)計(jì)與制造一體（IDM）企業(yè)。

近年來(lái)，士蘭微逐步布局第三代化合物功率半導(dǎo)體。2017年，士蘭微打通一條6英寸的硅基氮化鎵功率器件中試線。2018年10月，士蘭微廈門(mén)12英寸芯片生產(chǎn)線暨先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線開(kāi)工，其中4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線總投資50億元，定位為第三代功率半導(dǎo)體、光通訊器件、高端LED芯片等。

GaN IDM企業(yè)

· 蘇州能訊高能半導(dǎo)體公司

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司成立于2011年，致力于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵電子器件技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化，為5G移動(dòng)通訊、寬頻帶通信等射頻微波領(lǐng)域和工業(yè)控制、電源、電動(dòng)汽車(chē)等電力電子領(lǐng)域等兩大領(lǐng)域提供高效率的半導(dǎo)體產(chǎn)品與服務(wù)。

能訊半導(dǎo)體采用整合設(shè)計(jì)與制造（IDM）的模式，自主開(kāi)發(fā)了氮化鎵材料生長(zhǎng)、芯片設(shè)計(jì)、晶圓工藝、封裝測(cè)試、可靠性與應(yīng)用電路技術(shù)，目前公司擁有專(zhuān)利256項(xiàng)。該公司在江蘇建有一座氮化鎵（GaN）電子器件工廠，廠區(qū)占地55畝，累計(jì)投資10億元。

· 江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司

江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司成立于2010年6月，是由國(guó)家千人計(jì)劃專(zhuān)家朱廷剛博士領(lǐng)銜的、由留美留澳留日歸國(guó)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)辦的一家專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)、制造和銷(xiāo)售以氮化鎵為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓、以及用其做成的功率器件、芯片和模塊的高科技公司。

能華微電子先后承擔(dān)了國(guó)家電子信息產(chǎn)業(yè)振興和技術(shù)改造專(zhuān)項(xiàng)的大功率GaN功率電子器件及其材料的產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)的GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)項(xiàng)目等。2017年，能華微電子建成8英寸氮化鎵芯片生產(chǎn)線并正式啟用。

· 英諾賽科（珠海）科技有限公司

英諾賽科（珠海）科技有限公司成立于2015年12月，該公司采用IDM 全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于打造一個(gè)集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析為一體的第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)平臺(tái)。2017年11月，英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線通線投產(chǎn)，成為國(guó)內(nèi)首條實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括30V-650V氮化鎵功率與5G射頻器件。

2018年6月，總投資60億元的英諾賽科蘇州半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目開(kāi)工，今年8月30日項(xiàng)目主廠房封頂，預(yù)計(jì)12月底生產(chǎn)設(shè)備正式進(jìn)廠，2020年可實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。該項(xiàng)目聚焦在氮化鎵和碳化硅等核心產(chǎn)品，將打造將成為集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)。

· 大連芯冠科技有限公司

大連芯冠科技有限公司成立于2016年3月，該公司采用整合設(shè)計(jì)與制造（IDM）的商業(yè)模式，主要從事第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延材料及電力電子器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，產(chǎn)品應(yīng)用于電源管理、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)及工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

官網(wǎng)介紹稱(chēng)，芯冠科技已建成首條6英寸硅基氮化鎵外延及功率器件晶圓生產(chǎn)線。2019年3月，芯冠科技在國(guó)內(nèi)率先推出符合產(chǎn)業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)的650伏硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)品（通過(guò)1000小時(shí)HTRB可靠性測(cè)試），并正式投放市場(chǎng)。

· 江蘇華功半導(dǎo)體有限公司

江蘇華功半導(dǎo)體有限公司成立于2016年5月，注冊(cè)資本為2億元人民幣，一期投入10億元人民幣。官網(wǎng)介紹稱(chēng)，目前公司已全面掌握大尺寸Si襯底高電導(dǎo)、高耐壓、高穩(wěn)定性的GaN外延技術(shù)并掌握具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的增強(qiáng)型功率電子器件制造技術(shù)。

根據(jù)官網(wǎng)顯示，華功半導(dǎo)體可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率電子器件用外延片產(chǎn)品，并基于華功自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的GaN-on-Si外延技術(shù)設(shè)計(jì)和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。