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中國(guó)半導(dǎo)體功率器件品牌公司

姚小熊27 ? 來源:lw ? 作者:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 2019-09-09 17:06 ? 次閱讀
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昨日,第十三屆中國(guó)半導(dǎo)行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件年會(huì)暨2019年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在青島順利召開。在會(huì)上,中國(guó)半導(dǎo)行業(yè)協(xié)會(huì)公布了中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng),讓我們對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體在這個(gè)細(xì)分領(lǐng)域有了更深刻的見解。

中國(guó)半導(dǎo)體功率器件公司前十名的基本情況如下:

揚(yáng)州揚(yáng)杰科技股份有限公司

揚(yáng)杰科技是半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的新興企業(yè),是國(guó)家科技部火炬高技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)中心認(rèn)定的國(guó)家火炬計(jì)劃重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)(批準(zhǔn)文號(hào):國(guó)科火字[2010]287號(hào)),2009年經(jīng)江蘇省科技廳、財(cái)政廳、國(guó)家稅務(wù)局與地方稅務(wù)局聯(lián)合認(rèn)定的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、江蘇省AAA級(jí)信用單位、江蘇省創(chuàng)新型企業(yè)。

公司擁有從芯片制造封裝測(cè)試全套生產(chǎn)工藝,為國(guó)內(nèi)少數(shù)生產(chǎn)、制造全系列二極管、整流橋、分立器件芯片的規(guī)模企業(yè)之一。公司主營(yíng)產(chǎn)品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN產(chǎn)品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、安防、工控、汽車電子新能源等諸多領(lǐng)域。

7月11日晚,揚(yáng)杰科技發(fā)布2019年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告稱,公司預(yù)計(jì)上半年實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東凈利潤(rùn)7793.50萬元~9352.19萬元,較上年同期下降40%~50%。

報(bào)告期內(nèi),公司歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)同比下降,主要原因如下:公司在深耕國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的同時(shí),持續(xù)加強(qiáng)海外市場(chǎng)的戰(zhàn)略布局,進(jìn)一步擴(kuò)建了歐洲、美洲、亞洲等核心市場(chǎng)區(qū)域的銷售網(wǎng)絡(luò),大幅擴(kuò)充了國(guó)際銷售、技術(shù)團(tuán)隊(duì)力量,銷售費(fèi)用同比增長(zhǎng)較快;近年來,公司重點(diǎn)加強(qiáng)了對(duì)MOS、IGBT、SiC等項(xiàng)目的技術(shù)研發(fā)投入,研發(fā)費(fèi)用持續(xù)上升;因整體業(yè)務(wù)延續(xù)2018年下半年以來的下行趨勢(shì),為爭(zhēng)取市場(chǎng)份額,公司采取了銷售價(jià)格調(diào)整策略;由于公司在2018年上半年的大幅擴(kuò)產(chǎn),部分產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率雖不斷爬升但仍未達(dá)到理想水平,目前尚處于恢復(fù)期;公司在前期對(duì)非公發(fā)募投項(xiàng)目、小信號(hào)產(chǎn)線、MOS和IGBT項(xiàng)目等資本性投入較大,報(bào)告期內(nèi)固定折舊額較上年同期增長(zhǎng)較快;受中美貿(mào)易摩擦影響,公司部分出口產(chǎn)品被加征關(guān)稅,營(yíng)業(yè)成本上升;公司整體毛利率有所下降;公司從2018年下半年開始,對(duì)閑余資金理財(cái)采取保守策略,報(bào)告期內(nèi)理財(cái)收益同比有一定幅度的減少。

吉林華微電子股份有限公司

吉林華微電子股份有限公司是1999年10月吉林華星電子集團(tuán)有限公司作為主要發(fā)起人,以與半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)業(yè)務(wù)相關(guān)的凈資產(chǎn)出資,聯(lián)合四川國(guó)營(yíng)長(zhǎng)虹機(jī)器廠,廣東樂華電子,廈門永紅電子,吉林龍鼎集團(tuán)共同發(fā)起設(shè)立的股份制企業(yè)。

華微電子擁有3英寸、4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線,芯片加工能力為每年300余萬片,封裝能力為30億只/年。公司在終端設(shè)計(jì)、工藝制造和產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有多項(xiàng)專利,各系列產(chǎn)品采用雙極、MOS技術(shù)及集成電路等核心制造技術(shù),公司主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件及IC,應(yīng)用于消費(fèi)電子、節(jié)能照明、計(jì)算機(jī)、PC、汽車電子、通訊保護(hù)與工業(yè)控制等領(lǐng)域。公司已形成VDMOS、IGBT、FRED、SBD、BJT等為營(yíng)銷主線的系列產(chǎn)品,成為功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域?yàn)榭蛻籼峁┙鉀Q方案的制造商。

2月25日,華微電子(600360)發(fā)布業(yè)績(jī)快報(bào),公司2018年1-12月實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入17.09億元,同比增長(zhǎng)4.55%,半導(dǎo)體及元件行業(yè)平均營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)率為11.61%;歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)1.04億元,同比增長(zhǎng)9.46%。4月,公司公布了2019年第一季度財(cái)報(bào),該報(bào)告顯示,該季度中歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)本期數(shù)較上年同期數(shù)減少5,989,528.02元,減少比例27.60%,減少原因主要系本期受行業(yè)景氣度影響銷售收入較同期下滑毛利額減少及利息支出高于上年同期所致。

無錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司

無錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司,華潤(rùn)華晶成立于2000年是華潤(rùn)微電子旗下負(fù)責(zé)功率半導(dǎo)體器件業(yè)務(wù)的國(guó)家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè),中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)分立器件分會(huì)副理事長(zhǎng)單位,生產(chǎn)國(guó)內(nèi)著名的“華晶”牌分立器件。

公司擁有3條4-6英寸晶圓生產(chǎn)線,年產(chǎn)分立器件晶圓180萬片,占國(guó)內(nèi)芯片生產(chǎn)總量的30%以上;1條封裝生產(chǎn)線,封裝能力20億塊/年;1條測(cè)試生產(chǎn)線,測(cè)試能力25億塊/年;1條硅材料生產(chǎn)線,外延加工能力40萬片/年。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子照明、綠色電源、電視機(jī)、電動(dòng)車等產(chǎn)品領(lǐng)域,同時(shí)也大量生產(chǎn)客戶定制產(chǎn)品,滿足客戶的多種需求。目前,公司是國(guó)內(nèi)生產(chǎn)規(guī)模最大、技術(shù)裝備領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件研發(fā)、生產(chǎn)基地。

近日上交所網(wǎng)站顯示,華潤(rùn)集團(tuán)全資子公司—華潤(rùn)微電子有限公司(下稱“華潤(rùn)微電子”)科創(chuàng)板上市申請(qǐng)獲受理,保薦機(jī)構(gòu)為中金公司,是科創(chuàng)板受理的第二家境外企業(yè)。據(jù)招股說明書顯示,2016年-2018年,華潤(rùn)微電子制造及服務(wù)業(yè)務(wù)的毛利率分別為9.91%、16.33%、18.57%,呈現(xiàn)持續(xù)上升的趨勢(shì),同行業(yè)可比公司平均值分別為22.16%、24.31%、33.45%。近三年,華潤(rùn)微電子制造及服務(wù)業(yè)務(wù)的毛利率均遠(yuǎn)低于同行業(yè)可比公司平均值,特別是2018年,華潤(rùn)微電子制造及服務(wù)業(yè)務(wù)的毛利率較同行業(yè)可比公司平均值少了近15個(gè)百分點(diǎn)。

蘇州固锝電子股份有限公司

蘇州固锝電子股份有限公司是在蘇州固锝電子有限公司基礎(chǔ)上依法轉(zhuǎn)制整體變更的股份有限公司。成立于1990年11月12日,由蘇州無線電元件十二廠(蘇州通博電子器材有限公司的前身)、香港明申公司、中國(guó)五金礦產(chǎn)品進(jìn)出口總公司企榮蘇州貿(mào)易有限公司投資。

蘇州固锝電子股份有限公司是全球最大的二極管生產(chǎn)商之一,每月產(chǎn)量可達(dá)2.5億只,占世界產(chǎn)量的8%-9%,公司產(chǎn)品全部出口,遠(yuǎn)銷43個(gè)海外國(guó)家和地區(qū)。公司主要從事生產(chǎn)銷售各類半導(dǎo)體芯片、二極管、三極管及各式整流橋堆等系列產(chǎn)品以及電子元件電鍍加工。

2019年7月,蘇州固锝發(fā)布了2019年上半年業(yè)績(jī),公司2019年1-6月歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)3,935.30至5,115.89萬元,同比增長(zhǎng)0%至30%。

樂山無線電股份有限公司

樂山無線電股份有限公司及其合資企業(yè)是中國(guó)最大的分立半導(dǎo)體器件制造基地,中國(guó)電子信息百?gòu)?qiáng)企業(yè)。前身為樂山無線電廠,創(chuàng)建于1970年,目前包含多個(gè)合資企業(yè)的股份制集團(tuán),是以制造分立半導(dǎo)體為主,并努力向集成電路半導(dǎo)體發(fā)展的電子企業(yè)。

樂山無線電主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體分立器件的設(shè)計(jì)、制造和銷售,其主要產(chǎn)品包括小信號(hào)分立器件、功率半導(dǎo)體器件。

據(jù)悉,士蘭微2017年5月下旬便籌劃擬以現(xiàn)金(32億)的方式收購(gòu)樂無股份的股權(quán),交易對(duì)手方為持有樂無股份股權(quán)的股東。但是,于2017年11月士蘭微晚間發(fā)布公告稱,公司決定終止籌劃收購(gòu)樂山無線電股份有限公司的股權(quán)。

無錫新潔能股份有限公司

無錫新潔能股份有限公司(NCE Power)是中國(guó)現(xiàn)代大功率半導(dǎo)體器件的領(lǐng)航設(shè)計(jì)與銷售企業(yè),專業(yè)從事各種大功率半導(dǎo)體器件與功率集成器件設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售。目標(biāo)成為客戶全球最具價(jià)值的功率半導(dǎo)體器件與服務(wù)供應(yīng)商。

公司是中國(guó)第一家研發(fā)成功并上量銷售大功率-超結(jié)-MOSFET(SJ-MOSFET)的設(shè)計(jì)公司,是江蘇省重點(diǎn)支持的半導(dǎo)體大功率器件設(shè)計(jì)高新技術(shù)企業(yè)。公司緊密結(jié)合自身器件與工藝設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì),與國(guó)際一流的芯片代工廠、封裝、測(cè)試代工廠保持密切配合與合作,嚴(yán)謹(jǐn)產(chǎn)品質(zhì)量控制,保證產(chǎn)品的持續(xù)優(yōu)質(zhì)和穩(wěn)定供貨。

目前公司主要產(chǎn)品包括:12V~200V溝槽型功率MOSFET(N溝道和P溝道)、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET(N溝道和P溝道)、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT,相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授權(quán),四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。

2018年,新三板企業(yè)無錫新潔能股份有限公司發(fā)布首次公開發(fā)行股票招股說明書,擬在上交所上市。業(yè)績(jī)方面,2015年至2018年1-6月,新潔能分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入3.06億元、4.22億元、5.04億元、3.61億元,凈利潤(rùn)分別為1507.89萬元、3619.75萬元、5228.00萬元、8193.63萬元,主營(yíng)業(yè)務(wù)收入占比為99%以上。

據(jù)招股書所稱,新潔能是國(guó)內(nèi)8英寸工藝平臺(tái)芯片投片量最大的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)公司之一。其芯片代工供應(yīng)商包括華虹宏力、華潤(rùn)上華、中芯集成和***茂矽以及其他境內(nèi)外領(lǐng)先企業(yè),封裝測(cè)試供應(yīng)商包括長(zhǎng)電科技、安靠、通富微電、上海捷敏等企業(yè)。

瑞能半導(dǎo)體有限公司

根據(jù)國(guó)際電子商情報(bào)道顯示,瑞能半導(dǎo)體的前身最早可追溯到1964年飛利浦在歐洲(英國(guó))成立的半導(dǎo)體功率器件部門,2004年又將其中的Bipolar產(chǎn)品制造線迀到吉林,成立合資公司,這也是飛利浦半導(dǎo)體第一個(gè)合資公司。2015年為了順應(yīng)全球半導(dǎo)體發(fā)展的形勢(shì),中國(guó)從世界工廠變成最大的采購(gòu)單元,國(guó)家戰(zhàn)略希望由自主或合資的企業(yè)來趨動(dòng)需求。為此,NXP進(jìn)行業(yè)務(wù)分離,與建廣資本組建合資企業(yè),這就是瑞能半導(dǎo)體的前世今生。瑞能半導(dǎo)體有限公司全球市場(chǎng)總監(jiān)徐征接受國(guó)際電子商情記者采訪時(shí)透露,目前建廣資本占瑞能51%的股份,NXP為49%,未來三到五年NXP占比將逐漸收縮到20%,主導(dǎo)的投資方變成中方,這在瑞能的發(fā)展規(guī)劃中已經(jīng)明確。

目前,瑞能在吉林芯片生產(chǎn)基地主要生產(chǎn)功率二級(jí)二極管,高壓晶體管,可控硅等產(chǎn)品,這也是瑞能最主要的三大產(chǎn)品系列。其中可控硅全球市場(chǎng)占有率排名第二,約占22%份額。80%產(chǎn)品銷售覆蓋全球TOP10客戶,具有良好的運(yùn)營(yíng)基礎(chǔ),工藝和穩(wěn)定性是功率器件兩大關(guān)鍵因素,也是瑞能對(duì)產(chǎn)品始終如一的要求。

常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司于2006年10月08日成立,是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。公司下屬常州銀河電器有限公司和泰州銀河寰宇半導(dǎo)體有限公司,公司經(jīng)營(yíng)范圍包括片式二極管、半導(dǎo)體分立器件、集成電路、光電子器件及其他電子器件等。

2018年,常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司沖擊創(chuàng)業(yè)板IPO失敗。招股書顯示,銀河微電子在報(bào)告期內(nèi)的營(yíng)業(yè)收入分別為5.25億、5.46億元和6.12億元。盡管營(yíng)業(yè)收入亮眼,不過,其同期凈利潤(rùn)分別為4186萬元、4609.67萬元和5462.5萬元。根據(jù)創(chuàng)業(yè)板上市要求,報(bào)告期內(nèi),擬登陸創(chuàng)業(yè)板的企業(yè)最近一年盈利且凈利潤(rùn)不少于5000萬,同時(shí)要求最近兩年?duì)I業(yè)收入增長(zhǎng)率均不低于30%。對(duì)照上述要求,銀河微電子雖然滿足最近一年凈利潤(rùn)高于5000萬,但是其最近兩年?duì)I業(yè)收入不滿足30%的增長(zhǎng)率。

蘇州捷捷微電子股份有限公司

江蘇捷捷微電子股份有限公司創(chuàng)建于1995年,是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件、電力電子元器件研發(fā)、制造和銷售的江蘇省高新技術(shù)企業(yè)、江蘇省創(chuàng)新型企業(yè)、中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)會(huì)員單位、中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)先進(jìn)會(huì)員單位。公司主導(dǎo)產(chǎn)品為(0.6~110)A/600-1600V雙向可控硅、(0.8~250)A/600-2200V單向可控硅、低結(jié)電容放電管、TVS等各類保護(hù)器件、高壓整流二極管、功率型開關(guān)晶體管。公司擁有五條半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品線。

北京燕東微電子有限公司

北京燕東微電子有限公司(YDME)成立于1987年,是一家專業(yè)化的集成電路設(shè)計(jì)、制造、銷售于一體的IDM高科技企業(yè),國(guó)內(nèi)優(yōu)秀的模擬集成電路及分立器件制造商。

2019年6月,北京燕東微電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“燕東微電子”)8英寸生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目舉行了首批設(shè)備搬入儀式。據(jù)燕東微電子官方介紹,北方華創(chuàng)制造的芯片刻蝕機(jī)作為首臺(tái)設(shè)備在儀式上搬入廠房,標(biāo)志著燕東8英寸線項(xiàng)目從建設(shè)期向生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)期邁出重要一步,為年底出產(chǎn)2萬片晶圓打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。據(jù)悉,燕東微電子8英寸集成電路研發(fā)產(chǎn)業(yè)化及封測(cè)平臺(tái)項(xiàng)目總投資48億元,于2016年9月27日正式啟動(dòng)。其芯片生產(chǎn)廠房包含一條月產(chǎn)5萬片(25次光刻)0.25um-0.09um(典型工藝為0.11um)、BCD兼容工藝的8英寸芯片生產(chǎn)線。未來擬生產(chǎn)產(chǎn)品包括顯示驅(qū)動(dòng)電路、功率器件、封測(cè)產(chǎn)品等。

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    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:36 ?1028次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>器件</b>的PCB設(shè)計(jì)

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件功率端子

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?796次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十)——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

    樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完
    的頭像 發(fā)表于 12-23 17:31 ?988次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>器件</b>的結(jié)構(gòu)函數(shù)

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

    樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完
    的頭像 發(fā)表于 12-16 17:22 ?1200次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>模塊的熱擴(kuò)散

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高
    的頭像 發(fā)表于 11-19 01:01 ?805次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(五)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>熱容

    中國(guó)半導(dǎo)體的鏡鑒之路

    今天非常高興能在這里圍繞我跟蓋添怡女士的一本半導(dǎo)體專業(yè)著作《芯鏡》來展開介紹日本半導(dǎo)體的得失,以及對(duì)咱們中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的啟發(fā)。 一芯片強(qiáng)國(guó)的初、興、盛、衰 首先,大家可以先了解一下日本
    發(fā)表于 11-04 12:00

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻

    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高
    的頭像 發(fā)表于 10-22 08:01 ?1730次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的熱阻

    功率半導(dǎo)體器件測(cè)試解決方案

    功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來,我國(guó)功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過持續(xù)
    的頭像 發(fā)表于 09-12 09:46 ?928次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>器件</b>測(cè)試解決方案

    聞泰科技榮獲“2023年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”

    ,榮獲中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)頒發(fā)的“2023年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。 本次會(huì)議由
    的頭像 發(fā)表于 07-29 09:23 ?5335次閱讀

    揚(yáng)杰科技榮獲“2023年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)

    2024年7月22-24日,第十八屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2024年中國(guó)半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 07-25 09:22 ?1651次閱讀