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“六個(gè)”Intel的必修之路——半導(dǎo)體封裝迎來“高光時(shí)刻”

張慧娟 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:張慧娟 ? 2019-09-11 01:35 ? 次閱讀
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Intel六大技術(shù)支柱所描繪的愿景中,有改進(jìn)設(shè)計(jì)架構(gòu)的Intel,有消除內(nèi)存/存儲(chǔ)瓶頸的Intel,有投資互連技術(shù)的Intel,有重視軟件的Intel,有視安全為根基的Intel,還有跨晶體管、封裝和芯片設(shè)計(jì)協(xié)同進(jìn)步的Intel。在這“六個(gè)”Intel看來,摩爾定律的哲學(xué)將永遠(yuǎn)存在。

作為半導(dǎo)體領(lǐng)域?yàn)閿?shù)不多的IDM廠商,Intel覆蓋了從晶體管到整體系統(tǒng)層面集成的全面解決方案。從PC時(shí)代的“Intel inside”,到現(xiàn)在的“Intel:experience what’s inside”。鮮少全面介紹其先進(jìn)封裝技術(shù)的Intel,日前召開技術(shù)解析會(huì),展示了制程&封裝技術(shù)作為基礎(chǔ)要素的核心地位。

為什么我們需要先進(jìn)封裝技術(shù)?Intel公司集團(tuán)副總裁兼封裝測(cè)試技術(shù)開發(fā)部門總經(jīng)理Babak Sabi表示,為了更好地對(duì)大規(guī)模的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析和處理,要有非常復(fù)雜的芯片來提供足夠的算力。當(dāng)芯片架構(gòu)會(huì)越來越復(fù)雜,很難把這么多不同的組件來進(jìn)行集成,這也就是為什么要開發(fā)先進(jìn)封裝技術(shù)的原因。我們可以把不同功能的小芯片進(jìn)行組裝,放到同一個(gè)封裝內(nèi)部,以獲得足夠的大數(shù)據(jù)分析的算力,這是傳統(tǒng)技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)的。

先進(jìn)封裝將在半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮更大價(jià)值

一直以來,芯片設(shè)計(jì)、工藝制程聚焦了半導(dǎo)體領(lǐng)域最多的關(guān)注。芯片封裝作為制造過程的最后一步,在整個(gè)電子供應(yīng)鏈中看似不起眼,卻一直默默發(fā)揮著關(guān)鍵作用。作為處理器和主板之間的物理接口,封裝為芯片的電信號(hào)和電源提供了一個(gè)著陸區(qū)。隨著半導(dǎo)體工藝日益復(fù)雜,傳統(tǒng)單芯片封裝逐漸不能滿足需求,尤其是對(duì)于高性能芯片來說,需要在性能、功耗、成本方面的進(jìn)一步均衡和提升。

三大因素正在推動(dòng)半導(dǎo)體封裝發(fā)生革命性變化:一是全球終端電子產(chǎn)品逐漸走向多功能整合及低功耗設(shè)計(jì),二是數(shù)據(jù)中心物聯(lián)網(wǎng)人工智能處理等方面推動(dòng)的芯片多樣化趨勢(shì),三是以數(shù)據(jù)為中心的工作負(fù)載日益多樣化,帶來處理數(shù)據(jù)的架構(gòu)也日益多樣化。未來,先進(jìn)封裝將比過去發(fā)揮更為重大的作用,它將成為產(chǎn)品創(chuàng)新的催化劑,也終于迎來了它的“高光時(shí)刻”。

Yole Développement首席分析師Santosh Kumar曾預(yù)測(cè),IC封裝市場(chǎng)2019年會(huì)出現(xiàn)放緩,但是先進(jìn)封裝的增長(zhǎng)速度超過整體封裝市場(chǎng)。據(jù)Yole稱,2019年包括所有技術(shù)在內(nèi)的IC封裝市場(chǎng)預(yù)計(jì)收入將達(dá)到680億美元,比2018年增長(zhǎng)3.5%?!跋冗M(jìn)的封裝預(yù)計(jì)在2019年增長(zhǎng)4.3%,而傳統(tǒng)/商品封裝的增長(zhǎng)率僅為2.8%?!?br />
據(jù)英特爾制程及封裝部門技術(shù)營(yíng)銷總監(jiān)Jason Gorss介紹,先進(jìn)封裝已經(jīng)成為各公司打造差異化優(yōu)勢(shì)的一個(gè)重要領(lǐng)域,以及一個(gè)能夠提升性能、提高功率、縮小外形尺寸和提高帶寬的機(jī)會(huì)。

未來,晶體管層面的創(chuàng)新方向是尺寸越來越小,功耗越來越低;架構(gòu)層面,將走向多種不同架構(gòu)的組合,以滿足更加專屬的特定領(lǐng)域的需求,包括FPGA、圖像處理器以及人工智能加速器等等;內(nèi)存和存儲(chǔ)領(lǐng)域,正在面臨一個(gè)全新的瓶頸,需要消除傳統(tǒng)內(nèi)存和存儲(chǔ)層級(jí)結(jié)構(gòu)中的固有瓶頸,同時(shí)實(shí)現(xiàn)加速互連,通過不同層級(jí)的互連技術(shù),更好地滿足在數(shù)據(jù)層面或是封裝內(nèi)的數(shù)據(jù)流通;軟件方面,以全堆棧、跨架構(gòu)平臺(tái)為主,充分釋放硬件的極致性能;當(dāng)然,安全則是一切業(yè)務(wù)的最高等級(jí)。

上述方向,共同勾勒出Intel對(duì)于未來創(chuàng)新的設(shè)想,它不再拘泥于傳統(tǒng)框架,而是注重更加靈活地設(shè)計(jì)性能更強(qiáng)、功能更豐富、功耗更低、用途更靈活的不同產(chǎn)品,滿足未來的差異化需求。

Intel強(qiáng)調(diào)其封裝技術(shù)的先進(jìn)性,亦與摩爾定律的如何延續(xù)有關(guān)。此前,Intel方面就曾公開回應(yīng):摩爾定律仍持續(xù)有效,只是以各種功能、架構(gòu)搭配組合的功能演進(jìn),以應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)的泛濫。先進(jìn)的封裝技術(shù)能夠集成多種制程工藝的計(jì)算引擎,實(shí)現(xiàn)類似于單晶片的性能,但其平臺(tái)范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過單晶片集成的晶片尺寸限制。這些技術(shù)將大大提高產(chǎn)品級(jí)性能和功效,縮小面積,同時(shí)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行全面改造。

有哪些不斷涌現(xiàn)的封裝新需求?


Intel的封裝愿景是在一個(gè)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)芯片和小芯片的連接,幫助整體芯片實(shí)現(xiàn)單晶片系統(tǒng)SoC的功能。為了做到這一點(diǎn),必須確保整個(gè)裸片上的小芯片連接必須是低功耗、高帶寬且高性能的,這也是實(shí)現(xiàn)其愿景的核心所在。

Intel院士兼技術(shù)開發(fā)部聯(lián)合總監(jiān)Ravindranath (Ravi) V. Mahajan表示,封裝技術(shù)的三大重點(diǎn)在于輕薄/小巧的客戶端封裝、高速信號(hào)和互聯(lián)微縮(密度和間距)。

據(jù)介紹,英特爾封裝支持多節(jié)點(diǎn)混合集成,不僅是不同元器件集成中X、Y軸的平面面積縮小,在G軸上(封裝厚度)也有優(yōu)化空間。他表示,2014年,封裝厚度約為100μm;2015年已實(shí)現(xiàn)無核技術(shù),換言之即為無核狀態(tài);未來,英特爾不僅僅是把硅片疊加到封裝上,將實(shí)現(xiàn)嵌入式橋接,讓系統(tǒng)更小更薄。

高速信號(hào)方面,由于信號(hào)實(shí)際上是在半導(dǎo)體芯片表面上傳遞進(jìn)行的,會(huì)受到金屬表面粗糙度影響。Intel通過專門的制造技術(shù)大幅降低了金屬表面的粗糙度,從而減少信號(hào)傳遞損耗。同時(shí),采用全新的布線方法降低串?dāng)_,采用空隙布線使得電介質(zhì)堆棧設(shè)計(jì)中兩者之間的傳導(dǎo)損耗更小。Ravi Mahajan表示,通過先進(jìn)封裝技術(shù)目前已經(jīng)可以達(dá)到112Gbps,未來將努力邁向224Gbps這一數(shù)量級(jí)。

互聯(lián)微縮(密度和間距)方面,Ravi Mahajan強(qiáng)調(diào)了兩個(gè)基礎(chǔ)概念:代表兩個(gè)裸片縱向疊加的3D互連,以及代表兩個(gè)裸片水平連接的2D互連。前者導(dǎo)線數(shù)量較少傳輸速度較快,后者導(dǎo)線數(shù)量多傳輸速度較慢。通過英特爾全方位互聯(lián)(ODI)技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)高速互聯(lián),通過并行連接延遲會(huì)大幅下降,并且可以更好地改善速度,系統(tǒng)能耗可降低約10%。

如何構(gòu)建未來的高密度MCP?

整個(gè)業(yè)界似乎都在不斷推動(dòng)先進(jìn)多芯片封裝架構(gòu)MCP的發(fā)展,以更好地滿足高帶寬、低功耗的需求。在Intel看來,這需要多項(xiàng)關(guān)鍵基礎(chǔ)技術(shù)的結(jié)合。

在今年七月初的SEMICON West大會(huì)上,Intel曾推出一系列全新的基礎(chǔ)工具,包括將EMIB和Foveros技術(shù)相結(jié)合的創(chuàng)新應(yīng)用(Co-EMIB)、全方位互連(ODI)技術(shù),和全新裸片間接口(MDIO)技術(shù),實(shí)現(xiàn)其全新封裝技術(shù)與制程工藝的結(jié)合。其基本原則都是使用最優(yōu)工藝制作不同IP模塊,然后借助不同的封裝方式、高帶寬低延遲的通信渠道,整合在一塊芯片上,構(gòu)成一個(gè)異構(gòu)計(jì)算平臺(tái)。
現(xiàn)場(chǎng)展示的Co-EMIB樣品
融合Foveros 3D封裝技術(shù)的Lakefield產(chǎn)品
EMIB樣品
Babak Sabi表示,異構(gòu)集成技術(shù)是關(guān)鍵,它為芯片架構(gòu)師提供了更大的靈活性,使之能夠在新的多元化模塊中將各種IP和制程技術(shù)與不同的內(nèi)存和I/O單元混搭起來。

Intel封裝研究事業(yè)部組件研究部首席工程師Adel Elsherbini表示,封裝互連技術(shù)有兩種主要的方式,一種是把主要的相關(guān)功能在封裝上進(jìn)行集成,即將電壓的調(diào)節(jié)單元從母板上移到封裝上,通過這種方式實(shí)現(xiàn)全面集成的電壓調(diào)節(jié)封裝;另外一個(gè)是稱之為SoC片上系統(tǒng)分解的方式,把具備不同功能屬性的小芯片來進(jìn)行連接,并放在同一封裝里,通過這種方法可以實(shí)現(xiàn)接近于單晶片的特點(diǎn)性能和功能。不管是選擇哪一種的實(shí)現(xiàn)路徑,都需要做到異構(gòu)集成和專門的帶寬需求,而這也可以幫助實(shí)現(xiàn)密度更高的多芯片集成。

未來,先進(jìn)互連封裝研究有三大微縮方向,:一是用于堆疊裸片的高密度垂直互連,它可以大幅度提高帶寬,同時(shí)也可實(shí)現(xiàn)高密度的裸片疊加;二是全局的橫向互連,在未來隨著小芯片使用會(huì)越來越普及,在小芯片集成當(dāng)中擁有更高的帶寬;三是全方位互連(ODI),可實(shí)現(xiàn)之前所無法達(dá)到的3D堆疊帶來的性能。通過這些支持Intel未來路線圖的新技術(shù),共同構(gòu)建起未來的技術(shù)能力和基礎(chǔ)。

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