9月10日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，公司控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“聚能晶源”）投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目（一期）已達(dá)到投產(chǎn)條件，于2019年9月10日正式投產(chǎn)。聚能晶源于同日舉辦了“8英寸GaN外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)暨產(chǎn)品發(fā)布儀式”。從入駐到項(xiàng)目建成投產(chǎn)，聚能晶源僅僅用了一年多的時(shí)間。

國家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)顯示，聚能晶源成立于2018年6月，注冊資本5000萬元，由北京耐威科技股份有限公司、青島海絲民合半導(dǎo)體投資中心、青島民芯投資中心與袁理博士技術(shù)團(tuán)隊(duì)共同投資成立的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)與制造企業(yè)，其中耐威科技持股40%，青島海絲民和持股24%，袁理持股20%，青島民芯持股16%。主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設(shè)計(jì)、開發(fā)和生產(chǎn)。

根據(jù)耐威科技此前公告，聚能晶源預(yù)計(jì)本項(xiàng)目投資總額不少于約2億元人民幣：2018年年底前投資總額不低于5000萬元人民幣，2020年底前投資總額不低于1.5億元人民幣。未來產(chǎn)品線將覆蓋功率與微波器件應(yīng)用，打造世界級氮化鎵（GaN）材料公司，項(xiàng)目主要產(chǎn)品有面向功率器件應(yīng)用的氮化鎵（GaN）外延片，以及面向微波器件應(yīng)用的氮化鎵（GaN）外延片等。

耐威科技指出，聚能晶源項(xiàng)目已投資5，200萬元人民幣，項(xiàng)目一期建成產(chǎn)能為年產(chǎn)1萬片6-8英寸GaN外延晶圓，既可生產(chǎn)提供標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的GaN外延晶圓，也可根據(jù)客戶需求開發(fā)、量產(chǎn)定制化外延晶圓，項(xiàng)目的投產(chǎn)將有利于聚能晶源正式進(jìn)入并不斷開拓第三代半導(dǎo)體材料市場，同時(shí)有利于公司GaN功率與微波器件設(shè)計(jì)開發(fā)業(yè)務(wù)的發(fā)展，最終增強(qiáng)公司在第三代半導(dǎo)體及物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的綜合競爭實(shí)力。據(jù)了解，聚能晶源項(xiàng)目已經(jīng)被評為青島市重點(diǎn)項(xiàng)目。

耐威科技董事長楊云春介紹，耐威科技自上市以來，積極在物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域進(jìn)行布局，重點(diǎn)發(fā)展MEMS和GaN業(yè)務(wù)；其中在GaN領(lǐng)域，耐威科技在即墨投資設(shè)立了聚能晶源公司，專注GaN外延材料的研發(fā)生長；在嶗山投資設(shè)立了聚能創(chuàng)芯公司，專注GaN器件的開發(fā)設(shè)計(jì)。