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用硅電容代替陶瓷電容,村田的“光”策略

晶芯觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃晶晶 ? 2019-09-17 17:46 ? 次閱讀
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村田的多層片狀陶瓷電容廣泛應(yīng)用于消費類電子、汽車等多個領(lǐng)域,為人們所熟悉。但在光通信領(lǐng)域,村田主打的硅電容有著比陶瓷電容更好的性能,滿足光通信對超高頻器件的需求。

村田的這條硅電容產(chǎn)品線,來自于2016年村田收購的IPDiA S.A公司。這家公司位于法國,該公司的產(chǎn)品和技術(shù)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、工業(yè)、通信等要求高可靠性的領(lǐng)域,此次收購進(jìn)一步鞏固了村田作為高可靠性電容器供應(yīng)商的領(lǐng)先地位。

在第21屆中國國際光電博覽會(CIOE 2019)上,村田工程師向電子發(fā)燒友記者介紹,光通信速度越來越快,當(dāng)通信速度達(dá)到毫米波寬帶時,超小型的貼片陶瓷電容器(MLCC)中的插入損耗會增加,相比之下,硅電容器具有低插入損耗、高穩(wěn)定性等優(yōu)勢,市場需求迅速擴(kuò)大。

村田的高密度硅電容器,通過應(yīng)用半導(dǎo)體的MOS工藝實現(xiàn)三維化,大幅增加電容器表面積,從而提高了基板單位面積的靜電容量。這個特點能夠適用于網(wǎng)絡(luò)相關(guān)(RF功率放大器、寬帶通信)、高可靠性用途、醫(yī)療、汽車、通信等領(lǐng)域。

查閱村田官網(wǎng)硅電容技術(shù)的資料,村田將High-Q電感、電阻、平面MIM電容器、巴倫用溝槽MOS電容器、PLL環(huán)路濾波器、低通濾波器、RC濾波器、饋線去耦裝置等各種被動元件組合起來,提供給客戶。

此項技術(shù)也提供利用與MOS半導(dǎo)體完全兼容的后工序技術(shù)集成被動元件的平臺,并且可以應(yīng)用于SIP,利用其他技術(shù)(CMOS和MEMS等)進(jìn)行多片模塊和倒裝片的異質(zhì)集成。



在村田眾多硅電容器產(chǎn)品系列中,本次光博會上展出的XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列是支持最高到100GHz+的表面貼裝型硅電容器。


村田表面封裝硅電容器產(chǎn)品


據(jù)悉,村田硅電容所支持的帶寬從20、40、67到110GHz,目前67GHz的硅電容已經(jīng)量產(chǎn),110GHz的在去年底推出。不難看出,因應(yīng)光通信高速率的要求,具有大帶寬的硅電容將更受市場歡迎。

在特性上,村田硅電容器實現(xiàn)了-55℃至 150℃的廣泛工作溫度范圍。耐壓達(dá)450V,使用壽命至少達(dá)10年之久,硅電容尺寸薄至50um以內(nèi)。這些參數(shù)都表明硅電容較之MLCC在光通信領(lǐng)域有著更大的應(yīng)用特質(zhì)。

村田引線鍵合用上下電極硅電容器產(chǎn)品


此次村田不僅帶來了硅電容器,還展示了硅基板。普通的氮化鋁(AlN)陶瓷基板無法做到小型化以及存在可靠性挑戰(zhàn),相比之下,村田定制化硅基板方案具有小型化、高可靠性、成本更低等優(yōu)勢?!肮杌蹇梢詫㈦娙菖c電阻等器件整合到基板內(nèi)部,從而實現(xiàn)基板的小型化等特性”,村田工程師解析說。

在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域村田提供用于線纜管理的RFID標(biāo)簽產(chǎn)品,由于在線纜實際應(yīng)用中需要貼標(biāo)簽來辨別接頭與插口的對應(yīng)情況,時間久了普通標(biāo)簽容易磨損,而將RFID標(biāo)簽貼在接頭上方便掃描驗證,便于管理。村田的這款RFID標(biāo)簽采用陶瓷封裝,通過讀寫器讀取光纖ID、光纖種類、插入位置等信息,實現(xiàn)簡單的光纖識別,消除連接錯誤,避免因接頭插錯而引起的數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)停頓等故障的發(fā)生。


村田數(shù)據(jù)中心線纜管理用RFID標(biāo)簽產(chǎn)品

據(jù)了解,此次是村田第一次參加光博會,或許正是因為對光通信市場前景的看好,看得出村田是有備而來,布局了硅電容、硅基板以及小型化RFID標(biāo)簽等多種產(chǎn)品,應(yīng)對未來高速增長的光通信市場需求。

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