晶體振蕩器串聯(lián)和并聯(lián)的等效電路圖
并聯(lián)晶體振蕩器等效電路
并聯(lián)晶體振蕩器又分c-b（集電極-基極）型晶體振蕩器（也叫皮爾斯振蕩器）和b-e（基極-發(fā)射極）型晶體振蕩器（也叫密勒振蕩器）兩種。下面以c-b型晶體振蕩器為例進行介紹。
典型的c-b型晶體振蕩器如圖6-23所示。在該電路中，晶體X作為反饋元件并聯(lián)在VT的c、b極之間，R1、R2是VT的b極偏置電阻，R3是VT的c極電阻，R4是e極電阻，C1是濾波電容。因此，該電路的交流等效電路如圖6-24所示。
參見圖6-24，晶體X代替三點式振蕩器的一個電感構(gòu)成電容三點式振蕩器。X與電容C2、C3構(gòu)成并聯(lián)諧振回路，它們的參數(shù)共同決定振蕩器的頻率。
聯(lián)晶體振蕩器等效電路
典型的串聯(lián)晶體振蕩器如圖6-25所示。VT1、VT2構(gòu)成兩級阻容耦合放大器，R1、R3分別是VT1、VT2的基極偏置電阻，R2、R4分別是VT1、VT2的集電極電阻，晶體X和C2串聯(lián)后構(gòu)成正反饋網(wǎng)絡。該電路的等效電路如圖6-26所示。
參見圖6-26，由于VT2的輸出電壓與VT1的輸入電壓同相，所以晶體X可以等效為一個電阻與C2為VT1的基極提供正反饋電壓，使該電路進入振蕩狀態(tài)。該電路的振蕩頻率就是X的固有頻率。
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