聯(lián)發(fā)科宣布推出最新一代7納米FinFET硅認證的112G遠程SerDes知識產權，為公司在定制化的特殊應用芯片（ASIC）產品陣線再添生力軍。聯(lián)發(fā)科采用硅認證（Silicon-Proven）的7納米FinFET制程技術，使資料中心能夠快速有效地處理大量特定類型的資料，更加提升超高性能運算的速度。

聯(lián)發(fā)科表示，公司擁有全球業(yè)界最廣泛的SerDes產品組合，這次推出最新一代SerDes高速傳輸的112G知識產權服務，讓企業(yè)級網絡與超大規(guī)模數據中心能有效地布建下一代連接應用，以滿足其特定需求，更進一步擴展聯(lián)發(fā)科在定制化芯片ASIC方案的競爭力并鞏固在SerDes產品領域的領先地位。

聯(lián)發(fā)科進一步指出，新推出的112G遠程SerDes是基于高性能訊號處理（DSP）的解決方案，具有PAM4和NRZ信令，適用于惡劣環(huán)境與嘈雜的應用場景。該芯片可用于短、中、長距離的應用（VSR、MR和LR），并針對每個應用場景進行功率優(yōu)化。由于采用最新的7納米制程技術，在性能、功耗及晶粒尺寸都具有一流的競爭力。

此外，112G遠程SerDes支援多種IEEE標準的速度，包括1/10/25/50/100G和FC16/FC32/FC64。聯(lián)發(fā)科最新的ASIC方案提供了強大的診斷與測試功能，包括不干擾主資料路徑的內置資料監(jiān)控器，以及對內建自我測試（built-in self-test，BIST）和電子回路的支援。

而面對ASIC市場需求正高速成長，聯(lián)發(fā)科指出，將會持續(xù)投資，致力于為客戶提供一流的ASIC設計服務。隨著國際一線的市場客戶對獨特系統(tǒng)解決方案需求的增加，聯(lián)發(fā)科積極布局，為客戶發(fā)展具有高運算能力、高傳輸速度及低功耗等高度差異化的定制化芯片，為整個通信及消費業(yè)者提供發(fā)展動力。

目前，聯(lián)發(fā)科開始為10G、28G、56G和112G等ASIC設計提供業(yè)界最完整的SerDes產品組合。其ASIC服務和IP產品組合覆蓋了廣泛應用，包括企業(yè)和超大規(guī)模資料中心、超高性能網絡交換機、路由器或運算應用、5G基站基礎架構、人工智能（AI）、深度學習（DL）應用，以及要求在長距離互連中具備極高頻寬的新型運算應用。

而聯(lián)發(fā)科的ASIC服務可為客戶在多種領域拓展商機。從有線與無線通訊、超高性能運算，到以電池供電的物聯(lián)網、本地連接、個人多媒體，以及先進感測器和射頻等。聯(lián)發(fā)科為ASIC客戶提供全面的專業(yè)技術服務，包括系統(tǒng)及平臺設計、系統(tǒng)單芯片（SoC）設計、系統(tǒng)整合、芯片實體布局、生產支援和產品導入等。目前首個采用聯(lián)發(fā)科112G遠程SerDes IP的合作伙伴產品已經在開發(fā)中，預計將于2020年下半年上市。
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