據EETimes報道，長鑫存儲近日表示，成為了國內唯一的DRAM供應商。

該報道指出，目前長鑫存儲已經完成了合肥Fab 1及研發(fā)設施建設，每月生產2萬片，并計劃在2020年第二季度將產能提高一倍，達到每月4萬片。長鑫存儲已經利用19nm開始生產LPDDR4、DDR4 8Gbit DRAM系列產品。除此之外，長鑫存儲還計劃建造另外兩座晶圓廠。長鑫也在建設基礎設施，為多達3000名員工及其家人提供保障。

進入DRAM市場，長鑫仍面臨挑戰(zhàn)

EETimes報道認為，目前中國打入國際DRAM市場的難度頗大，一方面生產經驗與專業(yè)知識方面的欠缺；另一方面是知識產權積累上存在欠缺。而長鑫存儲應對挑戰(zhàn)，也從人才、知識產權方面儲備，例如從韓國和***招募工程師、聘請此前奇夢達技術人員。

DRAM 技術其實有溝槽式和堆棧式兩種，雖然堆棧式技術的競爭力相對較好，但是由于早期的市場原因，該技術被擱淺。

奇夢達的核心是溝槽電容工藝，現(xiàn)在被認為是一種過時的DRAM技術。此前業(yè)內人士認為，長鑫使用的是奇夢達的舊技術。然而，長鑫透露，它已經開始使用堆疊電容工藝技術進行生產。

背靠奇夢達，能否啃下知識產權“硬骨頭”？

EETimes報道指出，長鑫存儲執(zhí)行副總裁表示，無論是高通、蘋果還是臺積電，科技公司必然會面臨知識產權的問題。因此，在公司內部實施嚴格的正當程序至關重要。此外，他還透露，WiLAN現(xiàn)在擁有許多奇夢達的專利。WiLAN可能是長鑫正在談判的公司之一。

值得注意的是，12月5日，長鑫存儲與WiLAN 聯(lián)合宣布，就奇夢達開發(fā)的 DRAM 專利，長鑫存儲與 WiLAN 全資子公司 Polaris Innovations Limited 達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。依據專利許可協(xié)議，長鑫存儲從 Polaris 獲得大量 DRAM 技術專利的實施許可。這些專利來自 Polaris 于2015年6月從奇夢達母公司英飛凌購得的專利組合。依據獨立的專利采購協(xié)議，長鑫存儲從 Polaris 購得相當數量的 DRAM 專利。此專利許可和專利采購協(xié)議中所包括的交易金額等商業(yè)秘密條款在此不予披露。

分析師眼中的長鑫

Object Analysis首席分析師Jim Handy認為，長鑫擁有比大多數人預期的中國DRAM制造商更高的專業(yè)水平。