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近3個月連續(xù)走跌的DRAM價格已觸底反彈 三星開始導(dǎo)入1z納米制程提升單位生產(chǎn)數(shù)量

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:TechNews科技新報 ? 作者:Atkinson ? 2019-12-13 13:59 ? 次閱讀
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根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心DRAMeXchange)調(diào)查顯示,在當(dāng)前各家廠商庫存數(shù)量下跌,加上資料中心需求持續(xù)強(qiáng)勁,以及2020年第1季5G手機(jī)市場對于DRAM需求擴(kuò)大的情況下,近3個月連續(xù)走跌的DRAM價格已經(jīng)觸底反彈。

其中,DDR4 8G(1Gx8)2400 Mbps的產(chǎn)品上漲了2.88%,而DDR3 4Gb 512Mx8 eTT的產(chǎn)品也上漲了1.04%,顯示了DRAM市場從下跌狀況走緩,甚至已經(jīng)開始反彈回溫。

有報告顯示,2020年在5G智能手機(jī)、資料中心等需求的提升,使得業(yè)者開始加大對于DRAM的采購力道。

其中,在5G智能手機(jī)方面,因?yàn)槠炫灆C(jī)種將搭載6G到12G的DRAM,相較4G高端旗艦款手機(jī)搭載3G到6G DRAM的規(guī)格而言,容量要增加許多,使得市場開始對DRAM的需求增加。

除了在需求面的提升之外,外資報告還指出,韓國存儲器龍頭三星目前在DRAM生產(chǎn)方面已經(jīng)開始導(dǎo)入1z納米制程,三星期望可以透過制程微縮,提升單位生產(chǎn)數(shù)量。

此外,到第三代10納米級的1z納米制程后,由于未來微縮空間減少,使得成本效益遞減,加上三星逐漸導(dǎo)入EUV生產(chǎn)DRAM,生產(chǎn)成本隨之提高,這樣不僅形成進(jìn)入產(chǎn)業(yè)的高門檻,也限制了未來擴(kuò)產(chǎn)比例,導(dǎo)致預(yù)期供貨將維持在一定數(shù)量,廠商難以大量收到貨源,形成價格的預(yù)期上揚(yáng)。而這對于整體DRAM產(chǎn)業(yè)來說,也會是較為健康的發(fā)展。
責(zé)任編輯:wv

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