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三星電子12英寸閃存芯片二期第二階段項目正式啟動 總投資達(dá)150億美元

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:全球半導(dǎo)體觀察 ? 作者:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2019-12-26 11:42 ? 次閱讀
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繼12月10日,西安三星電子閃存芯片項目二期第二階段80億美元投資啟動后,西安和三星的深化合作再次邁上一個新臺階。

據(jù)西安日報報道,12月15日,三星(中國)半導(dǎo)體有限公司12英寸閃存芯片二期第二階段項目正式啟動。

據(jù)了解,三星電子一期投資108億美元,建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目。二期項目總投資150億美元,主要制造閃存芯片,其中,第一階段投資約70億美元,明年3月竣工投產(chǎn);第二階段投資80億美元,2021年下半年竣工。

項目一期于2014年5月竣工投產(chǎn),項目二期于2018年3月正式開工建設(shè),其中第一階段投資70億美元。三星(中國)半導(dǎo)體有限公司董事長任伯均表示,三星電子二期第一階段項目進(jìn)展順利,明年三月將實現(xiàn)量產(chǎn)。

二期項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片,占三星電子全球產(chǎn)量的40%,新增產(chǎn)值300億元,成為全球規(guī)模最大的閃存芯片生產(chǎn)基地,并帶動一批配套電子信息企業(yè)落戶,使西安形成較為完整的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

據(jù)西安日報報道,自2012年落戶西安以來,三星電子建成了高端存儲芯片、封裝測試項目和電子研發(fā)中心,涉及金融、貿(mào)易、動力電池、建筑工程等多個領(lǐng)域,累計投資250億美元,是三星海外投資歷史上投資規(guī)模最大的項目。
責(zé)任編輯:wv

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